公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容来自semiengineering 。 要使高 NA EUV 光刻技术发挥作用，需要采用适合制造的方法来拼接电路或对更大的掩模进行全面改 变。 曝光场之间的电路拼接对高数值孔径 (0.55) EUV 转换的设计、良率和可制造性提出了挑战。替代方 案是彻底将 6×6 英寸掩模版改为 6×11 英寸掩模版，从而消除电路拼接，但需要几乎完全更换掩模版 制造基础设施。 现代多核 SoC 具有越来越大的片上内存，通常难以保持在光罩极限内，即 193nm 浸没式和 EUV 光 刻的面积为 26 平方毫米，而由于变形镜头，高 NA 的光罩面积会缩小到该尺寸的一半。将中介层纳 入封装中允许晶圆厂将此类设计拆分为芯片，但中介层仍然必须适合标准场大小。该尺寸由光罩尺寸 （6×6 英寸）决定，光刻扫描仪会将其缩小 4 倍（最大为 676 平方毫米）。对于高 NA（0.55） EUV，该场要小一半，这也会使 EUV 工具的吞吐量减半。结果是每两次曝光的图案都必须拼接在一 起。 IBM研究员Christopher Bottoms 在最近的 SPIE 先进光刻与图案技术会议上表示 ...

在高NA曝光中，入射光以较小的角度照射到光罩上。由于EUV光学元件具有反射性，入射光可能 会在到达晶圆之前与折射光发生干扰。新思科技（Synopsys）的应用工程师Zachary Levinson解 释说，高NA系统使用变形镜头来避免这个问题，在一个方向上缩小4倍，在另一个方向上缩小8 倍。遗憾的是，这种解决方案会将标准6×6英寸光罩的曝光范围减半。 将单个电路层分割到多个光罩上会立即引发良率问题，尤其是对于尺寸本身就极具挑战性的关键 层。除了设计的两半必须彼此精确对准外，它们还必须与上方的完整场层对准。Levinson 估计， 2nm 的掩模间套刻误差将导致图案关键尺寸至少出现 10% 的误差，且不考虑任何其他误差源。 要使高NA EUV 光刻技术发挥作用，需要采用适合制造的方法来拼接电路或对更大的掩模进 行全面改变。 曝光场之间的电路拼接对高数值孔径 (0.55) EUV 转换的设计、良率和可制造性提出了挑战。替代 方案是彻底将 6×6 英寸掩模版改为 6×11 英寸掩模版，从而消除电路拼接，但需要几乎完全更换 掩模版制造基础设施。 现代多核 SoC 具有越来越大的片上内存，通常难以保持在光罩极限内，即 ...

来源：内容来自 Source：编辑部，谢谢。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 在日前英特尔推出了A14工艺之后，两大晶圆厂巨头正式入局这个巅峰之争。从目前的资料看来，总体而言，他们在 架构、EUV光刻和晶体管设计上展开了激烈竞争。 首先看台积电，据该公司执行副总裁兼联席首席运营官Yuh-Jier Mii （米玉杰）博士介绍，当前的发展方向是从 FinFET到Nanosheet。除了这些技术之外，垂直堆叠的NFET和PFET器件（称为CFET）也可能是实现器件微缩的候选 方案。除了CFET之外，沟道材料方面也取得了突破，可以进一步实现尺寸微缩和降低功耗。上图总结了这些进展。 米博士报告称，台积电一直在积极构建硅基CFET器件，以实现更高水平的微缩。台积电在2023年IEDM上展示了其首 款栅极间距为48纳米的CFET晶体管。今年在IEDM上，台积电展示了最小的CFET反相器。下图展示了该器件在高达 1.2V电压下均衡的性能特征。 英特尔将推出的 14A 工艺节点（计划于 2027 年进行风险生产）的性能指标，宣称其功耗将降低高达 35%。英特尔还 展示了其全新的 Turbo Cell 技术，这是一种可 ...

