一、行情回顾 市场全天震荡调整，创业板指尾盘跌超1%，北证50指数跌超6%。银行股逆势走强，浦发银行、江苏银行、成都银行等多只银行股创历史新高。下跌方面， 宠物经济等新消费方向走低，可靠股份等跌超10%；高位股继续调整，苏州龙杰等跌停。个股跌多涨少，沪深京三市下跌个股近4500只，今日成交1.14万 亿。 二、当日热点 1.氮化镓 2.军工 军工板块今日反弹，四创电子、烽火电子等涨停。 据智通财经报道，第55届巴黎航展定于6月16日-22日举办，中国航空学会将携手20家航空航天企业组成中国展团规模参展，有消息称歼10后续或将亮相巴黎 航展。 此外，在第十五届中国航展上，"九天"察打一体无人机首次亮相就备受关注，预计今年6月底完成首飞任务。 氮化镓板块今日异动，中超控股、中恒电气、海特高新等多股涨停。 当地时间5月21日，纳微半导体公司宣布与英伟达合作开发下一代800V高压直流(HVDC)架构，为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持的"Kyber"机架级系统 供电。纳微的氮化镓和碳化硅技术将在这一合作中发挥关键作用。 美股盘后，纳微股价一度暴涨200%。 | 股票名称 | | 最新价 = | 涨跌幅 ...

近期，"行家说三代半"关注到，国内外又将新增2条8英寸SiC产线： 株洲中车： 8英寸SiC晶圆线有望年底通线 5月21日， 据证券时报网报道， 科创板细分行业集体业绩说明会之先进轨道交通行业专场于上证路演 中心召开， 参会公司有 株洲中车等。 会上， 株洲中车 董事长、执行董事李东林向投资者透露， 株洲三期碳化硅产线 于2024年 11月份启动建设，2025年5月实现主体厂房封顶，预计2025年下半年启动设备搬入，2025年底有望实现产线拉 通，该项目为8英寸SiC晶圆。 此外， 株洲中车还 拥有一条6英寸SiC芯片产线，当前已具备年产2.5万片6英寸SiC芯片产能。 技术方面， 株洲中车 第三代精细 平面栅 SiC 产品已定型，技术水平行业主 流；第四代沟槽栅设计定型，达行业先进水平，并且对第五代SiC技术完成布局。目前SiC重点产品包括3300V高 压平面栅SiC MOSFET、1200V精细平面栅SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V沟槽栅 SiC MOSFET性能指 标基本对标国际龙头企业。 产品及合作方面， 株洲中车研发制造的 SiC MOSFET覆盖650V-6500V电压等级， ...

插播： 英诺赛科、能华半导体、致能科技、 万年晶半导体、京东方华灿、镓奥科技、鸿成半导体及中科无线半导体等企业已参编《2024-2025 氮化镓 （GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。 在GaN功率器件场景化爆发的关键窗口期，京东方华灿以消费类GaN功率器件通过 1000H 可靠性为起点，正式开启"消费级普及、工业级深化、车规级突破"的三级跃迁战略。作为全球化合物半导体领域 的技术先驱，我们以标准化能力为根基，以 IDM 全链创新为引擎，为全球客户提供覆盖全场景的"中国 芯"解决方案。 。 外延 ：京东方华灿基于自主研发的GaN外延结构，器件的横向BV 从1400V 提升至2000V+ ，有效提高器件可靠性裕量；并已经开启 1200V GaN的产品技术储备 工艺线：随着流片通量提高，制造稳定性，产品良率不断提升，进一步保障批量出货能力。 京东方华灿致力于成为全球化合物半导体创新引领者，在GaN功率器件从"技术竞赛"转向"场景落地"的产业 转折点，京东方华灿以消费级器件的1000H可靠性通过为支点，持续突破技术边界与市场边界。未来，我们将 以"消费-工业-车用"三级跃 ...

