公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 事实上，早在两年多以前，HBM初步崭露头角之际，海力士和三星就讨论过定制化这一趋势，伴随 着云巨头纷纷定制自己的AI芯片，对HBM的需求只增不减，定制化借此成为了必然需求之一。 在AI模型参数量呈指数级增长的时代背景下，数据中心正经历一场从"算力至上"向"带宽驱 动"的深刻变革。在这场算力架构革新的浪潮中，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存 储器）正悄然崛起，成为支撑大模型计算的核心基础设施。 步入"后AI"时代，HBM已不仅仅是高性能AI芯片（如GPU、TPU）的标配组件，更演变为半导体巨 头间激烈角逐的战略制高点。 无论是三星、SK海力士，还是美光，这些存储领域的领军企业都不约而同地将HBM视为未来营收增 长的关键引擎。它们似乎达成了一个共识：要想在存储市场称霸，就必须率先掌握HBM这一核心技 术。 那么，在这场没有硝烟的竞争中，都有哪些技术值得关注呢？让我们一起来深入分析分析。 定制化是唯一出路？ 定制化可能是HBM的最终归宿之一。 值得一提的是，由于SK海力士成功拿下了多家重量级客户，其在下一代定制HBM市场中延续主导地 位的可 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 在半导体先进封装技术加速迭代的背景下，国产 D2W 混合键合设备首次被 Yole Group 报告收录。 Yole 报告收录，亿级市场空间 混合键合技术是从焊料凸块转向铜 - 铜直接键合的先进互连工艺，通过无凸点键合实现纳米级 精度互联，解决传统微凸点技术在高密度封装中的瓶颈问题。 根 据 Yole 公 开 数 据 显 示 ， 2020 全 球 混 合 键 合 设 备 市 场 规 模 达 3.2 亿 美 元 ， 预 计 2027 年 CoW(D2W)/WoW(W2W)市场规模将分别攀升至 2.3亿/5.1亿 美元，CAGR高达 69%/16% ，凸显该 领域强劲增长潜力。 随着 AI 算力需求爆发对高密度封装的需求增加，混合键合在 HBM、3D IC 等高端封 装场景的渗透率持续提升。以HBM市场应用为例，据国泰证券引用Yole 数据，2028 年混合 键合在HBM 市场渗透率将 从 2025 年的 1% 跃升至 36% 。 图源：Yo l e ,国泰证券 国际巨头混合键合领域布局： 图源：Yole《High-End Pe rformance Packaging ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自 theelec 。 韩国科学技术研究院的一位教授表示，到 2029 年左右，当 HBM5 实现商业化时，冷却技术将成为 高带宽存储器 (HBM) 市场竞争的主要因素。 韩国科学技术研究院电气工程系教授 Joungho Kim 在 KAIST Teralab（Kim 领导的该大学下属研究 小组）主办的活动中表示，目前，封装是决定半导体市场霸权的主要因素，但随着 HBM5 的出现， 这一局面将转变为冷却技术。 该 实 验 室 分 享 了 所 谓 的 2025 年 至 2040 年 HBM4 至 HBM8 的 技 术 路 线 图 。 其 中 一 些 技 术 包 括 HBM 架构、冷却方法、硅通孔 (TSV) 密度、中介层等。 Kim 表示，预计基础芯片将通过异构和先进的封装技术移至 HBM 的顶部。 由于从 HBM4 开始，基础芯片将承担 GPU 的部分工作负载，因此基础芯片的温度升高使得冷却变 得非常重要。 HBM5 结构采用浸入式冷却，基片和封装将浸入冷却液中。Kim 指出，目前使用的液体冷却方法存 在局限性。在 HBM4 中，液体冷却剂被注入 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自 theelec 。 韩国科学技术研究院的一位教授表示，到 2029 年左右，当 HBM5 实现商业化时，冷却技术将成为 高带宽存储器 (HBM) 市场竞争的主要因素。 韩国科学技术研究院电气工程系教授 Joungho Kim 在 KAIST Teralab（Kim 领导的该大学下属研究 小组）主办的活动中表示，目前，封装是决定半导体市场霸权的主要因素，但随着 HBM5 的出现， 这一局面将转变为冷却技术。 该 实 验 室 分 享 了 所 谓 的 2025 年 至 2040 年 HBM4 至 HBM8 的 技 术 路 线 图 。 其 中 一 些 技 术 包 括 HBM 架构、冷却方法、硅通孔 (TSV) 密度、中介层等。 Kim 表示，预计基础芯片将通过异构和先进的封装技术移至 HBM 的顶部。 该教授还表示，除了冷却之外，键合也是决定HBM性能的另一个主要因素。他表示，从HBM6开 始，将引入玻璃和硅的混合中介层。 | | | | | | Ver 1.2 / updated.250521 | | --- | --- | --- | --- | ...

