氧化镓：第四代半导体的"性价比之王" 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 日前，日本厂商Novel Crystal Technology宣布，开始交付用于下一代功率半导体的150毫米（6英 寸）氧化镓（β-Ga₂O₃）晶圆样品，这一动作标志着氧化镓作为超宽禁带半导体材料，向规模化量产 迈出了关键一步。 据悉，NCT已明确后续发展路线：2027年交付150毫米β-Ga₂O₃外延片样品，2029年实现全面量产， 2035年进一步开发并供应200毫米（8英寸）β-Ga₂O₃晶圆，逐步完善氧化镓产品矩阵，抢占下一代功 率半导体市场先机。 这一动态也引发了业界对氧化镓（Ga₂O₃）材料产业化进程的再度聚焦。 Ga 2 O 3 ，属于一种单晶材料，是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料。 作为备受瞩目的下一代功率半导体材料，氧化镓实际上并非新近发现的材料，但直到近年，随着新能 源汽车、智能电网、光伏逆变器等高压场景对功率器件性能要求的持续攀升，其卓越的材料特性才被 推到聚光灯下。 据 了 解 ， 氧 化 镓 的 禁 带 宽 度 高 达 4.9eV ， 远 超 硅 材 料 的 1.1eV ， 高 于 ...

文 | 张冰冰 编辑 | 阿至 36氪获悉，镓创未来半导体科技（晋江）有限公司（以下简称「镓创未来」）近日宣布完成千万级天使轮融资，投资方包括聚卓资本--晋江人才科创基 金、芯丰泽半导体和个人投资人，资金将用于外延片产能提升，加速第四代半导体材料的产业化落地进程。 「镓创未来」成立于2025年7月，专注于第四代超宽禁带半导体材料——氧化镓外延片研发与产业化，目前已具备异质外延片小批量生产能力。公司创始 人团队均为微电子学与固体电子学博士，2015年开始投身于宽禁带半导体碳化硅和氧化镓材料与器件研究，在材料外延生长、掺杂及器件制备等全产业链 环节积累了近10年的经验。 「镓创未来」核心产品是氧化镓外延片系列，包括氧化镓同质外延片以及异质外延片产品线，涵盖蓝宝石基、碳化硅基和硅基氧化镓外延片，可以满足不 同应用场景的需求。目前已与二十余家科研机构建立合作关系，与多家半导体客户签订采购合同。 一、异质外延+自研设备，破解氧化镓产业化痛点 碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料已获广泛关注并实现应用突破。随着高功率器件性能需求的持续提升，氧化镓凭借超宽禁带、高击穿电场等优 势，被视为理想的第四代功率半导体材料。 "氧 ...