5月22日，数据中心、电源、氮化镓等多个相关板块集体大涨。中恒电气、万控智造、中超控股、海特高新等纷纷涨停，希荻微、开勒股份、派瑞股份、欣 锐科技、麦格米特、欧陆通、动力源等集体走强。 一、行情 | 股票名称 | 最新价 ◆ | 涨跌幅 ◆ | 涨停时间 ◆ | | --- | --- | --- | --- | | 中恒电气 | 17.28 | +9.99% | 09:30:12 | | 002364.SZ | | | | | 万控智造 603070.SS | 14.56 | +9.97% | 09:46:23 | | 开勒股份 | 68.10 | +10.97% | | | 301070.SZ | | | | 二、事件：两家拥抱英伟达的美股公司双双大涨+数据中心基础设施领域迎来重大技术飞跃 1）当地时间5月21日，纳微半导体公司宣布与英伟达合作开发下一代800V高压直流(HVDC)架构，为包括RubinUltra在内的GPU提供支持的"Kyber"机架级系 统供电，纳微的技术将一定程度上大幅提升能效并降低铜材使用量。纳微的氮化镓和碳化硅技术将在这一合作中发挥关键作用。 美股盘后，纳微股价一度暴涨200%。 ...

Core Viewpoint - InnoCare (02577.HK) shares rose nearly 15% as the company engages in the sales of gallium nitride power semiconductor products, with reports indicating that Nexperia's collaboration with NVIDIA will play a crucial role in gallium nitride and silicon carbide technologies [1] Company Summary - InnoCare is involved in the sales of gallium nitride power semiconductor products [1] - The company's stock experienced a significant increase of nearly 15% [1] Industry Summary - The collaboration between Nexperia and NVIDIA is expected to enhance the development of gallium nitride and silicon carbide technologies, which are critical for the semiconductor industry [1]

| 插播： | 英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、 | | --- | --- | | 京东方华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体及 | 中科无线半导体 | | 等企业已参编《2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研白皮书》， | | | 参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。 | | 5月18日，华润微电子在官微透露， 华润微电子功率器件事业群润新微电子在大连举办 氮化镓 亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式，华润微电子副总裁庄恒前，华润微电子功率器件事业群总经理李超， 润新微电子总经理梁辉南等领导及员工代表出席仪式。 在仪式现场，润新微 电子 展示了其最新的技术成果和系列产品，举行了亿颗芯片出货庆典，庆祝 GaN 芯片成功出货一亿颗。 与此同时， 华润微电子及功率器件事业群管理层、 润新微电子管理团队、大连高新区有关领导、 项目建设代表共同为外延生产基地通线剪彩。 据了解，润新微电子外延生产基地从立项到建成仅用九个月，采用了前沿的工艺技术和创新理念，致力于 打造国内一流、国际领先的外延片生产基地。 基地升级投产后，润新微将能够为市场提供更加优质、高效 的GaN芯片产品，满足国内日益 ...

报道称， 古瑞瓦特NEXA 2000系统通过GaN材料的应用，在逆变器性能上实现显著提升。该设备可承载20A的组串 电流，支持匹配650W高功率光伏组件，整套系统的太阳能输入容量达到2600W。 与传统硅基逆变器相比，氮化镓技术使得逆变器体积更小、效率更高，同时降低了系统发热量。该一体化系统内置2kWh 储能模块，并可通过扩展电池组将总容量提升至8kWh。目前该产品已在德国市场正式上市，售价约750欧元（约6000人民 币）。 随着全球能源转型加速，氮化镓在光储领域愈发展现出独特优势，众多GaN企业均积极通过旗下方案推动产业升级。以 英诺赛科 为例，他们已推出 基于氮化镓技术开发的2kW微型逆变器方案，采用Flyback+H桥逆变器架构，搭配 150V/650V GaN器件，可在屋顶光伏等场景中实现更高功率密度与效率。 终端应用方面，据《 2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研白皮书 》阶段性调研统计， 目前已有昱能科技、移族、大 恒能源等 十余家 企 业已 实现GaN光储产品量产，覆盖从太阳能光伏到工业级储能全场景。 | 插播： | 英诺赛科、能华半导体、致能科技、京东方华灿光电、镓奥科 | | -- ...

