如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 wccftech ，谢谢 。 在半导体新元素的采用方面，台积电多年来一直是先驱，并经常引领潮流。但现在，该公司似乎将 放弃在其 A14 工艺中使用高数值孔径 EUV 光刻设备，而是采用更传统的 0.33 数值孔径 EUV 技 术。这一消息是在数值孔径技术研讨会上透露的，台积电高级副总裁Kevin Zhang在会上宣布了这 一进展。由此可以肯定地说，英特尔代工厂和几家 DRAM 制造商现在在"技术"上比台积电更具优 势。 Kevin 表示，台积电将不会使用High NA EUV光刻技术来对A14芯片进行图案化，该芯片的生产 计划于2028年开始。从2纳米到A14，我们不必使用High NA，但我们可以在处理步骤方面继续保 持类似的复杂性。他指出，每一代技术，我们都尽量减少掩模数量的增加。这对于提供经济高效的 解决方案至关重要。 台积电认为高数值孔径 (NA) 对 A14 工艺无关紧要的主要原因是，使用相关的光刻工具，这家台 湾巨头的成本可能会比传统的 EUV 方法高出 2.5 倍，这最终将使 A14 节点的生产成本大大提 高，这意味着其在消费产品中的 ...