SOCAMM 是由NVIDIA 构思的记忆体模组，由16 个堆叠成四组的LPDDR5X 芯片组成。虽然 HBM 是 AI GPU 的 DRAM ， 但 SOCAMM 是 一 种 连 接 到 中 央 处 理 器 （ CPU ） 的 DRAM 。 尽 管 SOCAMM连接到掌控整个系统的CPU，但其主要作用是辅助支援，确保AI 加速器达到峰值效 能，而SOCAMM 预期将纳入NVIDIA 明年发表的下一代AI 加速器「Rubin」中。 与HBM 透过垂直钻孔的方式连接DRAM 不同，SOCAMM 采用「打线接合」（wire bonding）的 方式制造，以铜线连接16 颗芯片。由于铜的热传导性高，能将每颗DRAM 芯片的发热量降至最 低。美光曾宣称其最新低功耗DRAM 的电源效率比竞争对手高20%。 NVIDIA 的下一代AI 伺服器将配备四个SOCAMM 模组。以LPDDR5X 芯片数量计算，相当于 256 颗芯片。业界认为，美光较晚采用极紫外光（EUV）曝光设备，反而成为能早于三星与SK 海 力士供货的原因。这意味着，美光不像竞争对手轻易以EUV 提升DRAM 效能，而是透过设计结构 的创新，在提升记忆体效能 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 2月26日，美光宣布已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代CPU设计的 1γ(1- gamma) 第六代 (10纳米级) DRAM节点DDR5内存样品。 在半导体行业的激烈竞争中，美光率先量产第六代 DRAM 芯片的消息，一时间引发业界关 注。这一突破性的进展，不仅展示了美光在技术研发上的强大实力，也为其在未来的市场竞争 中赢得了先机。 一直以来，三星和SK海力士在DRAM市场中占据着重要地位，而美光此次成功突围，率先推出 第六代DRAM芯片，或将打破原有的市场格局。 DRAM角逐： 美光反超三星和SK海力士 美光此次推出的1γ DRAM，在性能方面实现了全方位的突破，每一项提升都直击当下科技发展的痛 点与需求。 据了解，美光1γ DRAM节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧AI设备（如AI PC、智能手机和汽车）等未来计算平台的创新发展。美光1γ DRAM节点将首先应用于其16Gb DDR5 DRAM产品，并计划逐步整合至美光内存产品组合中，以满足AI产业对高性能、高能效内存 解决方案日益增长的需求。 美光基于1γ节点的16Gb DDR5产 ...