周三，存储概念股盘前普涨，美光科技(MU.US)涨逾5%，西部数据(WDC.US)、闪迪(SNDK.US)、希捷 科技(STX.US)涨逾4%。 消息面上，2026年以来内存市场迎来快速上涨行情。2月9日，市场研究公司Counterpoint Research发布 的《2月内存价格追踪报告》显示，2026年第一季度以来，内存价格较2025年第四季度末已上涨80%— 90%，DRAM、NAND及HBM全品类价格均创历史新高，通用服务器DRAM成为本轮涨价核心推手。 瑞银分析师预计，全球存储行业出现"有意义的供给缓解"最早也要到2028年前后。在此之前，AI数据中 心建设所带来的结构性需求，将持续强化Memory产业链的景气度与议价能力。短期来看，瑞银建议聚 焦两大几近垄断的HDD厂商——希捷与西部数据。 ...

Core Viewpoint - The memory prices are experiencing an unprecedented surge, with a projected increase of 80%-90% by the first quarter of 2026, primarily driven by a significant rise in DRAM prices for general servers [1] Group 1: Memory Price Trends - As of the first quarter, DRAM prices have significantly increased, with server-grade memory, specifically the 64GB RDIMM contract price, rising from $450 in the fourth quarter to over $900 in the first quarter, and expected to exceed $1000 in the second quarter [1] - NAND flash memory, which showed stable performance in the fourth quarter, is also projected to rise by 80%-90% in the first quarter [1] - The market is witnessing a comprehensive price increase across all categories and segments, including a rise in prices for certain HBM 3e products [1]

盘面上，两市窄幅震荡，芯片设计概念上涨。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标 的指数盘中涨2.52%，成交额达2985.97万元。成分股中，芯原股份、盛科通信-U、海光信息、灿芯股份 涨超5%，翱捷科技-U、寒武纪-U、东芯股份等多股跟涨。 每日经济新闻 （责任编辑：张晓波 ） 【免责声明】本文仅代表作者本人观点，与和讯网无关。和讯网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容 的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。邮箱： news_center@staff.hexun.com 科创芯片设计ETF天弘（589070）近5日获资金净流入4384万元。截至2026年02月09日，该基金最 新规模为6.54亿元，再创上市以来新高。 科创芯片设计ETF天弘(589070)跟踪的是上证科创板芯片设计主题指数，成分股聚焦科创板芯片设 计领域上市公司。据wind统计，指数在数字芯片设计、模拟芯片设计行业的权重占比超过95%，高度聚 焦半导体产业链的核心设计环节。 消息面上，据Counterpoint Research最新报告显示，内存市场已步入"超级牛 ...

2026年2月9日，截至收盘，沪指涨1.41%，报收4123.09点；深成指涨2.17%，报收14208.44点；创业板 指涨2.98%，报收3332.77点。科创半导体ETF（588170）涨2.25%，半导体设备ETF华夏（562590）涨 2.24%。 3.谷歌母公司Alphabet Inc.计划通过发行美元债券筹200亿美元，超过了此前预期的150亿美元规模。由 于投资者对人工智能相关债券的需求激增，此次发行吸引了超过1000亿美元的认购，成为企业债发行史 上需求最强劲的案例之一。据知情人士透露，此次发行中期限最长的部分——2066 年到期的债券—— 定价已从早前的较美债收益率高出1.2个百分点调整至高出0.95个百分点。 东海证券指出，2026年，美国四大CSP资本支出合计预计超过6700亿美元，同比大幅增长超60%，AI基 础设施建设仍处于大规模投入阶段。随着AI持续向终端渗透、AIAgent技术不断演进等趋势的推动，未 来对算力的需求预计将呈现爆发式增长。 相关ETF：公开信息显示， 科创半导体ETF（588170）及其联接基金（A类：024417；C类：024418） 跟踪上证科创板半导体材料 ...

2026年2月9日，截至收盘，沪指涨1.41%，报收4123.09点；深成指涨2.17%，报收14208.44点；创业板 指涨2.98%，报收3332.77点。科创半导体ETF（588170）涨2.25%，半导体设备ETF华夏（562590）涨 2.24%。 隔夜外盘：截至收盘，道琼斯工业平均指数涨0.04%；纳斯达克综合指数涨0.90%；标准普尔500种股票 指数涨0.47%。费城半导体指数涨1.42%，恩智浦半导体涨2.05%，美光科技跌2.84%，ARM涨0.74%， 应用材料涨2.50%，微芯科技跌2.10%。 东海证券指出，2026年，美国四大CSP资本支出合计预计超过6700亿美元，同比大幅增长超60%，AI基 础设施建设仍处于大规模投入阶段。随着AI持续向终端渗透、AIAgent技术不断演进等趋势的推动，未 来对算力的需求预计将呈现爆发式增长。 相关ETF：公开信息显示， 科创半导体ETF（588170）及其联接基金（A类：024417；C类：024418） 跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，囊括科创板中 半导体设备（60%）和半导体材料（25%）细 分领域的硬科技公司。 半导体设备和材料行 ...

据智通财经2月9日报道，Counterpoint《2月内存价格追踪报告》显示，2026年第一季度内存价格环比上 涨80%-90%，创历史暴涨纪录，通用服务器DRAM价格大幅攀升成为核心推手。同期，第四季度表现平 稳的NAND闪存同步上涨80%-90%，叠加部分HBM3e产品价格走高，市场呈现全品类加速上涨态势。 其中，服务器级64GB RDIMM合约价从去年第四季度的450美元飙升至900美元以上，二季度有望突破 1000美元关口。 点评：招商证券表示，本轮价格暴涨核心逻辑是AI推理驱动存储需求成倍增长，叠加供给端有效产能 释放滞后。AI服务器推动存储架构向"HBM+DRAM+NAND"三级演进，数据中心成为最大单一市场， 2026年服务器DRAM占比将突破50%，中长期需求CAGR维持20%高位。 广发证券指出，通用服务器DRAM涨价的核心催化是GPU迭代带动存储容量与产能需求激增，B200、 B300等新一代GPU对应的DRAM等效产能消耗同比增长20%-171%。而供给端新增产能集中在2027年及 以后释放，2026年行业供需结构性错配将持续，AI驱动的紧缺态势难缓解。 大为股份：全资子公司大为创芯主要 ...