证券代码：603260 证券简称：合盛硅业 公告编号：2026-025 合盛硅业股份有限公司 第四届董事会第十五次会议决议公告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。 一、董事会会议召开情况 合盛硅业股份有限公司（以下简称"公司"或"合盛硅业"）第四届董事会 第十五次会议于 2026 年 3 月 6 日上午 10:00 时在公司慈溪办公室二十四楼黑河 会议室以现场和通讯相结合方式召开。本次会议经全体董事一致同意召开，并豁 免本次会议的提前通知时限要求。出席会议的董事应到 9 人，实到 9 人。会议由 公司董事长罗立国先生主持，公司高级管理人员列席了本次会议。本次董事会会 议的召集、召开符合国家有关法律、法规和《公司章程》的规定，会议决议合法 有效。 二、董事会会议审议情况 1、审议通过了《关于公司符合向特定对象发行 A 股股票条件的议案》 根据《中华人民共和国公司法》《中华人民共和国证券法》《上市公司证券 发行注册管理办法》等法律法规和规范性文件的规定，经对公司的实际情况进行 逐项自查，认为公司各项条件满足现行法律法规 ...

证券代码：603260 证券简称：合盛硅业 合盛硅业股份有限公司 2026年度向特定对象发行A股股票方案 论证分析报告 二〇二六年三月 合盛硅业股份有限公司（以下简称"合盛硅业"或"公司"）系上海证券 交易所上市公司。为满足公司业务发展的资金需求，增强公司的资本实力和盈 利能力，公司拟向特定对象发行股票不超过354,662,082股（含本数），募集资 金不超过580,000.00万元，用于"鄯善硅基新材料产业基地8×75MW背压机组项 目（一期）"及"补充流动资金及偿还银行贷款"。根据《中华人民共和国公 司法》（以下简称"《公司法》"）、《中华人民共和国证券法》（以下简称 "《证券法》"）和《上市公司证券发行注册管理办法》（以下简称"《注册 管理办法》"）等有关法律、行政法规、部门规章或规范性文件和《公司章程》 的规定，公司编制了2026年度向特定对象发行A股股票方案论证分析报告。 本报告中如无特别说明，相关用语具有与《合盛硅业股份有限公司2026年 度向特定对象发行A股股票预案》中相同的含义。 一、本次向特定对象发行的背景和目的 （一）本次向特定对象发行的背景 1、行业长周期底部信号明确，领先的成本优势是穿 ...

股票代码：603260.SH 股票简称：合盛硅业 上市地点：上海证券交易所 合盛硅业股份有限公司 2026年度向特定对象发行A股股票 募集资金使用的可行性分析报告 二〇二六年三月 合盛硅业股份有限公司 2026 年度向特定对象发行 A 股股票募集资金使用可行性分析报告 一、本次募集资金的使用计划 本次向特定对象发行股票募集资金总额不超过人民币 580,000.00 万元（含本 数），扣除相关发行费用后的募集资金净额拟用于以下项目： | 序号 | 项目名称 | 项目投资总额 | 拟使用募集资金 | | --- | --- | --- | --- | | | | （万元） | （万元） | | 1 | 鄯善硅基新材料产业基地8×75MW背压机组项目 | 572,762.00 | 410,000.00 | | | （一期） | | | | 2 | 补充流动资金及偿还银行贷款 | 170,000.00 | 170,000.00 | | | 合计 | 742,762.00 | 580,000.00 | 募集资金到位前，公司将根据项目进度的实际情况以自有资金或其它方式筹 集的资金先行投入，并在募集资金到位后根据相关法律法 ...

