开源证券主要观点如下： 智通财经APP获悉，开源证券发布研报称，春节假期期间海内外大模型密集更新，海外科技以上涨为 主，国产大模型如千问、Seedance、混元、星火、百灵、智谱GLM、MiniMax等厂商也均有更新。该行 建议，重点关注受益海内外AI算力资本开支上调的相关方向，以及国产算力自主可控链条，和靶材、 被动元器件等涨价方向。推荐标的：江丰电子(300666.SZ)；受益标的：精测电子(300567.SZ)、芯原股 份(688521.SH)、澜起科技(688008.SH)、华正新材(603186.SH)、晶合集成(688249.SH)等。 市场回顾 2月21日金融界报道称，受成本攀升与供给持续偏紧的双重挤压，电子布第二轮涨价或将启动，据卓创 资讯数据，2025年10月、12月以及2026年1月、2月，普通电子布已经历四次涨价。智通财经报道， OpenAI正敲定新一轮融资计划，目标筹集1000亿美元，融资完成后公司估值将达到8300亿美元，同时 OpenAI更新长期资本开支计划，预计2030年实现总计约6000亿美元算力支出。 存力：三星和SK海力士加快扩产节奏，美光澄清HBM4传闻称进度好于预期。韩 ...

韩国芯片出口延续强劲涨势！ 当天，韩国股市大幅上涨。盘中，韩国首尔股市综合指数（KOSPI指数）一度涨超2%，创下历史新 高。芯片股集体走强，三星电子、SK海力士双双创出新高。 芯片出口暴增134% 尽管美国关税政策带来的贸易不确定性仍在持续，但在芯片需求坚挺的推动下，韩国2月出口延续增长 势头。 韩国海关今日公布的数据显示，经工作日差异调整后，2月前20天出口同比增长47.3%，高于1月整月修 正后的34%增幅。未经调整的数据显示，出口同比增长23.5%，进口同比增长11.7%，实现贸易顺差49.5 亿美元。 彭博社指出，尽管报告期内包含三天春节假期，工作日有所减少，但韩国2月整体贸易数据依然强劲， 表明在剔除日历因素后，出口动能仍然旺盛。 受人工智能与数据中心投资拉动，韩国2月前20天的芯片出口同比大增134%，延续强劲涨势；电脑外设 出口同比增长129%，石化产品出口同比增长11%。与此同时，汽车出口同比大跌近27%，汽车零部件出 口同比下滑约21%，反映出在美国关税政策下汽车行业仍在调整。 今日（2月23日），韩国公布的数据显示，2月前20天，受人工智能与数据中心投资拉动，韩国芯片出口 同比暴增134 ...

Group 1 - Samsung is negotiating the pricing of its latest AI storage chip, HBM4, aiming for a price around $700, which is 20% to 30% higher than HBM3E [1] - The pricing strategy has led to a significant increase in Samsung's stock price, reaching a historical high with an intraday gain of over 5% [1] - Analysts estimate that the operating profit margin for Samsung's HBM4 could be as high as 50% to 60% [1] Group 2 - The pricing and production of HBM4 highlight the industry's regained pricing power, indicating a tight supply in the AI storage chip market [3] - SK Hynix is also expected to set a higher price for HBM4, with previous pricing for HBM4 supplied to Nvidia at around $500 [3] - Nvidia has allocated over 55% of this year's HBM supply to SK Hynix, while Samsung holds over 20% to nearly 30% [3] Group 3 - Both Samsung and SK Hynix are accelerating the production timelines for new wafer fabs due to the surge in demand for AI-driven memory chips [5] - SK Hynix plans to start trial operations of its Longjin Phase I fab earlier than expected, while Samsung is moving up the production timeline for its P4 factory [5] - The focus of new production lines will be on high-value products like high-performance DRAM and HBM, leading to a reduction in general DRAM output [5] Group 4 - Major market research firms predict that memory supply shortages will persist until 2027, prompting both Samsung and SK Hynix to increase capital expenditures to address the shortage [6] - Samsung's memory division has indicated plans for significant equipment investment expansion in 2026, although current and next year's expansions may be limited [6]