荷兰ASML EUV光刻机样图（来源：ASML官网） 中国芯片极紫外（EUV）光刻光源技术获得重大突破，使用固体光源突破被美国"卡脖子"的局面。 4月29日消息，据环球时报旗下账号"哇喔·环球新科技"、观察者网等报道，中国科学院上海光学精密机 械研究所（简称中国科学院上海光机所）林楠研究员带领团队，绕过二氧化碳激光，使用固体激光器技 术成功开发出LPP-EUV光源，已经达到国际领先水平，对中国自主开展EUV光刻有重要意义。 上述报道称，该技术有望突破中国自主生产芯片的阻碍。 据悉，EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体（LPP）EUV光源，主要关注能量转换效率 （CE）。二氧化碳激光器激发的Sn等离子体 CE大于5%，是ASML光刻机的驱动光源，但此前这类光源 由美国Cymer制造，在世界范围内处于垄断地位。 因此，林楠团队考虑使用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源，但能量效率需要进一步提 升。目前林楠团队1um固体激光的CE最高可达到3.42%，超过了荷兰和瑞士研究团队的水平，虽然没有 超过4%，但已经达到了商用光源5.5%转化效率的一半。 林楠团队研究人员估计，光源实验平台的理论最大转换效率可 ...

【文/观察者网 熊超然】美西方越是打压封锁，越会倒逼中国加快自主创新步伐。这一点，早已一次又 一次应验，如今也有望出现在半导体的极紫外光刻机（EUV）领域。 据《中国激光》杂志今年第6期（2025年3月下）所刊登的一篇研究论文称，中国研究人员已经建立了一 个运行参数具有国际竞争力的EUV光源实验平台，这对于我国自主开展EUV光刻及其关键器件与技术 的研发工作具有重要意义。香港《南华早报》4月29日对此报道时则认为，中方这一研究成果"突破了自 主生产先进芯片的障碍"。 报道称，该研究团队来自中国科学院上海光学精密机械研究所，由该研究所研究员林楠领导，他曾是荷 兰光刻机巨头阿斯麦公司（ASML）在光源技术方面的负责人。 论文指出，虽然阿斯麦采用的二氧化碳激光驱动技术优点显著，但林楠团队近期研究发现，固体激光驱 动技术历经近十年发展也有许多优势提升，并可能对我国自主开展EUV光刻及其关键器件与技术的研 发具有重要意义。 在所建立的激光驱动等离子体极紫外（LPP-EUV）光源实验平台上，中方团队破局高转换效率，所得 结果处于国际靠前、国内领先水平。科研人员还估计，该光源实验平台的理论最大转换效率可能接近 6%，他们正 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 在从英特尔离开之后，前英特尔CEO帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 找到了新的岗位，那就去 EUV光源初创公司xLight的执行董事长。 熟悉半导体的读者应该知道，光刻技术的核心是光。目前，最先进的芯片制造采用一种名为极紫外 (EUV) 光刻的工艺，该工艺使用特定波长的光将电路图案以纳米级打印到硅pain上。目前产生 EUV 光的方法——激光等离子体 (LPP：Laser produced plasma)——极其耗电（约 1.5 兆瓦的电 力只能产生 500 瓦的光）。 而新创公司xLight则希望使用粒子加速器为光刻机产生光，并声称它可以在 2028 年之前生产出这 种光源，同时保持与现有工具的兼容性。 革命EUV光刻 xLight 在 官 网 表 示 ， 公 司 的 使 命 是 将 粒 子 加 速 器 驱 动 的 自 由 电 子 激 光 器 (FEL ： Free Electron Lasers ) 商业化，以满足美国关键的经济和国家安全应用。xLight也指出，公司正在打造全球最强 大的激光器，以革新半导体光刻、计量技术以及其他关键的经济和国家安全应 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 根据市场研究公司Counterpoint Research周三发布的一项新分析报告，SK海力士史上首次夺 得全球DRAM市场冠军，超越了长期以来的行业领导者三星电子。 报告指出，今年第一季度，SK海力士占据了全球DRAM市场36%的份额，略高于三星电子的34%和 美光的25%。该公司强劲增长的关键驱动力在于其在高带宽内存（HBM）领域的主导地位，据报 道，该公司在该领域占据了70%的市场份额。 