Core Viewpoint - The article discusses the significant transformation in data centers from a "compute-centric" approach to a "bandwidth-driven" model, highlighting the rise of High Bandwidth Memory (HBM) as a crucial infrastructure for large model computations [1][2]. Group 1: HBM Market Dynamics - HBM has evolved from being a standard component in high-performance AI chips to a strategic focal point in the semiconductor industry, with major players like Samsung, SK Hynix, and Micron viewing it as a key driver for future revenue growth [2][4]. - SK Hynix has established a dominant position in the HBM market, holding approximately 50% market share, with a staggering 70% share in the latest HBM3E products [6][10]. - Samsung is also actively pursuing custom HBM supply agreements with various clients, indicating a competitive landscape among these semiconductor giants [6][10]. Group 2: Customization Trends - Customization of HBM is becoming a necessity, driven by cloud giants seeking tailored AI chips, with SK Hynix already engaging with major clients like NVIDIA and Microsoft for custom HBM solutions [4][5]. - The integration of base die functions into logic chips allows for greater flexibility and control over HBM core chip stacks, optimizing performance, power consumption, and area [7][9]. Group 3: Hybrid Bonding Technology - Hybrid bonding is emerging as a critical technology for future HBM development, addressing challenges posed by traditional soldering techniques as stacking layers increase [12][18]. - Major companies, including Samsung and SK Hynix, are exploring hybrid bonding for their next-generation HBM products, which could lead to significant advancements in performance and efficiency [13][18]. Group 4: Future HBM Innovations - The article outlines the anticipated evolution of HBM technology from HBM4 to HBM8, detailing improvements in bandwidth, capacity, and power efficiency, with HBM8 expected to achieve a bandwidth of 64 TB/s and a capacity of up to 240 GB per module [20][21][27]. - Key innovations include the introduction of 3D integration technologies, advanced cooling methods, and AI-driven design optimizations, which are set to enhance the overall performance and efficiency of HBM systems [29][30]. Group 5: Competitive Landscape - The competition among DRAM manufacturers and bonding equipment suppliers is intensifying, with companies needing to collaborate across various domains to succeed in the evolving HBM market [33]. - The future of HBM technology will likely be shaped by the ability of companies to integrate diverse processes and resources, with the race for dominance in the post-AI era just beginning [33].

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自 Trendforce 。 据报道，三星寄希望于其在1c DRAM领域的进展，希望扭转HBM4时代的颓势，并大幅提升了良 率。据Sedaily报道，该公司最近在其第六代10纳米级DRAM（1c DRAM）晶圆的测试中实现了 50%至70%的良率，较去年的不足30%的水平大幅提升。 值得注意的是，与SK海力士和美光坚持使用更为成熟的HBM4 1b DRAM不同，三星正在大胆押 注下一代1c DRAM。据ZDNet报道，随着良率的稳步提升，该公司计划在其华城和平泽工厂提高 1c DRAM的产量，投资预计将于年底开始。 Sedaily 报道称，鉴于 DRAM 作为 HBM 核心组件的作用，这一进展也预示着三星的 HBM4 量产 计划将在今年晚些时候启动。 值得注意的是，据 Sedaily 援引业内消息人士称，凭借雄厚的现金储备和丰富的制造专业知识，三 星可能会重新审视其旧策略——利用规模经济来削减成本，并在 HBM4 时代凭借绝对的产量超越 竞争对手。 不过，据韩国媒体The Bell报道，与三星不同，SK海力士在1c DRAM的投资上采取了更为谨慎的 立场。 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自 kedglobal 。 SK海力士公司已将英伟达、微软和博通列为其定制化高带宽存储器 (HBM) 的主要客户，这使得这家 韩国芯片制造商在定制化和通用型人工智能存储器市场占据领先地位。 据业内人士周四透露，SK海力士近期已开始根据客户的具体要求设计定制化的HBM。该公司根据其 最大客户英伟达的交付时间表来选择客户。 一位半导体行业人士表示："鉴于SK海力士的产能以及大型科技公司推出人工智能服务的时间表，满 足七大巨头的所有需求并不现实。" 这位人士告诉《韩国经济日报》，"但该公司可能会根据HBM市场状况的变化，增加一些客户。" 大约 10 个月前，该公司公开表示已收到美国"七巨头"成员的定制 HBM 请求，这七大巨头包括苹 果、微软、谷歌、亚马逊、Nvidia、Meta 和特斯拉。 消息人士称，三星首款定制化 HBM（预计将是 HBM4E 的第七代）很可能在明年下半年推出。 目前，第五代 HBM3E 是量产中最先进的 AI 芯片，预计很快将过渡到第六代 HBM4。 据业内人士透露，三星正在与博通和 AMD 就供应定制化 HBM4 进行深入谈判 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自日经 。 SK 集团会长崔泰源（Chey Tae-won）表示，AI 记忆体芯片正变得更具专业性，且更依赖少数 「锁定」的核心客户。 崔泰源接受日经专访时表示，记忆体芯片将「变成一种更客制化的产品」，并根据芯片设计公司的 需求量身打造，这将导向一种以「客户锁定，并将其纳入生态系」为核心的商业模式。 SK 集团旗下的SK 海力士受惠于AI 热潮，目前已成为NVIDIA 高频宽记忆体（HBM）芯片的主 要供应商，而该公司最新的HBM4e 预计将于2026 年起用于NVIDIA 产品。 记忆体芯片应用广泛，从USB 随身碟到PC 用的DRAM 芯片都有，部分专家认为这是半导体业中 「最具商品化性质」的产品，因此也导致少数几间记忆体制造商之间为了争夺市占，长期陷入激烈 的价格战与大量生产模式。 但崔泰源强调这种认知正在改变，「记忆体不再只是单纯商品，变成便宜就好的选择」。随着与客 户合作设计AI 芯片变得更重要，SK 海力士也将策略转向聚焦少数核心客户。 崔泰源表示，「针对特定客户，我们将从产品开发的最初阶段开始深入合作和参与设计。HBM4e 相较传统的HB ...

