公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内 容 编译自 businesskorea 。 三星电子第二季度业绩下滑主要源于其半导体业务的糟糕表现，该业务占其整体利润的50-60%。高带宽存储器（HBM） 等高容量、高附加值存储器产品由于持续存在的技术问题，未能从蓬勃发展的人工智能（AI）领域中获益。晶圆代工（代 工芯片制造）和系统LSI业务也因未能获得主要客户而持续大幅亏损。然而，随着英伟达HBM在第三季度获得量产批准的 可能性增加，以及上半年积累的存储器库存得以清理，业绩反弹的预期正在增强。 据业内人士7月8日透露，三星电子设备解决方案部门（DS）预计第二季度销售额将达到27万亿韩元，营业利润约为1万亿 韩元。一些金融投资业内人士认为，DS部门的营业利润可能会降至4000亿韩元。 最痛点在于HBM需求未能得到满足。去年，三星电子未能向全球最大的AI芯片公司英伟达供应第五代HBM（HBM3E）， 今年又未能按时交付12层产品，导致性能没有显著提升。 本季度存货估价损失准备的反映也是业绩下滑的主要原因。业界估计，DS部门的存货估价损失准备约为1万亿韩元。存货 估价损失准备是一种成本概念，反映的是产品 ...

尤其是三星电子，自第一季度末以来大幅提高了其HBM3E 12层存储器的产量。这是一种预先确保库 存的策略，预计与英伟达的质量测试计划将在6月左右完成。AMD最新AI加速器（例如MI325X和 MI350X）的HBM3E 12层存储器的供应也产生了影响。 因此，三星电子今年第二季度HBM3E 12层硅片的产量预计平均每月7万至8万片。 然而，据悉三星 电子在第二季度末大幅减少了晶圆投入，目前的产量为每月3万至4万片。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容编译自zdnet。 据悉，三星电子已于第二季度末减少了12层HBM3E（第五代高带宽存储器）的产量。三星电子原本 计划在今年年中向英伟达供应该产品，但随着谈判的拖延，下半年需求的不确定性加剧。因此，据悉 该公司已恢复保守的经营政策，以降低库存突然激增的风险。 据业内人士2日透露，三星电子近日被查明已将其HBM3E 12层量产线的开工率降至之前的一半。 HBM3E 12层是目前商业化HBM中最先进的产品，三星电子已在位于平泽的P1和P3生产线上量产 HBM3E 12层。 主要原因分析为，向NVIDIA供应HBM3E 12层存储器的不确定性增加 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容来自 businesskorea & chosun 。 据悉，晶圆代工部门每季度亏损高达数万亿韩元，该部门也分享了订单战略。在台湾地区，与台积电 的差距正在扩大，但与后来者的差距正在缩小，因此，为了保住市场份额，争取客户至关重要。 据市调机构TrendForce数据显示，今年第一季度三星电子晶圆代工市场份额为7.7%，较上一季度下 降0.4个百分点，与行业龙头台积电（67.6%）的差距有所扩大，而与中国中芯国际（6%）的差距有 所缩小。 据报道，系统LSI方面，双方正在就三星电子下个月即将推出的折叠式智能手机"Galaxy Z7系列"中 将采用的应用处理器（AP）"Exynos 2500"等下一代产品进行讨论。 就三星电子的内存部门而言，今年第一季度，其DRAM市场第一的位置时隔33年首次被SK海力士夺 走，竞争力下降。美国美光公司和中国的长鑫存储（CXMT）也在迅速逼近三星电子，危机感日益加 剧。 据悉，三星电子正集中讨论以HBM为中心的复苏措施。三星电子DRAM竞争力和市场份额的下滑， 普遍认为是HBM业务的失误。 13日，三星电子正式向美国科技巨 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 sedaily ，谢谢 。 三星电子已确定了三年内量产垂直通道晶体管（VCT）DRAM（即所谓的下一代存储器）的路线 图。竞争对手公司SK海力士这被解读为蕴含着提前一代成功实现量产、挽回"超级差距"地位的意 志。 据业内人士27日透露，三星电子半导体（DS）部门管理层已经敲定了这一路线图，并已开始认真 开展该产品的量产工作。 VCT DRAM是指存储元件中控制电流流动的晶体管垂直排列的产品。它被认为是一个"游戏规则改 变者"，通过放置比现有平放方法更多的晶体管，可以实现高容量。但这种方法比现有工艺要困难 和复杂得多。突破技术壁垒并不容易，因为它不仅需要制造存储器件的前期工艺，还需要现有 DRAM工艺中未曾用到的先进封装工艺。 三星电子目前正在量产10㎚（纳米，十亿分之一米）级第五代DRAM，并计划今年量产第六代。 在确定明年开发第 7 代 DRAM 的计划后，该公司对第 8 代 (1e) DRAM 和全新方法 VCT DRAM 进行了权衡，最终决定采用 VCT DRAM 方法。据悉，SK海力士已制定了第七代→1nm级第一代 （0a）→垂直DRAM（ ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自经济日报 ，谢谢。 三星电子宣布成立一个工作组，致力于推进第七代 DRAM 的量产。这一举措被视为潜在的游戏规 则改变者，旨在颠覆高带宽内存 (HBM) 领域及其他领域的当前动态。这一声明是在业内竞争对手 SK Hynix 和美光的激烈竞争中发布的，这两家公司都在 DRAM 技术方面取得了重大进展。 去年，SK海力士完成了第六代DRAM（D1c）的开发，并于8月对D1d进行了工艺可靠性评估。该 公司目前已确保该代产品的量产能力，并计划从今年下半年开始将其应用于通用DRAM。在去年 1 月举行的业绩发布会上，SK 海力士强调了其战略投资，旨在提高产量，以应对未来的 HBM 供应 形势。 SK海力士相关人士表示："未来我们将把1c纳米工艺应用于HBM4E，通过及时开发和供应 来保持市场领先地位。" 与此同时，美光公司上个月也通过向潜在客户运送基于"1γ"（伽马）的 DDR5 样品引起轰动，这 与他们在 D1c 技术方面的进步相一致。尽管在第五代 DRAM 方面最初落后于三星电子，但 SK 海力士和美光去年都成功将 D1b 商业化。 三星决定停止生产较旧的 1 ...