如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 在日前举办的"IMW 2025"上，三星电子关于下一代 DRAM 和下一代 NAND 闪存的演变。 10nm代（1X代及以后）的DRAM单元基本维持上述结构，但通过改进电容结构、字线材料等延续 了七代，依次称为"1X→1Y→1Z→1A→1B→1C→1D"代。不过，下一代"0A"代（10nm以下第一 代）将无法维持"6F2"布局，有很大机会转向"4F2"布局。 10nm 以下 DRAM ，如何实现 实现"4F2"布局的单元晶体管的基本结构是沟道垂直排列的结构。它被称为"VCT（垂直沟道晶体 管）"。位线、沟道（侧面有字线）和电容器从基板侧垂直排列。 在DRAM部分，三星首先回顾了DRAM单元多年来的演变。 在 1990 年代，平面 n 沟道 MOS FET 是单元选择晶体管（单元晶体管）的标准。然而，进入21 世纪，短沟道效应和关断漏电流已变得无法忽视。一种在不缩短沟道长度的情况下使横向（水平） 方向微型化的晶体管结构被设计出来并被用于DRAM单元晶体管。随着光刻技术的不断缩小， DRAM单元的面积可以不断缩小。 与此同时，DRAM 单元阵列布局在 2010 年代得到了 ...

来源：内 容 编译自 pcwatch ，谢谢。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 自旋轨道扭矩结构和磁各向异性的设计技术。 参考链接 https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/2010780.html 2025年的IEEE国际存储器研讨会（IMW）是半导体存储器技术研发的国际会议即将隆重召开。届 时，将会有很多领先的存储技术发布。 据介绍，Kioxia 将报告具有 CBA（CMOS 直接键合到阵列）结构的 3D NAND 闪存的交叉位线 (CBL) 架构。相信这可以解释为什么通过晶圆键合堆叠外围电路和存储单元阵列的CBA结构在位 线布局方面具有优势。 三星则描述了具有非圆形通道孔形状的多孔 VNAND 闪存架构的阈值电压建模。美光公司模拟了 椭圆度（想象"孔形"）对 3D NAND 读取窗口边缘的影响。在最新的研究中，人们尝试通过将通 道孔的横截面形状制成椭圆形或半圆形而不是圆形来提高密度。这些声明被视为这一努力的一部 分。 旺宏电子国际公司（MXIC）开发了一种用于3D堆叠外围电路的垂直通道高压晶体管，以使1,000 层和超多层3D NAN ...