碳化硅(SiC)

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全球视野+本土创新,瑞能半导体领跑功率半导体赛道
半导体芯闻· 2025-04-25 10:19
近年来,在全球能源转型与智能化浪潮快速发展的当下,功率半导体行业正经历着前所未有的 变革与机遇。 随着"双碳"目标的持续推进、可再生能源的大规模应用、新能源汽车的爆发式增长以及工业自动 化 和 大 数 据 中 心 的 快 速 发 展 , 对 高 效 、 低 功 耗 、 可 靠 的 功 率 半 导 体 需 求 愈 发 迫 切 。 碳 化 硅 (SiC)、IGBT、MOSFET等关键产品与技术领域成为推动各行业转型升级的核心动力,迎来广 阔的发展空间。 瑞能半导体全球营销高级总监Daniel Lee向笔者强调,瑞能半导体致力于持续深耕高性能半导体 解决方案,以创新驱动产业升级,为市场和客户积极赋能,助力制造业智能化升级与碳中和目标 实现。 瑞能半导体携创新成果亮相2025慕展 据瑞能半导体大中华区销售总监于中豪介绍,瑞能始终专注于研发行业领先、广泛且深入的功率 半导体产品组合,公司主要产品包括SiC器件,可控硅整流器和晶闸管,快恢复二极管,TVS、 ESD,以及IGBT和模块等功率产品,广泛应用于消费电子、工业制造、新能源及汽车等领域, 在诸多产品类型和市场中均保持领先身位。 在此背景下,作为全球功率半导体领域的 ...
2条SiC生产线投产在即,年产能超3万片!
行家说三代半· 2025-04-25 09:54
插播: 5月15日,"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"活动将在上海举办, 三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体、天科合达、元山电子、大族半导 体、香港大学、长飞先进、宏微科技、利普思、国基南方、芯长征、合盛新材料、 国瓷功能材 料 等将出席本次会议,点击文章底部 "阅读原文" 即可报名参会。 近日, "行家说三代半"发现茂硅、谱析光晶、鬃晶科技等企业接连传来产线落地、园区入驻等消息,为 SiC产业链注入新动力 : 茂硅: SiC制程产线即将投产,产能达3000片/月 4 月 23日 , 据 中国台湾媒体 报道, 中国 台湾晶圆代工厂茂硅透露,预计于今年 6月底完成碳化硅制程产线建设,并于下半年开启试量产,月产能达 3000片 。未来,茂硅将根据市场需求,持续购置相关设备,逐步扩大生产规模,有望 使 其成为 6 吋厂的主力业务。 茂硅董事长唐亦仙在致股东报告书中指出,自 2023年6月起,茂硅着手打造SiC 制程平台,建立了生产SiC功率晶体管的代工能力。然而,由于 部分设备交付周期长达2年,2024年至2025年上半年主要处于筹备阶段。 唐亦仙还表示,茂硅将紧抓汽车电子与工业 ...
大族半导体8/12英寸SiC衬底激光剥离实现3大新突破
行家说三代半· 2025-04-25 09:54
插播:英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等已确认参编《2024- 2025氮化镓(GaN)产业调研白皮书》,参编咨询请联系许若冰(hangjiashuo999)。 当前,碳化硅衬底价格下降压力较大,亟需降本。传统切割工艺普遍依赖传统多线切割技术,但该工艺效 率低、材料损耗,很难满足6-8英寸大尺寸碳化硅晶锭加工需求,尤其是在12英寸光波导碳化硅镜片制备 的难度较大。 针对激光剥离技术量产化难题,大族半导体以三大突破性技术破局: 低电阻 晶锭全兼容:突破 低电阻率晶 锭 激光加工 瓶颈,实现导电型衬底电阻率需求全覆盖; ● 砂轮损耗降40%+:采用LaserMesh™界面技术精准控制剥离面形貌(粗糙度≤2μm,TTV<10μm), 结合界面软化工艺,大幅 降低后续减薄成本 ; ● 12英寸 量产突破:全球率先实现12英寸导电/半绝缘晶锭激光剥离量产,推动大尺寸衬底迈向"低成本、高良 率"时代,为光电子、射频器件降本奠基。 要想详细了解更多关于大族半导体的碳化硅衬底激光剥离技术等,欢迎参加 "行家说三代半"于5月15日在 上海 ● 锦江汤臣洲际大酒店 召开 "电动交通&数字能源SiC技术应 ...
Wolfspeed,前景堪忧
半导体行业观察· 2025-03-17 01:24
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容编译自seekingalpha,谢谢。 11 月,本文作者得出结论,Wolfspeed 除了加快速度外什么都没做。其向碳化硅转型导致巨额资本 支出,同时伴随巨额运营亏损,给业务造成重大财务压力。尽管人工智能牛市如火如荼,与 CHIPS 法案相关的利好消息不断,以及该公司宣布的重大设计胜利,情况仍然如此。 情况非常不确定,因为业绩预期持续令人失望,这让人们对公司的未来产生了真正的疑问,更不用 说普通股股东的未来了。由于前景仍然非常不确定,实际行动(包括高度稀释的股权出售)就证明 了这一点。 Cree 更名为 Wolfspeed 下图是根据最新的收益报告拍摄的,可以总体展示出公司的活动。 在剥离上述两项业务后,Cree 成为一家专注于碳化硅的公司,名为 Wolfspeed,随后公司更名。虽 然战略方向(理论上)合理,但这种长期增长趋势伴随着巨额运营亏损,以及巨额净资本支出需 求。 WBG 是具有较大带隙的半导体,这种特性使它们能够在比传统半导体高得多的电压和温度下工作。 WGB 可应用于不同的行业,例如国防、电动汽车 (EV)、可再生能源和高功率设备。Wolsp ...
安意法8英寸SiC晶圆合资厂正式通线,全链构筑中国SiC产业头雁效应
半导体行业观察· 2025-03-03 01:06
2月27日,意法半导体(STMicroelectronics,以下简称ST)和三安光电共同宣布,双方在重 庆设立的8英寸碳化硅晶圆合资制造厂(即"安意法半导体有限公司",以下简称安意法)现已正 式通线。 安意法合资厂自2023年9月开工以来,在过去一年多里,建设也按照原计划稳步推进:2024年11月 底达到"点亮"条件,2025年2月27日贯通(通线)。按照预期规划,该合资厂将在2025年第四季度 投产,预计2028年达产,届时将能更好地满足中国新能源汽车行业、工业电源和能源等应用需求。 更重要的是,其前瞻性的布局,让ST能够给中国当地的客户提供性能更好、价格更低的SiC器件选 择。 因为发展原因,过去很长一段时间里SiC都是六英寸,但因为在有限面积切割的die数量有限,这就 让SiC的成本相对较高。于是,和硅器件一样,行业近年来正在往大尺寸晶圆发展。八英寸SiC就成 为了业内的共识选择。 2023年6月,在重庆市委市政府的大力推进下,重庆三安意法半导体碳化硅项目签约落户西部科学城 重庆高新区西永微电园。据介绍,该项目除了包括8英寸碳化硅(SiC)功率器件合资制造厂安意法 半导体有限公司外,还有由三安独立运营 ...