SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展，将于2025年9月10-12日在深圳国际 会展中心举办。这不止是一场半导体产业的展会，更是洞察2025年产业变革的核心风向 标！以全新姿态重磅升级，倾力呈现一场前所未有的行业盛会！ 强强联手，开拓新局面 SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展由深耕行业26载的CIOE中国光博会携手集 成电路创新联盟主办，爱集微与深圳市中新材会展有限公司承办，推动展会规模及影响力实现全 面跃升！在与CIOE中国光博会同期举办后，双展规模将到达30万平米，5000家展商展示最新产 品与技术，吸引超16万专业观众前来参观、采购及商贸洽谈，深度融合"光电子+半导体"产业， 扩大协同效应，将为参展企业与应用行业带来更多跨界合作机遇。 三大主题展示，纵览集成电路全产业链 展会以 "IC设计与应用""IC制造与供应链""化合物半导体" 为三大核心主题，全面覆盖设计、制 造、封测、设备、材料、EDA/IP、零部件等全产业链生态，构建完整产业图景。 IC设计与应用 汽 车 电 子 芯 片 安 全 芯 片 智 能 穿 戴 芯 片 计 算 芯 片 工 业 控 制 芯 片 ...

过去一年，香港特区政府继续积极推动与内地城市和海外包括"一带一路"国家及地区的创科交流合作。 包括今年4月与斯洛伐克共和国政府签订鼓励两地科研机构、科技人才及企业加强科研合作及技术创新 成果转移的合作备忘录。香港生产力促进局亦于今年4月成立助力企业出海拓展包括"一带一路"市场 的"The Cradle出海服务中心"。未来香港将会继续透过举办和参与更多国际展会，以及联同三大创科园 区和生产力局安排企业互访等，加强与海内外包括"一带一路"国家及地区的创科交流与合作。 在北京访问期间，张曼莉联同香港微电子研发院院长高腾博士先后考察了多家主营半导体制造设备、高 端半导体芯片、芯片良率管理的领军企业，以及新能源汽车智能制造工厂。张曼莉听取了这些企业介绍 内地半导体和新能源汽车相关产业的最新研发技术，并鼓励内地企业通过香港高度国际化的营商环境， 以及香港"内联外通"的独特优势，拓展国际科研合作、中试生产及海外业务。 张曼莉说，香港特区政府一直以来十分重视半导体芯片等先进技术的发展，在2022年公布《香港创新科 技发展蓝图》，明确提出要聚焦发展人工智能与机械人、先进材料和新能源等新兴策略性产业，尤其聚 焦半导体及新能源汽车 ...

中国基金报记者 郭玟君 据张曼莉透露，目前，微电子研发院已完成组建核心团队，第一期设备年内将开始安装调 试，预计两条中试线明年将投入运作。张曼莉表示，许多企业认为当前半导体领域飞速发 展，香港打造微电子中心及微电子研发院具有极高的战略意义，可有效发挥重要的技术牵引 和成本分摊作用，并产生产业集聚效应。 校对：王玥 制作：舰长 审核：木鱼 7月25日，记者从香港特区政府创新科技及工业局（以下简称香港创科局）获悉，香港创科局 副局长张曼莉在香港特区政府律政司司长率领下，与香港特区政府多个局和部门的代表，出 席了香港特区政府与国家发改委及相关中央部委在北京举行的支持香港全面参与和助力"一带 一路"建设联席会议第八次会议，汇报香港特区政府在创科方面，参与和助力"一带一路"建设 工作的进展和未来重点。 过去一年，香港特区政府继续积极推动与内地城市和海外包括"一带一路"国家及地区的创科 交流合作。包括今年4月与斯洛伐克共和国政府签订鼓励两地科研机构、科技人才及企业加强 科研合作及技术创新成果转移的合作备忘录。香港生产力促进局亦于今年4月成立助力企业出 海拓展包括"一带一路"市场的"The Cradle出海服务中心"。未来 ...

炒股就看金麒麟分析师研报，权威，专业，及时，全面，助您挖掘潜力主题机会！ 出品：新浪财经上市公司研究院 作者：喜乐 近日，广东天域半导体股份有限公司Guangdong Tianyu Semiconductor Co., Ltd.（以下简称"天域半导体"）在港交所递交招股书，拟在香港主板挂牌上市，中 信证券担任独家保荐人。公司已于2025年6月12日获得证监会备案，预计将于近期通过港交所聆讯，并启动发行上市。根据招股书，本次港股IPO募集资金 将用于：1）未来五年内用于扩张整体产能，从而提升市场份额及产品竞争力；2）未来五年内用于提升自主研发及创新能力，以提高产品质量及缩短新产品 的开发周期，从而更迅速地回应市场需求；3）战略投资及╱或收购，以扩大客户群、丰富公司的产品组合及补充公司的技术，从而实现长远发展策略；4） 扩展全球销售及市场营销网络；5）营运资金及其他一般企业用途。 作为国内碳化硅外延片产业化"先行者"，天域半导体3年估值增长近17倍——然而，与高估值形成对比的是，其业绩呈现剧烈波动——2024年营收同比腰斩 至5.2亿元，净亏损达5亿元，同时还面临3.52亿元存货减值、5.64亿元应收账款坏账计提 ...

