全球存储市场涨价行情持续升温，行业高景气度稳步攀升，为国内存储产业链带来显著发展机遇。集邦 咨询最新数据显示，存储芯片核心品类DRAM与NAND闪存价格涨势延续，2026年第一季度，一般型 DRAM合约价从一月初公布的季增55%-60%，改为上涨90%-95%；NAND闪存产品合约价预计从季增 33%-38%上调至55%-60%。业内专家分析，此次行业上行的核心逻辑在于AI需求增长下的结构性供需 失衡，加之供给收缩与库存低位形成的共振效应，共同推动行业持续升温。 需求端的爆发式增长成为核心驱动力。AI产业快速迭代带动服务器存储需求激增，单台AI服务器内存 需求是普通服务器的8-10倍，间接挤压消费级产品供应；与此同时，消费电子市场库存去化完成，个人 电脑、智能手机出货量同步复苏，双重需求叠加进一步放大存储产品缺口，为价格上涨筑牢支撑。 作为国家高新技术企业、专精特新企业，嘉合劲威深耕DRAM、NAND模组领域，是国内头部内存模组 厂商。其旗下拥有光威、阿斯加特、神可三大品牌，光威聚焦大众消费市场，阿斯加特主打游戏电竞赛 道，精准覆盖多元消费群体。集邦咨询数据显示，2023年嘉合劲威在全球第三方内存模组厂商中， ...

炒股就看金麒麟分析师研报，权威，专业，及时，全面，助您挖掘潜力主题机会！ 记者|杨坪 编辑|巫燕玲 随着AI崛起引爆存储市场超级周期，国产存储厂商不仅迎来业绩上涨，更在资本化道路上加速竞跑。 继1月13日国内存储芯片厂商兆易创新正式登陆港股后，1月30日，全球最大的内存互连芯片厂商澜起科 技也正式启动港股全球发售，预计在2月9日开始在香港交易所挂牌交易，实现A+H两地上市。 这只是当前存储产业上市潮的一角。1月以来，又有三家存储企业向港股递交了上市申请，分别是独立 存储器厂商宏芯宇电子、生产代码型闪存芯片的企业芯天下、AI存储方案提供商星辰天合。其中，星 辰天合拟寻求通过第18C章规则在联交所主板上市。 与此同时，北交所与创业板也迎来存储企业冲刺。 主营存储颗粒产品、存储KGD产品等的专精特新小巨人企业——紫光国芯在近期进行了上市辅导备案 登记，拟申请在北交所上市。去年上半年获得创业板受理的首家未盈利企业——大普微，也在1月19日 收到了证监会的注册批文，有望成为企业级SSD第一股。 | 申报IPO的部分存储产业链公司 | | | | 记者:杨坪 编辑:巫燕玲 备注:含已辅导登记但尚未申报的企业 | | -- ...

记者｜ 杨坪 编辑｜巫燕玲 随着AI崛起引爆存储市场超级周期， 国产存储厂商不仅迎来业绩上涨，更在资本化道路上加 速竞跑。 继1月13日国内存储芯片厂商兆易创新正式登陆港股后，1月30日，全球最大的内存互连芯片厂 商澜起科技也正式启动港股全球发售，预计在2月9日开始在香港交易所挂牌交易，实现A+H两 地上市。 这只是当前存储产业上市潮的一角。1月以来，又有三家存储企业向港股递交了上市申请，分 别是独立存储器厂商宏芯宇电子、生产代码型闪存芯片的企业芯天下、AI存储方案提供商星辰 天合。其中，星辰天合拟寻求通过第18C章规则在联交所主板上市。 与此同时，北交所与创业板也迎来存储企业冲刺。 主营存储颗粒产品、存储KGD产品等的专精特新小巨人企业——紫光国芯在近期进行了上市 辅导备案登记，拟申请在北交所上市。去年上半年获得创业板受理的首家未盈利企业——大普 微，也在1月19日收到了证监会的注册批文，有望成为企业级SSD第一股。 | 企业名称 拟上市地 受理日期/辅导日期 主要产品或业务 | | | | 备注 | | --- | --- | --- | --- | --- | | 星辰天合 港股 | | 2026/1/ ...

