Group 1 - The core concept of hybrid bonding technology is gaining traction among major semiconductor companies like TSMC and Samsung, as it is seen as a key to advancing packaging technology for the next decade [2][4][10] - Hybrid bonding allows for high-density, high-performance interconnections between different chips, significantly improving signal transmission speed and reducing power consumption compared to traditional methods [5][11] - The technology is particularly relevant for high bandwidth memory (HBM) products, with leading manufacturers like SK Hynix, Samsung, and Micron planning to adopt hybrid bonding in their upcoming HBM5 products to meet increasing bandwidth demands [10][12] Group 2 - TSMC's SoIC technology utilizes hybrid bonding, achieving a 15-fold increase in chip connection density compared to traditional methods, which enhances performance and reduces size [14][15] - Intel has also entered the hybrid bonding space with its 3D Foveros technology, which significantly increases the number of interconnections per square millimeter, enhancing integration capabilities [19] - SK Hynix and Samsung are actively testing and planning to implement hybrid bonding in their next-generation HBM products, with Samsung emphasizing the need for this technology to meet height restrictions in memory packaging [20][22] Group 3 - The global hybrid bonding technology market is projected to grow from $123.49 million in 2023 to $618.42 million by 2030, with a compound annual growth rate (CAGR) of 24.7%, particularly strong in the Asia-Pacific region [22]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自 theelec 。 韩国科学技术研究院的一位教授表示，到 2029 年左右，当 HBM5 实现商业化时，冷却技术将成为 高带宽存储器 (HBM) 市场竞争的主要因素。 韩国科学技术研究院电气工程系教授 Joungho Kim 在 KAIST Teralab（Kim 领导的该大学下属研究 小组）主办的活动中表示，目前，封装是决定半导体市场霸权的主要因素，但随着 HBM5 的出现， 这一局面将转变为冷却技术。 该 实 验 室 分 享 了 所 谓 的 2025 年 至 2040 年 HBM4 至 HBM8 的 技 术 路 线 图 。 其 中 一 些 技 术 包 括 HBM 架构、冷却方法、硅通孔 (TSV) 密度、中介层等。 Kim 表示，预计基础芯片将通过异构和先进的封装技术移至 HBM 的顶部。 由于从 HBM4 开始，基础芯片将承担 GPU 的部分工作负载，因此基础芯片的温度升高使得冷却变 得非常重要。 HBM5 结构采用浸入式冷却，基片和封装将浸入冷却液中。Kim 指出，目前使用的液体冷却方法存 在局限性。在 HBM4 中，液体冷却剂被注入 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自 theelec 。 韩国科学技术研究院的一位教授表示，到 2029 年左右，当 HBM5 实现商业化时，冷却技术将成为 高带宽存储器 (HBM) 市场竞争的主要因素。 韩国科学技术研究院电气工程系教授 Joungho Kim 在 KAIST Teralab（Kim 领导的该大学下属研究 小组）主办的活动中表示，目前，封装是决定半导体市场霸权的主要因素，但随着 HBM5 的出现， 这一局面将转变为冷却技术。 该 实 验 室 分 享 了 所 谓 的 2025 年 至 2040 年 HBM4 至 HBM8 的 技 术 路 线 图 。 其 中 一 些 技 术 包 括 HBM 架构、冷却方法、硅通孔 (TSV) 密度、中介层等。 Kim 表示，预计基础芯片将通过异构和先进的封装技术移至 HBM 的顶部。 该教授还表示，除了冷却之外，键合也是决定HBM性能的另一个主要因素。他表示，从HBM6开 始，将引入玻璃和硅的混合中介层。 | | | | | | Ver 1.2 / updated.250521 | | --- | --- | --- | --- | ...