如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来 源： 内容 编译自 businesskorea 。 6月29日，业内消息人士透露，尽管Compute Express Link (CXL)内存的量产准备工作在技术上 已经完成，但由于需求不足，其商业化计划陷入停滞。这一进展凸显了在NVIDIA主导的蓬勃发展 的AI半导体领域中，三星电子和SK海力士等主要厂商在将下一代内存技术推向市场方面面临的持 续挑战。 三星电子和 SK 海力士一直在努力将 CXL 和内存处理 (PIM) 技术商业化。三星预计去年下半年 CXL 内存市场将出现激增，但与主要客户的质量认证程序仍未完成。与此同时，由于生态系统扩 展延迟，SK 海力士自 2022 年以来开发 PIM 技术的努力尚未进入实际产品阶段。尽管存在这些障 碍，但行业专家强调为这些技术建立生态系统基础的重要性，并预测 AI 内存需求结构将逐渐多样 化。 高带宽存储器 (HBM) 需求强劲，尤其得益于 NVIDIA 在其主要加速器产品中重点关注这项技 术，这推动了封装和键合设备的大部分订单。这种偏好推迟了旨在在能效和可扩展性方面补充 HBM 的 CXL 和 PIM 技术的应用。一 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自zdnet 。 三星电子正在为下一代NAND V10（第10代）的量产战略苦苦挣扎。 供应链构成评估预计将在今年下半年进行，预计全面量产投资要到明年上半年才能实现，比最初预 期的要晚。据悉，高层NAND需求的不确定性、新技术的引入以及成本负担正在阻碍该公司的发 展。 据业内人士13日透露，三星电子正在讨论将V10 NAND量产设施的投资推迟至明年上半年的计 划。 蚀刻及相关设备的额外评估计划于今年下半年进行。考虑到评估进度，最早也要到明年第一季度才 能确认供应链并进行实际量产投资。 引进新设备的投资成本也被指出是三星电子推迟投资V10 NAND量产的一大因素。 三星电子现有的NAND蚀刻工艺主要使用Lam Research的设备。将TEL纳入其供应链，虽然可以 实现设备多元化，但也会导致现有Lam Research设备的利用率下降，并需要提高两家公司设备之 间的兼容性。 三星电子的V10 NAND是下一代产品，其单元（存储数据的最小单位）堆叠层数为430层。它比目 前已商业化的最新一代产品V9（预计为290层）高出100层。业界一直预测，三星电子最早 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自zdnet 。 蚀刻及相关设备的额外评估计划于今年下半年进行。考虑到评估进度，最早也要到明年第一季度才 能确认供应链并进行实际量产投资。 引进新设备的投资成本也被指出是三星电子推迟投资V10 NAND量产的一大因素。 三星电子正在为下一代NAND V10（第10代）的量产战略苦苦挣扎。 供应链构成评估预计将在今年下半年进行，预计全面量产投资要到明年上半年才能实现，比最初预 期的要晚。据悉，高层NAND需求的不确定性、新技术的引入以及成本负担正在阻碍该公司的发 展。 据业内人士13日透露，三星电子正在讨论将V10 NAND量产设施的投资推迟至明年上半年的计 划。 三星电子的V10 NAND是下一代产品，其单元（存储数据的最小单位）堆叠层数为430层。它比目 前已商业化的最新一代产品V9（预计为290层）高出100层。业界一直预测，三星电子最早将于今 年下半年开始对V10 NAND进行量产投资。 然而，三星电子直到本月才最终敲定蚀刻设备等核心NAND设备的供应链。这是因为高堆叠NAND 的需求存在不确定性，而且新工艺的引入带来的成本效益问题也阻碍了投资。 ...