如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自天下杂志 ，谢谢 。 五月，我（指代本文作者）在斯坦福的一次闭门研讨会上再次见到了H.-S. Philip Wong博士。他 是台积电首席科学家，斯坦福大学电子工程系教授。他背着背包坐在我旁边，用手写笔直接在一台 超薄电子纸平板电脑上做笔记。 他笑着解释说，该设备内置了手写识别功能，"但我的笔迹太差，它无法识别，所以我只能将所有 内容保存为图像。" 这种低调随和的举止与我对他的第一印象很不相符。 那是在2019年的SEMICON Taiwan展会上，黄博士发表了主题演讲。这是他加入台积电担任企业 研究副总裁后的首次公开露面。我记得那是展会上最精彩的主题演讲之一。 他用威严的声音和流利的英语自信地向来自各国的行业领袖发表讲话，并宣称："摩尔定律依然有 效。我们正朝着 0.1 纳米的目标前进，也就是氢原子的尺度。" 黄博士的权威演讲完美诠释了台积电刚刚超越英特尔，成为全球领导者的新地位，赢得了业界的高 度赞誉。 两年后，黄博士借调期满，重返学术界，担任台积电首席科学家顾问。 黄先生出生于香港，毕业于香港大学后移居美国，并在利哈伊大学获得电气工程博士学位。加入 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自 semiengineering ，谢谢 。 半导体工程与业内专家齐聚一堂，深入探讨了光刻技术发展中光掩模所面临的关键挑战。随着先进 光刻节点向EUV（极紫外光刻）及更远技术推进，光掩模制造已成为半导体生产中最关键且成本 最高的环节之一。与此同时，非EUV应用也在延长旧工具和工艺的寿命，这促使行业必须在这两 个 极 端 寻 找 新 的 解 决 方 案 。 参 与 本 次 对 话 的 专 家 包 括 HJL Lithography 的 首 席 光 刻 师 Harry Levinson 、 D2S 的 首 席 执 行 官 Aki Fujimura 、 美 光 的 掩 模 技 术 高 级 总 监 Ezequiel Russell 以 及 Photronics的执行副总裁兼首席技术官Christopher Progler。以下是本次对话的节选内容。 SE：目前，EUV和非EUV光刻在最前沿的掩模相关挑战是什么？ Levinson： 对于EUV而言，最大的问题是成本——制造、维护和更换掩模的总费用。光掩模和 EUV掩模在其生命周期内的价格差异巨大。我认为这种情况不 ...

随着芯片产量增长，尤其是逻辑芯片和DRAM芯片领域先进节点器件产量提升，辅助材料和扩展材料也 将呈现强劲增长态势。 TECHCET数据显示，2024年光刻材料收入温和增长1.6%，达到47.4亿美元。其中光刻胶增长1%，EUV 光刻胶表现最为突出，同比增长20%。辅助材料和扩展材料均表现良好，分别增长2%。 当前市场受益于先进节点工艺发展带来的光刻胶需求稳步增长，特别是EUV光刻胶，同时KrF和ArF等 传统光刻胶在3D NAND中的应用增加也促进了市场积极表现。 （原标题：研究机构TECHCET预测：2025年光刻材料收入将增长7%达50.6亿美元） 研究机构TECHCET最新预测显示，受半导体市场复苏推动，2025年光刻材料收入预计增长7%，达到 50.6亿美元。这一增长主要由先进光刻胶需求大幅增长驱动，特别是EUV光刻胶预计同比增长30%。 根据TECHCET的《2025年光刻材料关键材料报告》，预计到2029年，光刻材料市场将以6%的复合年增 长率增长。未来市场发展将受到供应链本地化趋势影响，美国、韩国、中国台湾和大陆都将建设新设 施。地缘政治紧张局势，特别是对先进材料的限制以及中国在先进光刻技术方面 ...