自2025年三季度起，全球存储市场迎来涨价行情。TrendForce集邦咨询数据显示，存储芯片领域两大主 要产品类别DRAM与NAND闪存现货价格将持续上涨，2026年第一季度，NAND闪存产品价格预计上涨 33%—38%，一般型DRAM（即非HBM内存）价格将上涨55%—60%。业内专家认为，这波涨价并非简 单的市场周期波动，而是AI浪潮驱动下的产业重构。 Q 此次存储产品涨价的核心原因是什么？ A 核心驱动力是AI引发的结构性供需失衡，叠加供给收缩与库存低位引发共振效应。 在需求端，单台AI服务器内存需求是普通服务器的8—10倍，挤压了消费级产品供应。同时，消费电子 市场库存去化完成，个人电脑、智能手机出货量同步复苏，进一步加剧需求压力。 在供给端，头部厂商开启"弃低追高"策略，三星、SK海力士等将80%以上先进产能转向高毛利率的 HBM（高带宽内存），导致成熟产能缩减。TrendForce集邦咨询数据显示，2025年DRAM行业平均库存 周期降至10周，其中，原厂库存仅2—4周，处于极度紧张状态。 Q 此次涨价趋势预计会持续多久？ A 业内判断这是存储行业一轮持续2—3年的"超级周期"，关键因素在于产能 ...

据DIGITIMES周二报道，在韩国近期举办的下一代半导体技术趋势研讨会上，成均馆大学教授Seok-jun Kwon指出，存储行业正经历超级周期，DRAM价格在短短几个月内飙升300-400%。然而三星、SK海力 士和美光无法满足全球需求，这为中国存储制造商创造了进入市场的机会。 Kwon强调，中国企业的扩张潜力不仅限于消费零售领域，还包括企业级市场。即使只占据5-10%的市 场份额，也足以为其未来增长积累动能。 中国企业若能在这一窗口期获得更多技术经验，将对全球存储芯片格局产生深远影响。 技术追赶速度超预期 中国存储制造商正以惊人速度追赶韩国领先企业。2025年初，当SK海力士供应第三代高带宽内存 (HBM3E)芯片时，长鑫存储科技(CXMT)仍在开发HBM2技术，但到2025年年中就有报道称其已跃进至 HBM3开发阶段。 Kwon指出，CXMT的加速进展不仅源于自身资金，还得益于地方政府和华为的投资。新技术测试不仅 在CXMT自有工厂进行，还经常在华为投资的广东和上海工厂开展，使公司能在内部扩大生产前识别可 行方案。这种模式让CXMT缩短了研发周期，快速实现技术创新的商业化。 市场窗口期的战略意义 存储芯 ...

截至2026年1月22日 14:21，上证科创板芯片设计主题指数(950162)上涨0.34%，科创芯片设计ETF易方 达(589030)多空胶着，盘中换手39.6%，成交1.11亿元，市场交投活跃。 消息面上，美光确认内存芯片短缺延续至2026年后，三星、SK海力士削减NAND闪存产量，存储芯片 供需缺口扩大、价格上行。AI基础设施建设带动HBM、高带宽内存需求激增，或有望利好内存接口芯 片、存储控制芯片等设计环节，国产存储芯片设计加速突破，进一步打开成长空间。 野村证券分析师判断，存储行业的"超级周期"将至少延续至2027年，真正有意义的新增供给最早要到 2028年初期才会出现。该机构建议，投资者应在2026年继续超配存储龙头，把存储芯片"价格—利润— 估值"三击作为2026年存储投资主线，而不是仅把存储当HBM单一题材。 科创芯片设计ETF易方达(589030)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指 数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市 公司证券的整体表现。 ...

Market Overview - The storage sector saw a significant increase in early trading, with Baiwei Storage rising over 8%, and other companies like Tongfu Microelectronics, Purun Co., and Langke Technology also experiencing substantial gains [1][2]. Company Performance - Baiwei Storage (688525.SS) reported a price of 190.50, with an increase of 8.68% and a turnover rate of 7.26% [2]. - Tongfu Microelectronics (002156.SZ) had a price of 51.57, up by 7.01%, with a turnover rate of 9.80% [2]. - Langke Technology (300042.SZ) saw its stock rise by 5.30%, reaching a price of 31.21 [2]. - SK Hynix and Samsung Electronics, which together account for over 60% of NAND capacity, are reducing their flash memory production to maximize profits, potentially exacerbating supply shortages [3]. Industry Trends - Micron Technology indicated that the shortage of storage chips is expected to persist due to increased demand from AI infrastructure, with supply constraints likely to continue until 2026 [3][4]. - The global storage industry is shifting towards a "high profit, stable price, weak cycle" operational model, with DDR4 and DDR5 spot prices rising approximately 10% in the first half of January [3][4]. - The price of 16GB memory modules has surged from over 300 yuan a year ago to over 1100 yuan, reflecting a 2-3 times increase in other specifications [3]. Future Outlook - The storage industry's high demand is anticipated to drive growth in semiconductor equipment and materials companies, with domestic companies like Changxin Technology progressing in their IPOs, which may further expand capital expenditures [4]. - The introduction of new technologies, such as NVIDIA's memory storage platform, is expected to maintain the tight supply conditions in the storage sector, indicating a strong sustainability of the industry's super cycle [4][5].