芯东西7月24日报道，7月22日，中国首家碳化硅外延企业天域半导体递表港交所。 | 項下 编纂 數目 | | : [编纂]股H股(視乎[编纂]行使與否而定) | | --- | --- | --- | | 编纂 数目 | .. | 编纂]股H股(可予重新分配) | | 编纂 數目 | … | 编纂]股H股(可予重新分配及視乎[编纂]行使與否而 | | | | 定) | | 最高 编纂 : | | 每股H股[編纂]港元,另加1.0%經紀佣金、0.0027% | | | | 證監會交易徵費、0.00565%聯交所交易費及 | | | | 0.00015%會財局交易徵費(須於I編纂]時以港元 | | | | 繳足,多繳股款可予退回) | | 面值 | : : | 每股H股人民幣1.00元 | | ■纂 | | 【编纂】 | 根据弗若斯特沙利文资料，天域半导体2024年在中国碳化硅外延片行业的收入及销量均排名第一。 截至2025年5月31日，天域半导体6英寸及8英寸外延片的年度产能约为42万片，使其成为中国具备6英吋及8英吋外延片产能的最大公司之一。 天域半导体于2009年1月7日在广东东莞成立，填补了国内产业链的空 ...

Core Viewpoint - ChipLink Integrated announced a plan to acquire 72.33% of ChipLink Yuezhou Integrated Circuit Manufacturing Co., Ltd. for a transaction price of 5.897 billion yuan, aiming for full control and resource integration in high-end semiconductor fields [1][2] Group 1: Acquisition Details - The acquisition will allow ChipLink Integrated to fully control ChipLink Yuezhou, enhancing its core competitiveness in power semiconductors, silicon carbide (SiC), and high-voltage analog ICs [1] - The transaction involves 15 counterparties and is valued at 5.897 billion yuan [1] Group 2: ChipLink Yuezhou's Capabilities - ChipLink Yuezhou has a monthly production capacity of 70,000 8-inch IGBTs and silicon-based MOSFETs, and 8,000 6-inch SiC MOSFETs, positioning it as a pioneer in the domestic automotive-grade SiC power device industry [1] - Over 90% of ChipLink Yuezhou's SiC MOSFET products are used in the main drive inverters of new energy vehicles, with the company leading domestic shipments in 2023 and the first half of 2024 [1][2] Group 3: Strategic Implications - The acquisition will enable ChipLink Integrated to optimize management efficiency and increase investment in high-value areas such as SiC MOSFETs, VCSELs (GaAs), and high-voltage analog ICs [2] - The company aims to capitalize on the rapid growth in demand for SiC devices in the new energy vehicle, photovoltaic, and energy storage markets, solidifying its leading position in the third-generation semiconductor sector [2]

Core Viewpoint - The power discrete device market is experiencing structural adjustments driven by semiconductor technology advancements and the new energy revolution, with significant growth expected in 2024 and beyond [1][11][13]. Industry Overview - Power discrete devices are independent semiconductor components used for energy conversion and control, capable of handling high voltage and current, and are widely applied in power management, motor drives, and new energy systems [2][4]. - The market is categorized into diodes, transistors, thyristors, and wide bandgap devices, with materials divided into silicon-based and third-generation semiconductors (SiC/GaN) [2][4]. Market Dynamics - The global power discrete device market is projected to grow at a compound annual growth rate (CAGR) of approximately 12%, reaching a market size of 48 billion yuan in 2024, driven by strong demand from the new energy vehicle sector [1][13]. - In 2023, despite a slowdown due to a decline in consumer electronics, high-end devices like automotive-grade IGBTs and SiC MOSFETs maintained over 20% growth [11][13]. Competitive Landscape - The Chinese power discrete device industry features a "pyramid" competition structure, with leading companies like Anshi Semiconductor and BYD Semiconductor at the top, followed by companies like Silan Micro and Huazhong Micro [17][19]. - The domestic market has achieved over 60% replacement rate in mid-to-low-end segments, but high-end sectors still face technological barriers [17][22]. Development Trends - The industry is witnessing three core trends: accelerated penetration of third-generation semiconductor technologies (SiC/GaN), deepening domestic replacement processes, and diversification of application markets [21][22]. - The market for SiC MOSFETs is expected to grow over 30% in 2024, with significant advancements in manufacturing yields and technology [21][22]. - The demand for power discrete devices is increasingly driven by new energy vehicles, photovoltaic energy storage, and industrial control, with expectations of over 10 million new energy vehicles sold by 2025 [21][23].

