公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自 tomshardware 。 近年来，AI GPU 的功耗稳步上升，预计随着 AI 处理器集成更多计算能力和 HBM 芯片，功耗还将 继 续 上 升 。 我 们 一 些 业 内 人 士 表 示 ， Nvidia 计 划 将 其 下 一 代 GPU 的 热 设 计 功 耗 (TDP) 设 定 在 6,000 瓦至 9,000 瓦之间，但韩国领先的研究机构 KAIST 的专家认为，未来 10 年，AI GPU 的热 设计功耗 (TDP) 将一路飙升至 15,360 瓦。因此，它们需要相当极端的冷却方法，包括浸入式冷却甚 至嵌入式冷却。 直到最近，高性能风冷系统（包括铜散热器和高压风扇）足以冷却 Nvidia 的 H100 AI 处理器。然 而，随着 Nvidia 的 Blackwell 将其散热功率提升至 1200W，Blackwell Ultra 又将其 TDP 提升至 1400W，液冷解决方案几乎成为必需。Rubin 的散热性能将进一步提升，TDP 将提升至 1800W；而 Rubin Ultra 的 GPU 芯片和 HBM 模块数量将翻倍， ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自 theelec 。 韩国科学技术研究院的一位教授表示，到 2029 年左右，当 HBM5 实现商业化时，冷却技术将成为 高带宽存储器 (HBM) 市场竞争的主要因素。 韩国科学技术研究院电气工程系教授 Joungho Kim 在 KAIST Teralab（Kim 领导的该大学下属研究 小组）主办的活动中表示，目前，封装是决定半导体市场霸权的主要因素，但随着 HBM5 的出现， 这一局面将转变为冷却技术。 该 实 验 室 分 享 了 所 谓 的 2025 年 至 2040 年 HBM4 至 HBM8 的 技 术 路 线 图 。 其 中 一 些 技 术 包 括 HBM 架构、冷却方法、硅通孔 (TSV) 密度、中介层等。 Kim 表示，预计基础芯片将通过异构和先进的封装技术移至 HBM 的顶部。 由于从 HBM4 开始，基础芯片将承担 GPU 的部分工作负载，因此基础芯片的温度升高使得冷却变 得非常重要。 HBM5 结构采用浸入式冷却，基片和封装将浸入冷却液中。Kim 指出，目前使用的液体冷却方法存 在局限性。在 HBM4 中，液体冷却剂被注入 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自 theelec 。 韩国科学技术研究院的一位教授表示，到 2029 年左右，当 HBM5 实现商业化时，冷却技术将成为 高带宽存储器 (HBM) 市场竞争的主要因素。 韩国科学技术研究院电气工程系教授 Joungho Kim 在 KAIST Teralab（Kim 领导的该大学下属研究 小组）主办的活动中表示，目前，封装是决定半导体市场霸权的主要因素，但随着 HBM5 的出现， 这一局面将转变为冷却技术。 该 实 验 室 分 享 了 所 谓 的 2025 年 至 2040 年 HBM4 至 HBM8 的 技 术 路 线 图 。 其 中 一 些 技 术 包 括 HBM 架构、冷却方法、硅通孔 (TSV) 密度、中介层等。 Kim 表示，预计基础芯片将通过异构和先进的封装技术移至 HBM 的顶部。 该教授还表示，除了冷却之外，键合也是决定HBM性能的另一个主要因素。他表示，从HBM6开 始，将引入玻璃和硅的混合中介层。 | | | | | | Ver 1.2 / updated.250521 | | --- | --- | --- | --- | ...