最近关于 HBM 的讨论越来越多，尤其是在涉及 AI 芯片领域时。HBM 即高带宽内存（High Bandwidth Memory），是一种特殊的 DRAM，通过垂直堆叠并利用硅片内名为 TSV（硅通孔，Through-Silicon Vias）的微小导线与处理器连接。TSV 技术允许直接连接多个 HBM DRAM 芯片，从而提升整体内存带 宽。 在生成式 AI 时代，内存带宽至关重要，因为模型训练往往受限于带宽而非计算能力。Transformer 模型 中的注意力机制需要存储和计算所有 token 之间的关系，内存需求与序列长度成二次方增长。类似地， 推理阶段内存也成为更大瓶颈，因为需要处理更长的上下文窗口和 Transformer 模型中扩大的键值缓存 （KV 缓存）——KV 缓存的内存消耗随 token 数量线性增长。 高速性能 ：HBM 的带宽可达每秒数 TB，比常规 DDR 内存快 20 倍以上。 低功耗 ：由于紧邻逻辑芯片，数据传输距离短，大幅节省能源。 面积效率 ：单位面积内容量密度最高。 为何 HBM 如此重要？ HBM 的核心优势如下： image-20250604192803128 SK ...

2025 年 5 月 26 日，大摩发布亚洲科技报告《Tech Bytes - 中国 HBM 差距缩小》指出， 中国在存储器领域的进步正在迅速推进，不仅在 DRAM 技术发展 上缩小与全球领先者的差距，高带宽存储器（HBM）技术也日益先进 。其目标是在 2027 年生产 HBM3/3E。近期改良版 H20 图形 GPU 的进展可能缩短 产品上市时间差。 差距缩小 ：大摩认为， 中国在 HBM3 技术发展上目前落后全球领先者 3-4 年， 这一差距需要通过提升本土 AI 芯片生产能力来弥补。与此同时 ，中国在 DRAM 技术上显著进步 ，且 在混合键合封装时代已占据强势地位 。根据长鑫存储（CXMT）进入 1z nm 工艺生产 DDR5 的情况，其 DRAM 技术差距已 从 5 年缩短至 3 年。 游戏 GPU 可能替代 HBM—— 填补 AI 推理差距的新选择 ：根据大摩的渠道调研，在新的美国出口限制之前，配备 HBM3 的 H20 GPU 曾是中国市场最 受追捧的加速器，主要用于中端计算和推理需求。 大摩认为，英伟达新推出的降级替代产品可能采用 GDDR7，不含先进封装技术（CoWoS）和 HBM ， 这意 ...

