如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自eetjp ，谢谢。 2025年2月25日（美国时间），美光科技（以下简称"美光"）开始出货采用第六代（10nm级）1γ （伽马）节点DRAM技术的DDR5内存样品。美光表示，这是"业界首次"采用 1γ 节点发运产品样 品。 该公司于同月27日举行新闻发布会，美光存储器日本公司DRAM开发部门高级副总裁Shigeru Shiratake介绍了1γ节点的特征和美光的技术动向。 与上一代 1β（beta）节点相比，1γ 节点的速度提高了 15%。功耗降低了20%以上，位密度提高了 30%以上。功耗的降低是通过HKMG（高k/金属栅极）和电路设计的改进实现的，而位密度的提高 则很大程度上得益于该公司首次在其产品中引入的EUV（极紫外）光刻技术。 Shiratake解释道，"到2028年为止的3年间，数据中心所需的内存容量将增加一倍，而且据说2030 年数据中心的电力消耗将占全球的8%以上。比以前更低的低功耗，正在成为内存发展的关键因 素。" 点这里加关注，锁定更多原创内容 *免责声明：文章内容系作者个人观点，半导体芯闻转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 2月26日，美光宣布已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代CPU设计的 1γ(1- gamma) 第六代 (10纳米级) DRAM节点DDR5内存样品。 在半导体行业的激烈竞争中，美光率先量产第六代 DRAM 芯片的消息，一时间引发业界关 注。这一突破性的进展，不仅展示了美光在技术研发上的强大实力，也为其在未来的市场竞争 中赢得了先机。 一直以来，三星和SK海力士在DRAM市场中占据着重要地位，而美光此次成功突围，率先推出 第六代DRAM芯片，或将打破原有的市场格局。 DRAM角逐： 美光反超三星和SK海力士 美光此次推出的1γ DRAM，在性能方面实现了全方位的突破，每一项提升都直击当下科技发展的痛 点与需求。 据了解，美光1γ DRAM节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧AI设备（如AI PC、智能手机和汽车）等未来计算平台的创新发展。美光1γ DRAM节点将首先应用于其16Gb DDR5 DRAM产品，并计划逐步整合至美光内存产品组合中，以满足AI产业对高性能、高能效内存 解决方案日益增长的需求。 美光基于1γ节点的16Gb DDR5产 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译自tomshardware，谢谢。 3 月 25 日，美光推出了采用全新1γ (1-gamma) 制造工艺制造的 16Gb DDR5 设备，该工艺采用 EUV 光刻技术，这是美光的首创。新 IC 不仅比其前代产品性能更高，而且功耗更低，制造成本也 更低。该公司还表示，其 1γ 制造技术（第 6 代 10nm 级节点）最终将用于其他 DRAM 产品。 美光的 1γ 主打产品是该公司的 16Gb (2GB) DDR5 IC，其额定数据传输率为 9200 MT/s，行业标 准电压为 1.1V。与其前代产品（采用 1β 制造工艺制造的 16Gb DDR5 IC）相比，新器件功耗降低 了 20%，位密度提高了 30%，一旦新芯片的产量达到与 1β 16Gb DRAM 器件相当的水平，这可能 意味着生产成本也会相应降低。 虽然美光将其最新的 16Gb DDR5 IC 的速度定为 9200 MT/s，但这一速度等级明显高于最新版本的 DDR5 规范中的任何速度等级。该公司强调，该芯片可以很好地以符合 JEDEC 的速度等级运行，而 更高的速度等级将实现一定的未来防护和 ...