Core Viewpoint - The article discusses the challenges and potential solutions related to high numerical aperture (NA) EUV lithography, particularly focusing on the issues of mask stitching and the implications of larger mask sizes on manufacturing efficiency and yield [1][2][9]. Group 1: Challenges of High NA EUV Lithography - The transition to high NA (0.55) EUV lithography presents significant challenges in circuit stitching between exposure fields, impacting design, yield, and manufacturability [1][2]. - The use of deformable optics in high NA systems reduces the exposure area of standard 6×6 inch masks by half, complicating the alignment and yield of critical layers [2][3]. - Misalignment at the stitching boundaries can lead to significant errors in critical dimensions, with a 2nm misalignment potentially causing at least a 10% error in pattern dimensions [2][3]. Group 2: Impact on Yield and Performance - The reliance on precise calibration in advanced lithography is crucial to avoid interference between features across different masks, which can lead to yield issues [3][4]. - The introduction of stitching-aware design strategies is necessary to mitigate performance degradation, with potential frequency reductions of up to 3% and increased power consumption by 3% in worst-case scenarios [5][6]. - Optimizations in design can reduce the impact of stitching on performance, with some strategies achieving a reduction in stitching area loss to below 0.5% and performance degradation to around 0.2% [6][8]. Group 3: Solutions and Industry Perspectives - Increasing the mask size to 6×11 inches could eliminate stitching issues and improve throughput, although it would significantly increase equipment costs and require extensive changes to existing manufacturing infrastructure [9][10]. - The production of larger masks poses additional challenges in stress management and defect control, which are already critical in EUV mask fabrication [10][11]. - Despite the technical advantages of larger masks, industry skepticism remains regarding the associated costs and the need for upgrades to meet future technology nodes [11].

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容来自Digitimes 。 一件台湾光罩子公司群丰的破产案，背后竟带出了「印度半导体自主大计」的难度与门槛。 光罩旗下群丰破产始末 台湾光罩日前公告，旗下子公司群丰已向法院声请宣告破产。 光罩总经理陈立惇表示，由于消费电子市场竞争剧烈，群丰营运承压，近年来虽展开调整，但效益有 限，亏损金额不断扩增。谨慎评估后，向法院声请宣告破产，由于已陆续认列亏损，对集团后续营运 影响不大。 陈立惇直言，此合作协议先前已破局，主因系Kaynes Semicon在合作期间，并未如协议实现其所立 下的各项条件承诺，考量此合作案对群丰并不公平，最后决定停止合作案。 对于台湾电子业界有何警示？ 台湾光罩本业为半导体前段制程用光罩，比重达9成，客户大多是大中华区的中小型IC设计公司，光 罩也转介客户在晶圆代工大厂进行投片。 光罩陸续取得群丰、艾格森、昱嘉及數可之控制权，力求扩大布局并发挥集团综效。 然而，光罩先前预期2024年转投资子公司整体获利能有起色，但进一步评估后，聚焦封测、系统级封 装（SiP）的群丰，亏损却不断扩大，最终破产收场。 值得注意的是，2024年光罩曾宣布， ...

在高NA曝光中，入射光以较小的角度照射到光罩上。由于EUV光学元件具有反射性，入射光可能 会在到达晶圆之前与折射光发生干扰。新思科技（Synopsys）的应用工程师Zachary Levinson解 释说，高NA系统使用变形镜头来避免这个问题，在一个方向上缩小4倍，在另一个方向上缩小8 倍。遗憾的是，这种解决方案会将标准6×6英寸光罩的曝光范围减半。 将单个电路层分割到多个光罩上会立即引发良率问题，尤其是对于尺寸本身就极具挑战性的关键 层。除了设计的两半必须彼此精确对准外，它们还必须与上方的完整场层对准。Levinson 估计， 2nm 的掩模间套刻误差将导致图案关键尺寸至少出现 10% 的误差，且不考虑任何其他误差源。 要使高NA EUV 光刻技术发挥作用，需要采用适合制造的方法来拼接电路或对更大的掩模进 行全面改变。 曝光场之间的电路拼接对高数值孔径 (0.55) EUV 转换的设计、良率和可制造性提出了挑战。替代 方案是彻底将 6×6 英寸掩模版改为 6×11 英寸掩模版，从而消除电路拼接，但需要几乎完全更换 掩模版制造基础设施。 现代多核 SoC 具有越来越大的片上内存，通常难以保持在光罩极限内，即 ...

一缕产业缩影。 作者 I 吴琼 报道 I 投资界PEdaily 2 0 2 5年第一笔超级融资出现了。 投资界获悉，近日盛合晶微半导体有限公司（简称"盛合晶微"）宣布，面向耐心资本的7 亿美元（约合5 0亿人民币）定向融资已高效交割。投资方阵容浮现—— 包括无锡产发科创基金、江阴滨江澄源投资集团、上海国投孚腾资本、上海国际集团、上 海临港新片区管委会新芯基金及临港集团数科基金，以及社保基金中关村自主创新基金、 国寿股权投资、Gol d e n Li nk等。 半导体圈对盛合晶微并不陌生——早年由中芯国际和长电科技两大巨头联合成立，是中国 大陆第一家致力于1 2英寸中段凸块和硅片级先进封装的企业。2021年开始独立发展，一 级市场融资份额抢手，成为无锡又一现象级独角兽。 刚刚宣布融资50亿 加速IPO 正如盛合晶微披露，本次投资方主要为无锡和上海两地国资。其中，无锡产发科创基金， 由江阴新国联创业投资有限公司、无锡产业发展集团有限公司共同出资；江阴滨江澄源投 资集团，穿透下来背后则是江阴市国资委。 还有一众上海国资。上海国际集团是上海重要的国有资本投资运营平台，累计管理资产规 模超1 4 00亿元；上海国投孚腾 ...