大功率充电设施建设，核心价值远不止于"快"。一方面，可释放新能源汽车市场潜力。从用户体验 角度看，更高的充电效率意味着更少的"里程焦虑"。另一方面，能提升新能源车辆运营效率。对出租 车、网约车、物流车等高频使用车辆来说，显著缩短补能时间，可以提高运营效益。 新能源汽车"里程焦虑"有望逐步消除。近日，国家发展改革委、国家能源局等4部门印发《关于促 进大功率充电设施科学规划建设的通知》(以下简称《通知》)，提出稳步构建布局合理、品质升级、技 术先进的大功率充电基础设施体系，适时打造一批具有示范作用的大功率充电应用城市与高速走廊，力 争到2027年底，全国范围内大功率充电设施超过10万台。这是国家层面针对新能源汽车发展痛点精准施 策的关键一步。 当前，新能源汽车用户尤其是长途出行者，面临充电等待时间长、体验不佳的困境。节假日出行高 峰期间，高速公路服务区充电桩排队现象严重。此外，充电桩数量不足、分布不均、部分设备老化或损 坏等问题也较为突出。 如何提升充电效率？建设大功率充电设施是一个重要路径。电动汽车充电时间主要取决于车辆电池 容量与充电桩充电功率。这就好比用水龙头接水，普通充电桩是"小水流"，大功率充电桩是"大 ...

行业估值方面，半导体行业市盈率（TTM）平均值为26.15倍，行业中值7.36倍。英诺赛科市盈率-29.8 倍，行业排名第15位；其他中电华大科技（00085.HK）为4.77倍、AV CONCEPT HOLD（00595.HK） 为6.77倍、元续科技（08637.HK）为7.36倍、芯智控股（02166.HK）为8.33倍、靖洋集团（08257.HK） 为11.53倍。 资料显示，英诺赛科(苏州)科技股份有限公司是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与 制造的高新技术企业,采用IDM(Integrated Device Manufacture)全产业链模式,建立了全球首条产能最大的 8英寸GaN-on-Si晶圆量产线。公司核心技术团队由众多资深的国际一流半导体专家组成,公司相信GaN 可以改变世界,公司的目标是以更低的价格,向客户提供品质一流、可靠性优异的GaN器件,并且实现GaN 技术在市场的广泛应用。 （以上内容为金融界基于公开消息，由程序或算法智能生成，不作为投资建议或交易依据。） 本文源自金融界 7月16日，截至港股收盘，恒生指数下跌0.29%，报24517.76点。英诺赛科（02577 ...

Core Viewpoint - The article highlights the rising prominence of Gallium Nitride (GaN) technology in various sectors, particularly in data centers and automotive applications, while Silicon Carbide (SiC) faces challenges. The power GaN market is projected to grow significantly, with a forecasted compound annual growth rate (CAGR) of 41% from 2023 to 2029, reaching over $2 billion [1]. Group 1: GaN Market Dynamics - NVIDIA is leading the transition to 800 V HVDC data center power infrastructure, which will significantly utilize GaN technology [1]. - Yole Group predicts that the power GaN market will grow tenfold from 2023 to 2029, driven by its higher switching frequency and power density, as well as reduced energy loss [1]. Group 2: TSMC's Shift in GaN Production - TSMC announced it will cease GaN foundry production by July 2027, citing low profit margins and a shift in focus towards advanced logic processes [6]. - This decision has forced existing customers to seek new partnerships, indicating a significant shift in the GaN foundry landscape [6]. Group 3: GaN Production Challenges and Opportunities - InnoScience, a leading domestic GaN manufacturer, emphasizes the importance of 8-inch wafer production for cost-effectiveness and scalability, arguing that 6-inch production is not viable for large-scale applications [7]. - The transition to 12-inch GaN production is seen as feasible but requires significant preparation and experience from 8-inch production [10][12]. Group 4: GaN Applications Beyond Consumer Electronics - GaN technology is not limited to consumer electronics; it has potential applications in electric vehicles (EVs) and data centers, with partnerships like that with CATL showcasing its capabilities [15][17]. - The article discusses the potential for GaN in smart and electric vehicles, highlighting its role in energy management and as part of distributed energy systems [16]. Group 5: Strategic Collaborations - InnoScience's collaboration with STMicroelectronics aims to enhance GaN power solutions across various sectors, leveraging each company's strengths to improve supply chain resilience [18]. - The partnership is expected to expand GaN product offerings and market capabilities, indicating a strategic move to solidify positions in the growing GaN market [18].