我国芯片领域取得新突破。 近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下 解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产 业化方案。 光刻是整个集成电路制造过程中耗时最长、难度最大的工艺，光刻胶则是光刻过程最重要的耗材，对光刻工艺 有着重要影响。随着中国半导体厂商的强势崛起以及下游需求的扩大，光刻胶的市场规模持续增长，据锐观产 业研究院报告，2024年我国光刻胶市场规模增长至114亿元以上，KrF光刻胶等中高端产品国产替代进程加 快，预计2025年光刻胶市场规模可达123亿元。 重大突破 为破解难题，研究团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域。他们在晶圆上进行标准的光刻曝光后， 将含有光刻胶聚合物的显影液快速吸取到电镜载网上，并在毫秒内将其急速冷冻至玻璃态，"定格"光刻胶在溶 液中的真实状态。 随后，研究人员在冷冻电镜中倾斜该样品，采集一系列倾斜角度下的二维投影图像，再基于计算机三维重构算 法，将这些二维图像融合成一张高分辨率的三维视图，分辨率优于5纳米。这种方法一举解决了传统技术无法 原位、三维、高分辨 ...

来源：科技日报 新方法"透视"光刻胶微观行为 可显著减少芯片光刻缺陷 光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日，北京大学化学与 分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描（cryo-electron tomography，cryo-ET）技术， 首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观 三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。 相关论文 近日刊发于《自然-通讯》。 "显影"是光刻的核心步骤之一，通过显影液溶解光刻胶的曝光区域，将电路图案精确转移到 硅片上。光刻胶如同刻画电路的颜料，它在显影液中的运动，直接决定电路画得准不 准、好 不好，进而影响芯片良率。长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为是"黑匣子"，工业界的 工艺优化只能靠反复试错，这成为制约7纳米及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一。 为破解难题，研究团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域。他们在晶圆上进行标 准的光刻曝光后，将含有光刻胶聚合物的显影液快速吸取到电镜载网上，并在毫秒内将其急 速冷冻至玻璃态，"定格"光刻胶在溶液中的真实状态。 随后，研究人员在冷冻电镜中倾斜 ...

为破解难题，研究团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域。研究人员最终合成出一张分辨率优 于5纳米的微观三维"全景照片"，一举克服了传统技术无法原位、三维、高分辨率观测的三大痛点。 彭海琳表示，冷冻电子断层扫描技术为在原子/分子尺度上解析各类液相界面反应提供了强大工具。深入 掌握液体中聚合物的结构与微观行为，可推动先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与 良率提升。 来源：科技日报 我国光刻胶领域取得新突破。 据科技日报，光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日，北京大学化学与 分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子 在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。相 关论文近日刊发于《自然·通讯》。 "显影"是光刻的核心步骤之一，通过显影液溶解光刻胶的曝光区域，将电路图案精确转移到硅片上。光刻 胶如同刻画电路的颜料，它在显影液中的运动，直接决定电路画得准不准、好不好，进而影响芯片良率。 长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为是"黑匣子"，工业界的工艺优化只能靠反复试错，这成为 ...

据科技日报，光刻技术是推动 集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及 合作者通过冷冻电子断层扫描技术， 首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显 著减少光刻缺陷的产业化方案。 相关论文近日刊发于《自然·通讯》。 "显影"是光刻的核心步骤之一，通过显影液溶解光刻胶的曝光区域，将电路图案精确转移到硅片上。光刻胶如同刻画电路的颜料，它在显影 液中的运动，直接决定电路画得准不准、好不好，进而影响芯片良率。 长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为是"黑匣子"，工业界的工艺优 化只能靠反复试错，这成为制约7纳米及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一。 为破解难题，研究团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域。 研究人员最终合成出一张分辨率优于5纳米的微观三维"全景照片"，一举 克服了传统技术无法原位、三维、高分辨率观测的三大痛点。 彭海琳表示，冷冻电子断层扫描技术为在原子/分子尺度上解析各类液相界面反应提供了强大工具。深入掌握液体中聚合物的结构与微观行 为， 可推动先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制 ...