来源：内容来自 Source：编辑部，谢谢。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 在日前英特尔推出了A14工艺之后，两大晶圆厂巨头正式入局这个巅峰之争。从目前的资料看来，总体而言，他们在 架构、EUV光刻和晶体管设计上展开了激烈竞争。 首先看台积电，据该公司执行副总裁兼联席首席运营官Yuh-Jier Mii （米玉杰）博士介绍，当前的发展方向是从 FinFET到Nanosheet。除了这些技术之外，垂直堆叠的NFET和PFET器件（称为CFET）也可能是实现器件微缩的候选 方案。除了CFET之外，沟道材料方面也取得了突破，可以进一步实现尺寸微缩和降低功耗。上图总结了这些进展。 米博士报告称，台积电一直在积极构建硅基CFET器件，以实现更高水平的微缩。台积电在2023年IEDM上展示了其首 款栅极间距为48纳米的CFET晶体管。今年在IEDM上，台积电展示了最小的CFET反相器。下图展示了该器件在高达 1.2V电压下均衡的性能特征。 英特尔将推出的 14A 工艺节点（计划于 2027 年进行风险生产）的性能指标，宣称其功耗将降低高达 35%。英特尔还 展示了其全新的 Turbo Cell 技术，这是一种可 ...

荷兰ASML EUV光刻机样图（来源：ASML官网） 中国芯片极紫外（EUV）光刻光源技术获得重大突破，使用固体光源突破被美国"卡脖子"的局面。 4月29日消息，据环球时报旗下账号"哇喔·环球新科技"、观察者网等报道，中国科学院上海光学精密机 械研究所（简称中国科学院上海光机所）林楠研究员带领团队，绕过二氧化碳激光，使用固体激光器技 术成功开发出LPP-EUV光源，已经达到国际领先水平，对中国自主开展EUV光刻有重要意义。 上述报道称，该技术有望突破中国自主生产芯片的阻碍。 据悉，EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体（LPP）EUV光源，主要关注能量转换效率 （CE）。二氧化碳激光器激发的Sn等离子体 CE大于5%，是ASML光刻机的驱动光源，但此前这类光源 由美国Cymer制造，在世界范围内处于垄断地位。 因此，林楠团队考虑使用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源，但能量效率需要进一步提 升。目前林楠团队1um固体激光的CE最高可达到3.42%，超过了荷兰和瑞士研究团队的水平，虽然没有 超过4%，但已经达到了商用光源5.5%转化效率的一半。 林楠团队研究人员估计，光源实验平台的理论最大转换效率可 ...

【文/观察者网 熊超然】美西方越是打压封锁，越会倒逼中国加快自主创新步伐。这一点，早已一次又 一次应验，如今也有望出现在半导体的极紫外光刻机（EUV）领域。 据《中国激光》杂志今年第6期（2025年3月下）所刊登的一篇研究论文称，中国研究人员已经建立了一 个运行参数具有国际竞争力的EUV光源实验平台，这对于我国自主开展EUV光刻及其关键器件与技术 的研发工作具有重要意义。香港《南华早报》4月29日对此报道时则认为，中方这一研究成果"突破了自 主生产先进芯片的障碍"。 报道称，该研究团队来自中国科学院上海光学精密机械研究所，由该研究所研究员林楠领导，他曾是荷 兰光刻机巨头阿斯麦公司（ASML）在光源技术方面的负责人。 论文指出，虽然阿斯麦采用的二氧化碳激光驱动技术优点显著，但林楠团队近期研究发现，固体激光驱 动技术历经近十年发展也有许多优势提升，并可能对我国自主开展EUV光刻及其关键器件与技术的研 发具有重要意义。 在所建立的激光驱动等离子体极紫外（LPP-EUV）光源实验平台上，中方团队破局高转换效率，所得 结果处于国际靠前、国内领先水平。科研人员还估计，该光源实验平台的理论最大转换效率可能接近 6%，他们正 ...