最近，英特尔在电子元件技术大会（ECTC）上披露了多项芯片封装技术突破，尤其是EMIB-T，用于提 升芯片封装尺寸和供电能力，以支持HBM4/4e等新技术。 自新CEO陈立武上任以来，英特尔基本盘看来日益稳固，而新技术也进展颇大。 此外还包括新分散式散热器设计和新的热键合技术，可提高可靠性和良率，并支持更精细的芯片间连 接。 EMIB-T（Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSV）：是嵌入式多芯片互连桥接封装技术的重 大升级版本，专为高性能计算和异构集成设计。 EMIB-T的技术升级主要集中在三个方面：引入TSV垂直互连、集成高功率MIM电容器和跃升封装尺寸 与集成密度。 首先，在传统EMIB的硅桥结构中嵌入硅通孔（TSV），实现了多芯片间的垂直信号传输。 与传统EMIB的悬臂式供电路径相比，TSV从封装底部直接供电，将电源传输电阻降低30%以上，显著 减少了电压降和信号噪声。 这项设计使其能稳定支持HBM4和HBM4e等高带宽内存的供电需求，同时兼容UCIe-A互连技术，数据 传输速率可达32 Gb/s+。 作者：周源/华尔街见闻 这些芯片设计依赖于日益 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自skhynix，谢谢。 "我们致力于成为一家全方位面向AI的存储器供应商，这意味着需要构建客户所需的完整产品组 合，并在客户提出需求时实现精准高效地交付。同时，在开发新型HBM产品的过程中，我们将依 据客户的特定需求，提供定制化HBM，以满足客户多样化需求并提供最佳解决方案。" 2 凭借"一个团队（One Team）精神"，达成全球最佳HBM竞争力 尽管崔副社长的日程安排极为繁忙，但近期他却感受到了前所未有的成就感。这是因为SK海力士 在全球范围内率先成功向客户交付了第六代HBM产品——"12层HBM4"样品。 "在开发全新概念产品并实现其商业化的过程中，我们成功开拓了新市场，并与众多客户建立了联 系，积累了丰富的实践经验。尽管所有这些经验都弥足珍贵，但最令我印象最为深刻的是，我们先 于计划推出了12层HBM4的样品，在面向AI的存储器领域，该产品的速度处于全球顶尖水平。" SK海力士成功确立了全球领先的HBM竞争优势。这一卓越成就源于全体成员作为"一个团队（One Team）"的紧密协作，以及持续不断的技术创新。 随着人工智能技术的迅猛发展，作为其核心 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 综合自 zdnet ，谢谢。 SK海力士强调，下一代HBM（高带宽存储器）的商业化需要各个领域的技术进步。 尤其在电源效 率方面，与各大代工企业的合作有望更加紧密。 SK海力士副社长李圭在2日于仁川松岛国际会展中心举办的"KMEPS 2025定期学术会议"上介绍了 HBM的开发方向。 当天，副会长强调了SK海力士下一代HBM开发的三大任务：带宽、功率和容量。 带宽是衡量数据传输速度的标准。带宽越高，性能越好。要增加带宽，通常需要增加 I/O（输入/输 出端口）的数量。事实上，对于 HBM4（第 6 代），I/O 数量与 HBM3E（第 5 代）相比增加了一 倍，达到了 2,048 个。 "客户希望获得比 SK Hynix 所能生产的更高的带宽，有些客户甚至谈到高达 4,000 个 I/O，"该副 总裁解释道。 "但是，仅仅增加 I/O 数量并不总是一件好事，因此需要进行一些工作，例如将现有 的假凸点替换为实际可用的凸点。" 因此，下一代HBM有望在功耗和容量方面取得进步。具体来说，功耗与逻辑过程密切相关。 HBM 配备了逻辑芯片，负责堆叠 DRAM 的核心 ...