投资逻辑 3）客户和技术优势：公司主要客户涵盖了全球知名消费电子品牌、 数据中心运营商以及汽车和电动汽车制造商等。根据公司公告， 2024 年，公司车规级产品出货量同比增长 986.7%；AI 领域 48V 转 12V 产品量产，AI 及数据中心产品出货量同比+669.8%，公司 在汽车和 AI 等新兴领域不断突破，核心竞争优势有望加大。 盈利预测、估值和评级 预测公司 25~27 年分别实现营收 13.20/22.08/34.52 亿元，同比 +59%/+67%/+56%，25-26 年分别亏损 5.65/1.45 亿元，25-26 年 分别减亏 46%和 74%，预计 27 年实现归母净利润 2.38 亿元（同 比+265%）。公司的市占率行业领先，IDM 模式能够更好的实现协 同作用，未来有望率先受益于 GaN 渗透率的提升，给予 2025 年 35xPS，目标价 52.55 港币，首次覆盖给予"买入"评级。 风险提示 国际出口管制和经济制裁；市场竞争加剧；产品迭代不及预期； 限售股解禁。 公司是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓（GaN-on-Si）研发与 产业化的高新技术企业，采用 IDM 模式，集芯 ...

插播： 倒计时7天！ 三 菱 电 机 、 意 法 半 导 体 、 Wolfspeed、三安半导体、天科合达、元山电子、大族半导体、香港大学、长飞先进、宏微科技、 利普思、昕感科技、国扬电子、国基南方、芯长征、合盛新材料、瀚天天成、芯研科、国瓷功能材 料等邀您参加上海"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"，点击文章底部 "阅读原 文" 即可报名参会。 韩国 APRO Semicon ： 龟尾工厂 开始量产 8 英寸氮化镓外延片； 印度 Polymatech：投资9.3亿 建设 GaN 芯片工厂。 APRO Semicon 表示，他 们将通过大规模设施投资和技术研发，以提高工艺设计及制造等各个方面的实 力，并 跃升为全球GaN功率半导体市场的关键公司。 近期，"行家说三代半"发现，业界有2个氮化镓项目正在加速推进： APRO Semicon： 8英寸GaN工厂开始量产 近日，据韩 国电子时报等媒体报道， APRO Semicon的 龟 尾新工厂 已开始 量产 8 英寸氮化镓外延片。 图：APRO 报道进一步透露，该工厂已于 去年 12 月竣工，开始生产 用于 650V 功率半导体的"硅基氮化镓"外延 ...

插播： 倒计时7天！ 三菱电机、意法半导 体、Wolfspeed、三安半导体、天科合达、元山电子、大族半导体、香港大学、长飞先进、宏微科 技、利普思、昕感科技、国扬电子、国基南方、芯长征、合盛新材料、 瀚天天成、 芯研科、 国瓷功 能材料等邀您参加上海 "电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"，点击文章底部 "阅读 原文" 即可报名参会。 除三安半导体外，会议还邀请了 三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、天科合达、元山电子、大族半导 体、香港大学、长飞先进、宏微科技、利普思、昕感科技、国扬电子、国基南方、芯长征、合盛新材料、 瀚天天 成、 芯研科、 国瓷功能材料等 行业领 军企业&机构参与，将共论产业发展，再 谱产业新章。 大会现已开放报名渠道，因会议 名额有限 ，先到先得，欢迎各位行 家 扫码报名 参会，期待与你在上海相会！ 本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。 其他人都在看： 长城为何联手英诺赛科？解密背后的GaN技术创新 5月15日， "行家说三代半"将在上海召开 "电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会" ，三安半导体 已正式确认 出席本次 ...