本报讯 （记者李春莲）全球NAND闪存主控芯片领导厂商慧荣科技股份有限公司（以下简称"慧荣科 技"，NasdaqGS：SIMO）于2026年1月29日宣布成功入选了科睿唯安（Clarivate）发布的"2026全球百强 创新机构"榜单。 根据相关数据，全球百强创新机构在最有价值的创意中占据了超高比例，这表明创新领导力正由"精确 性"和"战略意图"来定义。今年的榜单不仅表彰了持久的创新力，更揭示了AI处于重塑竞争优势的最前 沿——全球百强创新机构在最具影响力的AI发明中贡献占比高达16%。据悉，此前获得该荣誉的企业包 括台积电、铠侠、美光、三星、SK海力士、高通、联发科、苹果、西门子、东芝、飞利浦、丰田等全 球科技巨头。 科睿唯安作为全球领先的专业信息服务提供商，在其发布的第15份年度报告中，对那些持续推动关键技 术突破、塑造跨行业创新未来的企业进行了权威认定。这一榜单旨在表彰那些能以清晰战略驾驭复杂挑 战，并在发明质量、独创性及全球影响力方面掌握发展主动权的企业。 对于此次获奖，慧荣科技总经理兼首席执行官苟嘉章表示："创新始终是我们公司发展的核心动力。作 为全球领先的NAND闪存主控芯片供应商，我们不断追求存 ...

NAND闪存主控芯片主要开发商群联电子（Phison Electronics）的首席执行官潘健成也表示，消费电子制造商的处境可能会更加艰难。他说，"来自服务器 和AI的需求极强，我们预计NAND闪存价格将在2026年持续大幅上涨，但许多消费电子制造商可能无法消化这种涨幅。" 集邦咨询最新调查认为，2026年第一季度，一般型DRAM合约价将季增55-60%。三星、SK海力士、美光等生产商将先进制程、产能转移至生产用于AI服 务器的HBM，导致其他市场供给紧缩。而NAND Flash则因生产商控管产能，和服务器强劲拉货排挤其他应用，预计各类产品合约价将上涨33-38%。 | | 4Q25 | 1Q26E | | --- | --- | --- | | Total DRAM | Conventional DRAM: up 45~50% HBM Blended: up 50~55% | Conventional DRAM: up 55~60% HBM Blended: up 50~55% | | Total NAND Flash | up 33~38% | up 33~38% | 存储芯片市场"前所未有"的供应紧缩， ...