近日，中国科学院上海微系统所联合宁波大学研究团队在《Advanced Functional Materials》发表研究， 提出以芳纶膜为前驱体通过高温石墨化工艺制备低缺陷、大晶粒、高取向的双向高导热石墨膜，在膜厚 度达到40微米的情况下实现面内热导率Kin达到1754W/m.K，面外热导率Kout突破14.2W/m.K。与传统 导热膜相比，双向高导热石墨膜在面内和面外热导率及缺陷控制上均表现出显著优势。在智能手机散热 模拟中，搭载双向高导热石墨膜的芯片表面最高温度从52℃降至45℃；在2000W/cm 热流密度的高功率 芯片散热中，AGFs使芯片表面温差从50℃降至9℃，实现快速温度均匀化。该研究揭示了芳纶前驱体在 石墨膜制备中的独特优势，证明了氮掺杂与低氧含量前驱体可提升石墨膜结晶质量和双向导热特性，其 双向导热性能突破可为5G芯片、功率半导体等高功率器件热管理提供关键材料和技术支撑。(人民财讯) ...

"2025第二届高算力芯片开发者论坛暨芯片热管理技术交流会" 将于 5月22-23日 在 北 京 举办。本次论坛由 车乾信息&热设计网 主办，论坛重点探讨：国产AI芯片进程、AI芯 片安全、芯片封装Chiplet技术、先进封装材料与封装基板、AI 芯片热力设计、芯片直冷 技术、3DVC均温技术等。届时将安排 20+ 演讲，预计将超过 300+ 行业专家参会！ 1.参会学习，包含服务：参会学习+会后资料+会议专属社群，费用：2500元/人 芯片热管理难题,车乾信息&热设计网继首届成功举办后,再度携手举办 "2025第二届高算力芯片开发者论坛暨芯片热管理技术交流会"。本次论坛 将于5月22-23日在北京举办,汇聚AI芯片领域的开发者、研究人员、企业 代表和专家学者,共同探讨前沿动态、创新应用和未来发展趋势。 会议概览 第一天上午 Al 芯片关键技术及发展趋势 第一天下午 AI芯片封装技术 AI芯片高效散热技术 第二天上午 企业参观 演讲信息 | 确认及确认中演讲单位 | 演讲话题 | | --- | --- | | 清华大学 | 电子系统的跨尺度热管理 | | 中兴通讯有限公司 | 浅谈高功率芯片散热 | | 芯 ...