申请入围"中国IC独角兽" 半导体高质量发展创新成果征集 2024年，HBM成为半导体产业最炙手可热的产品之一。 随着AI大模型和高性能计算的狂飙突进，英伟达等巨头对HBM的需求水涨船高，内存厂的HBM订单早 已售卖一空，尤其是SK海力士，其在HBM市场占有率高达70%，更是赚得盆满钵满。 然而，就在这股浪潮背后，名为"TCB（Thermal Compression Bonding）键合机"的设备，正在悄然决定 HBM产业链的上限，不论是SK海力士，还是美光三星，都在过去一年时间里加大了设备方面的投入， 也让更多设备厂商有机会吃上这波AI红利。 什么是TCB？ 先来了解一下目前HBM芯片的键合技术。在传统的倒装芯片键合中，芯片被"翻转"，以便其焊料凸块 （也称为 C4 凸块）与半导体基板上的接合焊盘对齐。整个组件被放置在回流炉中，并根据焊料材料均 匀加热至 200ºC-250ºC 左右。焊料凸块熔化，在接合和基板之间形成电气互连。 随着互连密度的增加和间距缩小到 50µm 以下，倒装芯片工艺面临一些挑战。由于整个芯片封装都放入 烤箱中，芯片和基板会因热量而以不同的速率膨胀（即不同的热膨胀系数，CTE），从而产 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 2024年，HBM成为半导体产业最炙⼿可热的产品之⼀。 随着AI⼤模型和⾼性能计算的狂飙突进，英伟达等巨头对HBM的需求⽔涨船⾼，内存⼚的HBM订 单早已售卖⼀空，尤其是SK海⼒⼠，其在HBM市场占有率⾼达70%，更是赚得盆满钵满。 然⽽，就在这股浪潮背后，名为"TCB（Thermal Compression Bonding）键合机"的设备， 正在悄然决定HBM产业链的上限，不论是SK海⼒⼠，还是美光三星，都在过去⼀年时间⾥加⼤了 设备⽅⾯的投⼊，也让更多设备⼚商有机会吃上这波AI红利。 什么是TCB？ 先来了解⼀下⽬前HBM芯⽚的键合技术。在传统的倒装芯⽚键合中，芯⽚被"翻转"，以便其焊 料凸块（也称为 C 凸块）与半导体基板上的接合焊盘对⻬。整个组件被放置在回流炉中，并根据 焊料材料均匀加热⾄ ºC-ºC 左右。焊料凸块熔化，在接合和基板之间形成电⽓互连。 随着互连密度的增加和间距缩⼩到 µm 以下，倒装芯⽚⼯艺⾯临⼀些挑战。由于整个芯⽚封装 都放⼊烤箱中，芯⽚和基板会因热量⽽以不同的速率膨胀（即不同的热膨胀系数，CTE），从⽽产 ⽣变形，导致互连出现故障。然后， ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：本文编译自tomshardware，谢谢。 三星在韩国首尔举行的人工智能半导体论坛上透露，该公司计划在其HBM4中采用混合键合技术， 以降低发热量并实现超宽内存接口。相比之下，据EBN报道，该公司的竞争对手SK海力士可能会 推迟采用混合键合技术。 高带宽存储器 (HBM) 将多个存储设备堆叠在一个基片上。目前，HBM 堆栈中的存储芯片通常使 用微凸块（用于在堆叠芯片之间传输数据、电源和控制信号）连接在一起，并使用诸如模压底部填 充 (MR-MUF) 或非导电薄膜热压 (TC-NCF) 等技术进行键合。 这些芯片也通过嵌入每个芯片内部的硅通孔 (TSV) 进行垂直互连（通过每个 DRAM 芯片传输数 据、时钟、控制信号、电源和地线）。然而，随着 HBM 速度的提升和 DRAM 设备数量的增加， 微凸块会变得效率低下，因为它们会限制性能和功率效率。 这正是混合键合发挥作用的地方。混合键合是一种 3D 集成技术，通过键合铜与铜以及氧化物与氧 化物表面直接连接芯片，无需使用微凸块。混合键合支持小于 10 µm 的互连间距，与传统的基于 凸块的堆叠相比，可提供更低的电阻和 ...

半导体键合技术正推动3D集成与先进封装的革命性发展！作为低温键合与键合集成领域的创新引领 者， 青禾晶元 携手日本先进微系统集成研究所（IMSI）等国际权威机构，共同主办 2025中国国际低温键 合3D集成技术研讨会（LTB-3D 2025） 。这一全球顶尖学术会议将首次登陆中国，汇聚诸多国际巨头及 全球专家，共探晶圆键合技术前沿与产业应用。 技术革新 · 国际视野 · 产业赋能 L TB-3D 2025将聚焦低温键合、异质集成、先进封装等核心技术，为中国半导体产业提供与国际接轨的交 流平台。青禾晶元诚邀学术界、产业界同仁共襄盛举，加速技术创新与产业链协作！ 会议时间：2025年8月3日-4日 会议地点：中国·天津 现面向全球行业人士开放议题征集通道，同时也邀请您注册报名参与此次盛会，详情见下方会议通知： 2025 中国国际低温键合 3D 集成技术研讨会 国际低温键合 3D 集成技术 (LTB-3D) 研讨会是由日本非营利协会-先进微系统集成协会(IMSI) 主办的重要会议，该会议在技术上由美国电化学学会和 IEEE EPS 日本分会共同指导。2025 年该研讨 会将首次在中国举行，这将促进国际半导体低温键合 ...