为现代芯片制造商打造强大、可靠且可制造的光源是当今业界最复杂的挑战之一。在所有光刻系统制 造商中，只有 ASML 成功研发出用于打印最小芯片特征的 EUV 光源——但一家初创公司却提出了 一个颠覆现状的全新理念。 Inversion Semiconductor是一家位于旧金山的初创公司，由风险投资公司 Y Combinator 投资。该 公司计划开发一种基于紧凑型粒子加速器的光源，声称其功率将比 ASML 现有技术高 33 倍，可以 为生产更精细的芯片特征铺平道路。 Inversion技术的核心是一种"台式"粒子加速器，它比传统粒子加速器小 1,000 倍，但输出功率却高 达 10 kW。尽管尺寸微小，但 Inversion 声称，其光源利用激光尾流场加速 (LWFA ) 方法，可以将 芯片制造速度提高 15 倍（假设一个 10 kW 光源为一个光刻系统供电），或者同时为多个芯片制造 工具供电，从而降低成本。 来源：内容编译自 tomshardware 。 图片来源：反转光刻技术 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 Y-Combinator 支持的初创公司着眼于强大的激光尾场加速器，以实现先进的光 ...

荷兰ASML EUV光刻机样图（来源：ASML官网） 中国芯片极紫外（EUV）光刻光源技术获得重大突破，使用固体光源突破被美国"卡脖子"的局面。 4月29日消息，据环球时报旗下账号"哇喔·环球新科技"、观察者网等报道，中国科学院上海光学精密机 械研究所（简称中国科学院上海光机所）林楠研究员带领团队，绕过二氧化碳激光，使用固体激光器技 术成功开发出LPP-EUV光源，已经达到国际领先水平，对中国自主开展EUV光刻有重要意义。 上述报道称，该技术有望突破中国自主生产芯片的阻碍。 据悉，EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体（LPP）EUV光源，主要关注能量转换效率 （CE）。二氧化碳激光器激发的Sn等离子体 CE大于5%，是ASML光刻机的驱动光源，但此前这类光源 由美国Cymer制造，在世界范围内处于垄断地位。 因此，林楠团队考虑使用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源，但能量效率需要进一步提 升。目前林楠团队1um固体激光的CE最高可达到3.42%，超过了荷兰和瑞士研究团队的水平，虽然没有 超过4%，但已经达到了商用光源5.5%转化效率的一半。 林楠团队研究人员估计，光源实验平台的理论最大转换效率可 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 在从英特尔离开之后，前英特尔CEO帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 找到了新的岗位，那就去 EUV光源初创公司xLight的执行董事长。 熟悉半导体的读者应该知道，光刻技术的核心是光。目前，最先进的芯片制造采用一种名为极紫外 (EUV) 光刻的工艺，该工艺使用特定波长的光将电路图案以纳米级打印到硅pain上。目前产生 EUV 光的方法——激光等离子体 (LPP：Laser produced plasma)——极其耗电（约 1.5 兆瓦的电 力只能产生 500 瓦的光）。 而新创公司xLight则希望使用粒子加速器为光刻机产生光，并声称它可以在 2028 年之前生产出这 种光源，同时保持与现有工具的兼容性。 革命EUV光刻 xLight 在 官 网 表 示 ， 公 司 的 使 命 是 将 粒 子 加 速 器 驱 动 的 自 由 电 子 激 光 器 (FEL ： Free Electron Lasers ) 商业化，以满足美国关键的经济和国家安全应用。xLight也指出，公司正在打造全球最强 大的激光器，以革新半导体光刻、计量技术以及其他关键的经济和国家安全应 ...