证券代码：002213 证券简称：大为股份 公告编号：2025-041 深圳市大为创新科技股份有限公司 本公司及董事会全体成员保证信息披露内容的真实、准确和完整，没有虚 假记载、误导性陈述或重大遗漏。 一、本期业绩预计情况 （一）业绩预告期间：2025 年 1 月 1 日-2025 年 6 月 30 日 （二）业绩预告情况： 项 目 本报告期 上年同期 亏损：1,080 万元–1,320 万元 归属于上市公司 亏损：1,024.67 万元 股东的净利润 比上年同期下降：5.40%–28.82% 亏损：600 万元–820 万元 基本每股收益 亏损：0.0455 元/股–0.0556 元/股 亏损：0.0434 元/股 注：本格式中的 "元"、"万元"均指人民币元、万元。 二、与会计师事务所沟通情况 本次业绩预告未经过注册会计师预审计。公司已就本次业绩预告有关事项与 年报审计会计师事务所进行了预沟通，公司与会计师事务所在本次业绩预告方面 不存在重大分歧。 三、业绩变动原因说明 报告期内，公司持续推进"新能源+汽车"、"半导体存储+智能终端"两大 业务；在汽车零部件领域，公司积极响应国家"一带一路"倡议，通过与全 ...

晨会纪要 第一创业证券研究所 核[心Ta观bl点e_：Summary] 证券研究报告 点评报告 2025 年 7 月 1 日 6 月 30 日 9 点半国家统计局公布 6 月 PMI 数据。 电话：0755-23838533 评论： 6 月中国制造业 PMI 为 49.7%，较上月回升 0.2 个百分点。其中，大型企业为 51.2%， 较上月回升 0.5 个百分点；中型企业为 48.6%，较上月回升 1.1 个百分点；小型 企业为 47.3%，较上月回落 2 个百分点，不同规模企业间的景气度分化明显。 6 月生产指数为 51%，较上月回升 0.3 个百分点。从需求上看，6 月新订单为 50.2%， 较上月回升 0.4 个百分点；而 6 月新出口订单为 47.7%，较上月回升 0.2 个百分 点。6 月制造业供需双方均有所回升，由于 PMI 中新订单指数重新回到扩张区间， 显示内需强于外需。 用新订单减去产成品库存来代表供需关系，6 月这一指数 2.1%，较上月回落 1.2 个百分点；以采购量与在手订单之差来代表企业生产积极性，6 月为 5%，较上月 回升 2.2 个百分点。6 月采购量为 50.2%，较上月回 ...

5月30日晚，江波龙(301308)披露了2024年年度报告及其摘要的更正公告。公告称，因年报期间工作量大，涉及数据和信息较多，未能及时发现少数错误。 此外，还有现金流的相关数据更正。更正前，投资活动产生的现金流量净额同比减少33.67%，现金及现金等价物净增加额同比减少73.70%。更正后，投资 活动产生的现金流量净额同比增加33.67%，现金及现金等价物净增加额同比增加73.70%。 另外，更正后的财报，在"第二节 公司简介和主要财务指标"之"八、非经常性损益项目及金额" 及"第十节 财务报告"之"二十、补充资料"之"1、当期非经常 性损益明细表"中追加了"由于公司对参股公司上海捷策创股份有限公司不再施加重大影响，因此将该长期股权投资转换指定为以公允价值计量且其变动计入 损益的非流动金融资产，由于会计科目核算的转变，视同处置长期股权投资并确认投资收益。"的相关描述。 资料显示，江波龙是半导体存储品牌企业,拥有行业类存储品牌FORESEE和国际高端消费类存储品牌Lexar(雷克沙)。主营业务覆盖嵌入式存储、固态硬盘、 移动存储和内存条四大产品线。 江波龙于2024年披露筹划赴港二次上市，今年4月发布公告称， ...

