文 | 半导体产业纵横，作者 | 丰宁 "光刻将不再那么重要。"这句话一出便在业界引起巨大争议，这句话来源于英特尔的一位高管。 光刻机，向来被视为半导体制造的命脉。但近期多家芯片巨头释放的信息显示，未来光刻技术可能不再 是唯一选择，即便是很难抢到的High-NA EUV，也多处于"闲置"状态。 High-NA EUV光刻机，面临滞销 去年，High-NA EUV 热度很高。 ASML官网显示，其组装了两个TWINSCAN EXE:5000高数值孔径光刻系统。其中一个由ASM与imec合 作开发，将于2024年安装在ASML与imec的联合实验室中，预计2025年投入量产。另一个由英特尔在 2018年订购，2023 年 12 月，ASML正式向英特尔交付了首个High-NA EUV 光刻系统——TWINSCAN EXE:5000的首批模块。 2024 年初，这台光刻机主要组件运抵英特尔；11 月，台积电称年底前会收到 ASML 最先进的High-NA EUV光刻机。2025 年 3 月，三星在韩国华城园区引入首台 ASML 造的 TWINSCAN EXE:5000 ，成为英 特尔、台积电之后第三家购入的半导体厂 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 semiwi 。 在高数值孔径 EUV 光刻系统中，数值孔径 (NA) 从 0.33 扩展到 0.55。这一变化被宣传为可以避 免在 0.33 NA EUV 系统上进行多重图案化。直到最近才有具体的例子提供。事实上，在 DUV 双 重图案化已经足够的情况下，EUV 已经实现了双重图案化。 数值孔径的增加允许使用更多衍射级数或更宽的空间频率范围进行成像。对于同一幅图像，拥有更 多衍射级数可以产生更明亮、更窄的峰值，如图1的示例所示。 图 1. 对于相同的四分之一节距输入线图案，四个衍射级比两个衍射级产生更明亮、更窄的峰值。 NILS 因峰值更尖锐而得到改善。 峰值越尖锐，意味着归一化图像对数斜率 (NILS) 越好，因此光子吸收中散粒噪声的随机效应不会 那么严重。因此，与 0.55 NA 相比，0.33 NA 的直接打印图像更容易出现质量下降。 为了将散粒噪声保持在足够低的水平，以保证单次0.33 NA曝光，剂量必须增加到一定程度，使吞 吐量或光刻胶损失成为不利因素，例如> 100 mJ/cm 2。另一方面，如果将0.33 NA图案分成两个 单独曝光 ...

TSMC, ASML, and Arm still look like a great long-term plays in the growing market.Many semiconductor stocks slumped this year as President Donald Trump's tariffs, the escalating trade wars, and fears of a recession cast dark clouds over the booming sector. However, that pullback has also been creating attractive buying opportunities for investors who expect the semiconductor market to continue growing over the next few decades.Below, I'll take a look at three of those stocks: TSMC (TSM 3.68%), ASML (ASML 3. ...