根据市场公开信息及4月28日披露的机构调研信息，知名私募彤源投资近期对4家上市公司进行了调研， 相关名单如下： 调研纪要：芯碁微装在先进封装领域取得进展，设备WLP2000完成多家客户验证，部分进入量产筹 备。直写光刻技术在无掩膜成本及操作便捷等方面具备优势。关税政策对公司影响有限，供应链结构优 化，客户订单持续增长。泰国子公司以服务本土客户为核心，已有20多名员工，本地与外派人员各半。 2024年海外订单占比接近20%，彰显国际市场竞争力。掩模板业务预计今年下半年迎来突破，2026- 2027年占据有利地位。去年IC载板业务面临挑战，但对2025-2026年发展前景充满信心。一季度营业收 入同比增加22.31%，净利润同比增加30.45%，销售量规划充满信心。 4）康弘药业 （上海彤源投资发展有限公司参与公司电话会议&口头） 调研纪要：康柏西普已稳居中国眼科抗VEGF市场的领导地位，公司有信心继续取得新辉煌。公司整体 研发布局集中在眼科、精神/神经、肿瘤领域，形成多元化研发体系。基因治疗产品显示良好安全性和 疗效，双载荷DC分子具有协同作用。公司积极应对集采政策，创新药销售占比提升，化药仿制药销售 占比下降 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 eenewseurope ，谢谢。 据报道，初创公司Lace Lithography AS（挪威卑尔根）正在开发一种光刻技术，该技术使用向表 面发射的原子来定义特征，其分辨率超出了极紫外光刻技术的极限。 Lace Litho 所称的 BEUV 理论上可以实现更精细的特征，支持晶体管的持续小型化并延伸摩尔定 律。 该公司由卑尔根大学首席执行官 Bodil Holst 教授和首席技术官 Adria Salvador Palau 于 2023 年 7 月共同创立，后者在卑尔根大学获得博士学位，但目前在西班牙巴塞罗那运营。 传统的 EUV 系统使用 13.5nm 波长的光，通过一系列反射镜和掩模在晶圆上形成图案。原子光刻 技术能够实现直接无掩模图案化，其分辨率甚至小于受波长限制的 EUV 系统所能达到的分辨率。 该公司在其网站上声称："通过使用原子代替光，我们为芯片制造商提供了领先当前技术 15 年的 功能，而且成本更低、能耗更低。" https://www.eenewseurope.com/en/lace-lithography-uses-atoms-t ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 根据市场研究公司Counterpoint Research周三发布的一项新分析报告，SK海力士史上首次夺 得全球DRAM市场冠军，超越了长期以来的行业领导者三星电子。 报告指出，今年第一季度，SK海力士占据了全球DRAM市场36%的份额，略高于三星电子的34%和 美光的25%。该公司强劲增长的关键驱动力在于其在高带宽内存（HBM）领域的主导地位，据报 道，该公司在该领域占据了70%的市场份额。 这是 SK 海力士自 1983 年成立以来首次在全球存储器市场占据主导地位。 三 星 电 子 曾 是 存 储 器 领 域 的 霸 主 ， 统 治 市 场 长 达 30 多 年 ， 如 今 却 被 挤 到 第 二 位 ， 市 场 份 额 为 34%，美光科技 (Micron Technology Inc.) 紧随其后，市场份额为 25%。 SK海力士之所以能反超三星，主要原因是人工智能蓬勃发展，对 HBM 芯片的需求强劲。 HBM，助SK海力士登顶 2013年，SK海力士在全球首次研发出HBM芯片时，市场对这种高性能芯片的需求并不高。 SK海力士在官方博客中也承认，起初，HBM ...

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 3月25日消息，据报道，中科院成功研发出了固态DUV(深紫外)激光，可发射193nm的相干光， 与 目前主流的DUV曝光波长一致，能将国产半导体工艺推进至3nm！ 技术细节显示，科研人员将1030nm基频激光分两路处理：其中一束通过四次谐波转换生成258nm 激光，另一束经光学参数放大后形成1553nm激光。这两束激光在串级硼酸锂晶体中混合后，最终 产出的193nm激光线宽已控制在0.11pm以内，光谱纯度达到商用准分子激光器标准。尽管目前 70mW的平均功率和6kHz频率尚不及传统方案的1%，但固态设计的先天优势已初现端倪。 该技术摆脱了对稀有气体的依赖，理论上可使光刻系统体积缩小30%以上。若后续能在功率密度和 频率稳定性方面实现突破，或将改变现有DUV光刻设备的技术格局。不过正如论文中坦承的， 当前 实验室样机与工业级应用仍存在量级差距，需要材料科学和精密制造领域的协同攻关。 ***************END*************** 半导体公众号推荐 半导体论坛百万微信群 据报道，中 ...