值得注意的是，存储行业的这轮"超级周期"还有望持续至整个2026年，美光科技在去年12月公布的财报 中给出了极度乐观的业绩展望便能印证这一点。美光科技当时预计，2026财年第二季度营收为183-191 亿美元，好于已被多次上调的市场预期144亿美元;预计第二季度调整后每股收益为8.22-8.62美元，远超 市场预期的4.71美元。这一指引表明在全球AI基建浪潮下对存储芯片的需求十分强劲。该公司还将2026 财年资本开支预期从180亿美元提高至200亿美元，凸显出持续炸裂的存储芯片需求开始推动该公司加速 产能扩张步伐。 花旗集团分析师的看涨姿态更为激进。该行分析师认为，受AI智能体普及和AI CPU内存需求激增的驱 动，存储芯片价格将在2026年出现失控式上涨。花旗分析师们将2026年DRAM的平均售价(ASP)涨幅预 期从原本的53%暴力上调至88%，NAND的涨幅预期从44%上调至74%。 野村分析师则判断，这一轮始于2025年下半年的"存储行业超级周期"将至少延续至2027年，并且真正有 意义的新增供给最早要到2028年初期才会出现。野村分析师表示，投资者们在2026年应继续超配存储龙 头，把存储芯片"价 ...

这笔交易标志着美光科技持续推进全球扩张的最新举措。数据显示，美光科技上周五收涨7.76%，原因 是该公司当天在美国纽约州奥农多加县举行的内存制造综合体奠基仪式。该项目总投资高达1000亿美 元，规划建造最多四座晶圆厂，建成后将成为美国规模最大的半导体制造基地，同时也是全球最先进的 存储芯片生产基地之一。美光科技表示，该设施预计于2030年正式投产，产能将在随后十年内逐步释 放，以满足人工智能、数据中心及高性能计算等领域对先进存储芯片持续增长的需求。 美光科技股价在2025年累计上涨逾240%，今年以来再度上涨近27%。美光科技股价的亮眼表现得益于 存储行业在人工智能(AI)基建浪潮的推动下进入上行周期。2025年，随着全球AI基础设施建设进入爆发 期，存储行业迎来"超级周期"。核心逻辑在于，一方面，AI服务器对存储容量和带宽的需求远超普通服 务器。另一方面，行业产能向高端存储产品倾斜(如HBM)，挤压了传统存储产品的产能，从而引发了整 个存储行业的涨价潮。 值得注意的是，存储行业的这轮"超级周期"还有望持续至整个2026年，美光科技在去年12月公布的财报 中给出了极度乐观的业绩展望便能印证这一点。美光科技当时 ...

Group 1 - Micron Technology (MU.US) shares rose nearly 5% to $352.91 after board member Teyin Liu purchased 23,200 shares for $7.8 million, marking the first insider buy since 2022 [1] - Counterpoint Research indicates that the market has entered a "super bull market" phase, with storage chip prices expected to rise by 40% to 50% in Q1 2026 and an additional 20% in Q2 2026 due to increased demand for high-bandwidth memory driven by AI model training [1] - Major storage companies like Samsung, SK Hynix, and Micron have shifted over 40% of their advanced DRAM capacity to HBM production, leading to tight supply chains and significant price increases for some server memory products [1] Group 2 - Citigroup analysts predict that storage chip prices will experience uncontrollable increases in 2026, raising the average selling price (ASP) forecast for DRAM from 53% to 88% and for NAND from 44% to 74% [2] - Nomura analysts believe that the current "super cycle" in the storage industry, which began in the second half of 2025, will last at least until 2027, with meaningful new supply not expected until early 2028 [2] - Investors are advised to overweight leading storage companies in 2026, focusing on the "price-profit-valuation" dynamics of storage investments rather than solely on HBM as a single theme [2]