持续布局高增长领域，业务结构优化 公司持续聚焦高性能封装技术高附加值应用，加速对汽车电子、高性能计算、存储、5G 通信等高附加值 市场的战略布局，业务结构不断优化。2024年公司营收中通讯电子、消费电子、运算电子、汽车电子、工 业及医疗电子占比分别为44.8%、24.1%、16.2%、7.9%和7.0%，除工业领域外，各下游应用市场的收入均 实现了同比两位数增长。 运算电子业务为重要增长引擎 点击注册小程序 特别申明： 本订阅号中所涉及的证券研究信息由光大证券研究所编写，仅面向光大证券专业投资者客户，用作新媒体形势下研究 信息和研究观点的沟通交流。非光大证券专业投资者客户，请勿订阅、接收或使用本订阅号中的任何信息。本订阅号 难以设置访问权限，若给您造成不便，敬请谅解。光大证券研究所不会因关注、收到或阅读本订阅号推送内容而视相 关人员为光大证券的客户。 报告摘要 本订阅号是光大证券股份有限公司研究所（以下简称"光大证券研究所"）依法设立、独立运营的官方唯一订阅号。其他任 何以光大证券研究所名义注册的、或含有"光大证券研究"、与光大证券研究所品牌名称等相关信息的订阅号均不是光大证 券研究所的官方订阅号。 在半导体 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 在日前举办的"IMW 2025"上，三星电子关于下一代 DRAM 和下一代 NAND 闪存的演变。 10nm代（1X代及以后）的DRAM单元基本维持上述结构，但通过改进电容结构、字线材料等延续 了七代，依次称为"1X→1Y→1Z→1A→1B→1C→1D"代。不过，下一代"0A"代（10nm以下第一 代）将无法维持"6F2"布局，有很大机会转向"4F2"布局。 10nm 以下 DRAM ，如何实现 实现"4F2"布局的单元晶体管的基本结构是沟道垂直排列的结构。它被称为"VCT（垂直沟道晶体 管）"。位线、沟道（侧面有字线）和电容器从基板侧垂直排列。 在DRAM部分，三星首先回顾了DRAM单元多年来的演变。 在 1990 年代，平面 n 沟道 MOS FET 是单元选择晶体管（单元晶体管）的标准。然而，进入21 世纪，短沟道效应和关断漏电流已变得无法忽视。一种在不缩短沟道长度的情况下使横向（水平） 方向微型化的晶体管结构被设计出来并被用于DRAM单元晶体管。随着光刻技术的不断缩小， DRAM单元的面积可以不断缩小。 与此同时，DRAM 单元阵列布局在 2010 年代得到了 ...

半导体存储器是在个人电脑(PC)和智能手机等电子设备内部储存数据的存储介质。其中包括用于短期存 储的DRAM和用于长期存储的NAND型闪存等。世界领先企业有美国的美光科技、韩国的三星电子和 SK海力士等。但是，在NAND领域，中国的长江存储科技(YMTC)正在扩大市场份额，在DRAM领域， 长鑫存储技术(CXMT)也在增长。 中国正在实施鼓励购买本国半导体存储器的补贴政策。调查公司TechInsights等的数据显 示，中国产DRAM和NAND比其他国家的产品便宜23%，如果考虑到补贴，最多能便宜50% 左右…… 在半导体存储器市场上，中国大型企业的存在感正在增强。这是因为技术创新推动供应厂商以中国为中 心增加，价格竞争力也在提高。由于政府的补贴政策，中国有些产品比其他国家便宜50%左右，这成为 压低世界大宗交易价格的一个因素。 从NAND来看，存储单元纵向堆叠的层数是评价性能的指标之一。TechInsights的Jeongdong Choe表 示，"长江存储科技在采用混合键合（HB）技术的产品量产化方面比韩国企业更早取得了成功"。在市 售产品中(截至3月)，长江存储科技的产品"层数最多，达到267层"，Je ...

每经记者｜杨建 每经编辑｜彭水萍 （一）重磅消息 据新华社报道，近日国务院常务会议审议通过《政务数据共享条例（草案）》。会议指出，要在确保数 据安全基础上打通数据壁垒，推动公共服务更加普惠便捷。要构建全国一体化政务大数据体系，推动数 据资源融合应用，更好赋能社会治理和繁荣产业生态，增强经济发展新动能。会议研究《国家水上交通 安全监管和救助系统布局规划（2025-2035年）》。会议指出，要加快建设现代化水上交通安全监管和 救助系统，强化部门和地方协调联动，加强重要装备和关键技术创新，创造条件吸引社会资本参与重大 监管救助工程项目，为交通强国建设提供坚实保障。 （二）券商最新研判 1、当前走弱的技术条件被快速修复，目前趋势明显改观，技术条件没有进一步恶化。随后指数快速收 拾局面，开始小碎步震荡盘升，渐次回补了超百点的巨大缺口，消除后市隐患。在2025年4月7日到5月8 日，20个交易日中，有7个交易日大单资金明显净流入，累计金额超276亿元，在修复弱势技术条件的过 程中，明显有大单资金介入。指数再度来到日线均线体系之上，5日、10日、20日均线多头排列，短线 均线趋势向上，指数的均线技术条件明显修复。目前指数连 ...

