如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自中时新闻网 。 荷兰阿斯麦（ASML）全新机台却让台积电望之却步！英媒指出，尽管艾司摩尔最新一代的高数值 孔径（High-NA）极紫外光（EUV）微影设备性能强大，但因这款机台单价高达4亿美元（约新台 币120亿元），台积电高层表示，目前「找不到非用不可的理由」，因此暂时没有计划在A14及其 后续制程中导入。 路透27日报导，这款先进机台价格逼近4亿美元，几乎是晶圆厂现有最昂贵设备的两倍。目前，各 家芯片制造商正在仔细评估，这款设备在曝光速度以及解析度上面的提升，是否真的符合如此高昂 的价格。 台积电技术开发资深副总经理张晓强表示，即便不使用High-NA EUV设备，A14制程仍能实现显 著的技术升级。 「因此，我们的技术团队将持续专注于微缩（scaling）效益的开发，并致力于延 长现有Low-NA EUV（低数值孔径极紫外光）微影设备的使用寿命。」 张晓强坦言：「只要我们能持续找到替代方案，就没有必要采用这款昂贵的设备。」事实上，早在 去年，张晓强就曾公开表示，他对High-NA EUV技术抱持肯定态度，但对其价格感到却步。 相较之下，台积电竞争对 ...

申请入围"中国IC独角兽" 半导体高质量发展创新成果征集 4月29日，中国科学院上海光学精密机械研究所林楠研究员团队在极紫外光刻（EUV）光源领域取得重大突破，他们成功开发出基于固体激光器技术的激 光等离子体极紫外（LPP-EUV）光源，能量转换效率达到3.42%，超越众多国际顶尖研究水平，这项突破不仅打破了西方在EUV核心技术上的垄断，更标 志着中国半导体产业正式叩开了7纳米以下先进制程的大门。这一成果不仅是中国科研实力的有力证明，更标志着中国在半导体核心技术领域迈出了具有 里程碑意义的一步。 EUV技术 在当今数字化时代，芯片已成为现代科技的核心，而EUV光刻技术则是制造高端芯片的关键。EUV光刻技术能够将芯片上的电路图案缩小到纳米级别， 让芯片在更小的体积内集成更多晶体管，从而提升性能、降低功耗。可以说，掌握了EUV技术，就掌握了高端芯片制造的"金钥匙"。 EUV光刻的原理，简单来说，就是利用波长为13.5nm的极紫外光，通过光刻系统将掩模版上的芯片电路图案精确投影到硅片上，如同用精细的画笔在微 小的芯片"画布"上绘制电路。（简单示意EUV光刻原理，如光线从光源发出，经过反射镜组，照射带有图案的掩模版， ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 wccftech ，谢谢 。 在半导体新元素的采用方面，台积电多年来一直是先驱，并经常引领潮流。但现在，该公司似乎将 放弃在其 A14 工艺中使用高数值孔径 EUV 光刻设备，而是采用更传统的 0.33 数值孔径 EUV 技 术。这一消息是在数值孔径技术研讨会上透露的，台积电高级副总裁Kevin Zhang在会上宣布了这 一进展。由此可以肯定地说，英特尔代工厂和几家 DRAM 制造商现在在"技术"上比台积电更具优 势。 Kevin 表示，台积电将不会使用High NA EUV光刻技术来对A14芯片进行图案化，该芯片的生产 计划于2028年开始。从2纳米到A14，我们不必使用High NA，但我们可以在处理步骤方面继续保 持类似的复杂性。他指出，每一代技术，我们都尽量减少掩模数量的增加。这对于提供经济高效的 解决方案至关重要。 台积电认为高数值孔径 (NA) 对 A14 工艺无关紧要的主要原因是，使用相关的光刻工具，这家台 湾巨头的成本可能会比传统的 EUV 方法高出 2.5 倍，这最终将使 A14 节点的生产成本大大提 高，这意味着其在消费产品中的 ...