证券代码：603260 证券简称：合盛硅业 公告编号：2026-027 合盛硅业股份有限公司 敬请广大投资者注意投资风险。 特此公告。 合盛硅业股份有限公司董事会 2026 年 3 月 7 日 披露的提示性公告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容真实、准确、完整，并确认不存在虚假 记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担相应的法律责任。 合盛硅业股份有限公司（以下简称"公司"）于 2026 年 3 月 6 日召开第四届董事会 第十五次会议，审议并通过了《关于<合盛硅业股份有限公司 2026 年度向特定对象发行 A 股股票预案>的议案》及其他相关议案，具体内容详见公司刊登在上海证券交易所网 站（www.sse.com.cn）的《合盛硅业股份有限公司 2026 年度向特定对象发行 A 股股票 预案》及相关公告。 预案披露事项不代表审核机关对于本次向特定对象发行股票相关事项的实质性判 断、确认或批准，预案所述本次向特定对象发行股票相关事项的生效和完成尚需公司股 东会审议通过，并经过上海证券交易所审核通过、中国证券监督管理委员会同意注册后 方可实施。 关于 2026 年度向特定对象发行 A 股股票预案 ...

证券代码：603260 证券简称：合盛硅业 合盛硅业股份有限公司 2026 年度向特定对象 发行 A 股股票预案 二〇二六年三月 公司声明 1、本公司及董事会全体成员保证本预案内容真实、准确、完整，并确认不 存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整 性承担个别和连带的法律责任。 2、本预案按照《中华人民共和国证券法》《上市公司证券发行注册管理办 法》等要求编制。 3、本次向特定对象发行完成后，公司经营与收益的变化由公司自行负责； 因本次向特定对象发行股票引致的投资风险，由投资者自行负责。 4、本预案是公司董事会对本次向特定对象发行股票的说明，任何与之相反 的声明均属不实陈述。 5、投资者如有任何疑问，应咨询自己的股票经纪人、律师、专业会计师或 其他专业顾问。 本部分所述的词语或简称与本预案"释义"中所定义的词语或简称具有相 同的含义。 一、本次向特定对象发行A股股票相关事项已经公司第四届董事会第十五 次会议审议通过。尚需经公司股东会审议通过，上交所审核通过，并获得中国 证监会同意注册的批复后方可实施。 二、本次发行对象为不超过35名符合中国证监会规定条件的证券投资基金 管理公司、证 ...

目 录 | 一、审计报告……………………………………………………… 第 1—5 | | 页 | | --- | --- | --- | | 二、财务报表……………………………………………………… 第 6—13 | | 页 | | （一）合并资产负债表…………………………………………… | 第 | 6 页 | | （二）母公司资产负债表………………………………………… | 第 | 7 页 | | （三）合并利润表………………………………………………… | 第 | 8 页 | | （四）母公司利润表……………………………………………… | 第 | 9 页 | | （五）合并现金流量表……………………………………………第 | 10 | 页 | | （六）母公司现金流量表…………………………………………第 | 11 | 页 | | （七）合并所有者权益变动表……………………………………第 | 12 | 页 | | （八）母公司所有者权益变动表…………………………………第 | 13 | 页 | 三、财务报表附注……………………………………………… 第 14—106 页 四、资质（证明）材料复印件……………………………… ...

目 录 | 一、审计报告……………………………………………………… 第 1—5 | | 页 | | | --- | --- | --- | --- | | 二、财务报表……………………………………………………… 第 6—13 | | | 页 | | （一）合并资产负债表…………………………………………… | 第 | 6 页 | | | （二）母公司资产负债表………………………………………… | 第 | 7 页 | | | （三）合并利润表………………………………………………… | 第 | 8 页 | | | （四）母公司利润表……………………………………………… | 第 | 9 页 | | | （五）合并现金流量表……………………………………………第 | 10 | 页 | | | （六）母公司现金流量表…………………………………………第 | 11 | 页 | | | （七）合并所有者权益变动表……………………………………第 | 12 | 页 | | | （八）母公司所有者权益变动表…………………………………第 | 13 | 页 | | 三、财务报表附注……………………………………………… 第 14—107 页 ...