这是 SK 海力士自 1983 年成立以来首次在全球存储器市场占据主导地位。 三 星 电 子 曾 是 存 储 器 领 域 的 霸 主 ， 统 治 市 场 长 达 30 多 年 ， 如 今 却 被 挤 到 第 二 位 ， 市 场 份 额 为 34%，美光科技 (Micron Technology Inc.) 紧随其后，市场份额为 25%。 SK海力士之所以能反超三星，主要原因是人工智能蓬勃发展，对 HBM 芯片的需求强劲。 HBM，助SK海力士登顶 2013年，SK海力士在全球首次研发出HBM芯片时，市场对这种高性能芯片的需求并不高。 SK海力士在官方博客中也承认，起初，HBM ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自eetjp ，谢谢。 2025年2月25日（美国时间），美光科技（以下简称"美光"）开始出货采用第六代（10nm级）1γ （伽马）节点DRAM技术的DDR5内存样品。美光表示，这是"业界首次"采用 1γ 节点发运产品样 品。 该公司于同月27日举行新闻发布会，美光存储器日本公司DRAM开发部门高级副总裁Shigeru Shiratake介绍了1γ节点的特征和美光的技术动向。 与上一代 1β（beta）节点相比，1γ 节点的速度提高了 15%。功耗降低了20%以上，位密度提高了 30%以上。功耗的降低是通过HKMG（高k/金属栅极）和电路设计的改进实现的，而位密度的提高 则很大程度上得益于该公司首次在其产品中引入的EUV（极紫外）光刻技术。 Shiratake解释道，"到2028年为止的3年间，数据中心所需的内存容量将增加一倍，而且据说2030 年数据中心的电力消耗将占全球的8%以上。比以前更低的低功耗，正在成为内存发展的关键因 素。" 点这里加关注，锁定更多原创内容 *免责声明：文章内容系作者个人观点，半导体芯闻转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 2月26日，美光宣布已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代CPU设计的 1γ(1- gamma) 第六代 (10纳米级) DRAM节点DDR5内存样品。 在半导体行业的激烈竞争中，美光率先量产第六代 DRAM 芯片的消息，一时间引发业界关 注。这一突破性的进展，不仅展示了美光在技术研发上的强大实力，也为其在未来的市场竞争 中赢得了先机。 一直以来，三星和SK海力士在DRAM市场中占据着重要地位，而美光此次成功突围，率先推出 第六代DRAM芯片，或将打破原有的市场格局。 DRAM角逐： 美光反超三星和SK海力士 美光此次推出的1γ DRAM，在性能方面实现了全方位的突破，每一项提升都直击当下科技发展的痛 点与需求。 据了解，美光1γ DRAM节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧AI设备（如AI PC、智能手机和汽车）等未来计算平台的创新发展。美光1γ DRAM节点将首先应用于其16Gb DDR5 DRAM产品，并计划逐步整合至美光内存产品组合中，以满足AI产业对高性能、高能效内存 解决方案日益增长的需求。 美光基于1γ节点的16Gb DDR5产 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自tomshardware，谢谢。 3 月 25 日，美光推出了采用全新1γ (1-gamma) 制造工艺制造的 16Gb DDR5 设备，该工艺采用 EUV 光刻技术，这是美光的首创。新 IC 不仅比其前代产品性能更高，而且功耗更低，制造成本也 更低。该公司还表示，其 1γ 制造技术（第 6 代 10nm 级节点）最终将用于其他 DRAM 产品。 美光的 1γ 主打产品是该公司的 16Gb (2GB) DDR5 IC，其额定数据传输率为 9200 MT/s，行业标 准电压为 1.1V。与其前代产品（采用 1β 制造工艺制造的 16Gb DDR5 IC）相比，新器件功耗降低 了 20%，位密度提高了 30%，一旦新芯片的产量达到与 1β 16Gb DRAM 器件相当的水平，这可能 意味着生产成本也会相应降低。 虽然美光将其最新的 16Gb DDR5 IC 的速度定为 9200 MT/s，但这一速度等级明显高于最新版本的 DDR5 规范中的任何速度等级。该公司强调，该芯片可以很好地以符合 JEDEC 的速度等级运行，而 更高的速度等级将实现一定的未来防护和 ...