中国正在实施鼓励购买本国半导体存储器的补贴政策。调查公司TechInsights等的数据显示，中国产 DRAM和NAND比其他国家的产品便宜23%，如果考虑到补贴，最多能便宜50%左右…… 由于个人电脑和智能手机的销售增长乏力，NAND和DRAM也受到需求减弱的影响，消费者的 观望情绪也在一定程度上导致了价格下跌。据悉，DRAM中约有50%用于个人电脑和数据中心 的服务器设备，约35%用于智能手机。然而，近期市场出现变化，"有权威调研机构指出库存 可能会比预期更早减少，这成为契机，DDR4、DDR5以及高带宽存储器（HBM）等的需求正 在增强"，一位电子元器件贸易公司的负责人表示。 从NAND来看，一些大型制造商正在减产，缩减供应的趋势仍在持续。有观点认为，如果服务 器等的需求增强，半导体存储器的价格将在年内转向上涨。最早可能在4～6月的大宗交易价 格上出现触底的迹象。 版权声明：日本经济新闻社版权所有，未经授权不得转载或部分复制，违者必究。 在向中国销售其他国家产品时，不得不考虑中国产品的价格。因此，在作为半导体存储器一 大市场的中国降价将波及全球。从以NAND为主要零部件的存储装置固态硬盘(SSD)1～3 ...

面对全球算力竞赛的加速演进，怡亚通已绘制清晰的发展蓝图。在技术层面，公司将加大AI大模型研 发投入，通过数据共享推动产业链协同创新；在生态层面，依托伟仕佳杰的多云管理能力和俊知集团的 5G通信技术，构建"算力+网络+应用"的一体化解决方案；在市场层面，紧抓"一带一路"机遇，将算力 服务能力输出至全国主要城市乃至海外新兴市场。值得期待的是，随着国家"东数西算"工程的深入推 进，怡亚通在数据中心建设、算力调度优化等领域的技术积累将释放更大潜能。其在半导体存储领域车 规级产品的突破和消费级市场的深耕，正推动存储技术从"幕后"走向"台前"，成为智能时代的"数据粮 仓"。 从传统供应链服务商到算力生态构建者，怡亚通的转型之路印证了中国企业在数字经济浪潮中的进化逻 辑。当AI算力成为大国竞争的战略高地，这家扎根深圳的企业以供应链为支点，撬动起技术、资本、 市场的共振效应，在自主创新的道路上稳步前行：卓优云智完成高速公路运维管理平台和水下观测网管 控平台的鸿蒙系统适配，为政企客户提供自主可控的解决方案；战略投资的联芸科技成功登陆科创板， 成为存储控制器领域的关键企业。这些突破性进展，标志着怡亚通已从传统供应链服务商蜕变为A ...

来源：内 容 编译自 pcwatch ，谢谢。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 自旋轨道扭矩结构和磁各向异性的设计技术。 参考链接 https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/2010780.html 2025年的IEEE国际存储器研讨会（IMW）是半导体存储器技术研发的国际会议即将隆重召开。届 时，将会有很多领先的存储技术发布。 据介绍，Kioxia 将报告具有 CBA（CMOS 直接键合到阵列）结构的 3D NAND 闪存的交叉位线 (CBL) 架构。相信这可以解释为什么通过晶圆键合堆叠外围电路和存储单元阵列的CBA结构在位 线布局方面具有优势。 三星则描述了具有非圆形通道孔形状的多孔 VNAND 闪存架构的阈值电压建模。美光公司模拟了 椭圆度（想象"孔形"）对 3D NAND 读取窗口边缘的影响。在最新的研究中，人们尝试通过将通 道孔的横截面形状制成椭圆形或半圆形而不是圆形来提高密度。这些声明被视为这一努力的一部 分。 旺宏电子国际公司（MXIC）开发了一种用于3D堆叠外围电路的垂直通道高压晶体管，以使1,000 层和超多层3D NAN ...