目 录 | 一、前次募集资金使用情况鉴证报告………………………………第 | 1—2 页 | | --- | --- | | 二、前次募集资金使用情况报告……………………………………第 | 3—8 页 | | 三、资质(证明)材料复印件……………………………………… | 第 9—12 页 | 前次募集资金使用情况鉴证报告 我们鉴证了后附的合盛硅业股份有限公司（以下简称合盛硅业公司）管理层 编制的截至 2025 年 12 月 31 日的《前次募集资金使用情况报告》。 一、对报告使用者和使用目的的限定 本鉴证报告仅供合盛硅业公司向特定对象发行 A 股股票时使用，不得用作任 何其他目的。我们同意本鉴证报告作为合盛硅业公司向特定对象发行 A 股股票的 必备文件，随同其他申报材料一起上报。 二、管理层的责任 合盛硅业公司管理层的责任是提供真实、合法、完整的相关资料，按照中国 证券监督管理委员会《监管规则适用指引——发行类第 7 号》的规定编制《前次 募集资金使用情况报告》，并保证其内容真实、准确、完整，不存在虚假记载、 误导性陈述或重大遗漏。 三、注册会计师的责任 我们的责任是在实施鉴证工作的基础上对合盛硅业公司管理层编 ...

Core Viewpoint - Silicon Carbide (SiC) is emerging as a critical wide-bandgap semiconductor material, playing a vital role in modern technology, particularly in enhancing energy efficiency and promoting sustainable development [4][10]. Group 1: Industry Dynamics - The SiC industry is experiencing rapid growth, characterized by accelerated industrial scaling, with substrate sizes transitioning from 6/8 inches to 12 inches, leading to significant increases in single-chip output and reductions in unit costs [5]. - The demand for SiC is driven by applications in electric vehicles (800V platforms) and upgrades in photovoltaic energy storage, indicating a shift from high-end applications to mass commercialization [5]. Group 2: Material Properties - SiC has a bandgap of approximately 3.26 eV, significantly higher than silicon's 1.12 eV, allowing it to operate stably under high temperature, high pressure, and high frequency conditions [7]. - The material exhibits high thermal conductivity (about 4.9 W/cm·K), high breakdown field strength (approximately 3 MV/cm), and high saturated electron drift velocity, making it suitable for various demanding applications [7]. Group 3: Manufacturing Processes - SiC can be produced through various methods, including traditional carbothermal reduction, Acheson process, and advanced techniques like chemical vapor deposition (CVD) and molecular beam epitaxy (MBE) [11][12][18]. - The growth of single crystals is primarily achieved through physical vapor transport (PVT), which is the most common method for producing high-purity SiC substrates [12]. Group 4: Applications - SiC is widely used in semiconductor devices, including power devices like MOSFETs and IGBTs, which are essential for high-voltage and high-frequency applications [19]. - In renewable energy, SiC enhances the efficiency of inverters in photovoltaic systems and supports smart grid technologies [17]. - The material is also critical in thermal management applications, serving as heat sinks for power modules, LEDs, and AI servers [21]. Group 5: Domestic Company Developments - Tianyu Advanced plans to launch the world's first 12-inch conductive substrate in November 2024 and aims to establish a full product matrix of 6/8/12 inches by 2025 [24]. - Nankai Crystal has showcased its 8-inch N-type SiC substrate at the ICSCRM exhibition in September 2025, indicating advancements in production capabilities [26]. - Lusheng Technology has achieved stable mass production of 6-inch SiC substrates with a yield rate of 95% and is progressing towards 8-inch substrate production [27].

证券代码：603260 证券简称：合盛硅业 公告编号：2026-023 合盛硅业股份有限公司 关于控股股东及其一致行动人权益变动 触及 1%刻度的提示性公告 宁波合盛集团有限公司及其一致行动人罗立国、罗燚和罗烨栋保证向本公司提供 的信息真实、准确、完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。 本公司董事会及全体董事保证公告内容与信息披露义务人提供的信息一致。 重要内容提示： | 权益变动方向 | 比例增加□ | | 比例减少√ | | --- | --- | --- | --- | | 权益变动前合计比例 | 72.75% | | | | 权益变动后合计比例 | 71.96% | | | | 本次变动是否违反已作出的承 | 是□ | 否√ | | | 诺、意向、计划 | | | | | 是否触发强制要约收购义务 | 是□ | 否√ | | 一、 信息披露义务人及其一致行动人的基本信息 1.身份类别 | | √控股股东/实际控制人及其一致行动人 | | --- | --- | | | □其他 5%以上大股东及其一致行动人 | | 投资者及其一致行动人的身份 | □合并口径第一大股东及其一致行动人（仅适用 | | ...