来源：智通财经 周四，韩国存储芯片巨头三星电子股价再度创下历史新高。此前有报道称，该公司正就其最新一代人工 智能（AI）存储芯片的定价进行谈判，价格将较上一代高出至多30%。 三星股价盘中一度上涨逾5%，最高触及190900韩元的历史高点。今年以来，三星股价已经累计上涨近 50%，延续了2025年的迅猛涨势。 与此同时，在存储板块的引领下，韩国股市周四再刷新高，韩国基准股指Kospi指数盘中最高涨至 5681.65点，截至收盘，上涨逾3%。 消息称，三星计划将其HBM4组件的售价定在约700 美元，较HBM3E高出20%至30%。 盛宝市场（Saxo Markets）首席投资策略师Charu Chanana表示，有关三星 HBM4 的报道再次凸显了该行 业的 "定价权"。 "这表明AI存储芯片市场供应依然紧张，同时三星认为自己在高端（芯片）市场重新夺回了 一定的定价话语权。"她表示。 存储芯片短缺持续利好三星与其本土竞争对手SK海力士，推动Kospi指数年初迄今大涨34%，使其成为 全球表现最佳的股市。 在AI竞赛初期一度落后于SK海力士后，三星正强势反攻。就在上周，三星宣布已开始量产HBM4芯 片，并已向客 ...

面对人工智能驱动的内存芯片需求激增，韩国两大存储巨头三星电子与SK海力士正加速推进新建晶圆 厂的投产进程，战略重心由此前的谨慎控货转向积极扩产，以抢占行业"超级周期"红利。 据韩国《朝鲜日报》报道，SK海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间提前至明年2-3月，在竣工 日期前着手启动。三星电子亦将平泽P4工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划前 移约三个月。两家公司均将在新产线重点部署高附加值产品，如高性能DRAM与HBM（高带宽内 存）。 本轮提速扩产的背景，是全球AI数据中心扩张带来的服务器芯片需求井喷。KB证券数据显示，截至今 年2月，主要客户的内存芯片需求满足率仅约60%，短缺程度较去年四季度进一步加剧。三星电子内存 出货量中已有约70%被AI数据中心企业吸收。 市场普遍预期供应紧张态势将持续至2027年。花旗集团预测，今年DRAM与NAND闪存的供给增速分别 为17.5%和16.5%，而需求增速则高达20.1%和21.4%。 新产线提前数月投产 SK海力士正在龙仁半导体集群建设一期晶圆厂，目标是明年5月竣工。该项目外部框架工程已完成约一 半，6个洁净室中的3个正在同步建设中。这座三层结 ...

Core Viewpoint - The demand for memory chips driven by artificial intelligence is prompting South Korean giants Samsung Electronics and SK Hynix to accelerate the production timeline of new wafer fabs, shifting their strategy from cautious inventory control to aggressive capacity expansion to capture the "super cycle" benefits in the industry [1]. Group 1: Production Expansion Plans - SK Hynix plans to advance the trial operation of its Longjing Phase I wafer fab to February-March next year, ahead of its completion date [1][2]. - Samsung Electronics is moving the production timeline of its P4 factory from Q1 next year to Q4 this year, compressing the schedule by about three months [1][2]. - Both companies will focus on high-value products such as high-performance DRAM and HBM in their new production lines [1][2]. Group 2: Market Demand and Supply Dynamics - The surge in server chip demand due to the expansion of AI data centers has led to a significant increase in memory chip demand, with a fulfillment rate of only about 60% as of February this year [1][4]. - Samsung's memory shipments have seen approximately 70% absorbed by AI data center companies [4]. - Market expectations indicate that supply tightness will persist until 2027, with demand growth rates for DRAM and NAND flash projected at 20.1% and 21.4%, respectively, outpacing supply growth rates of 17.5% and 16.5% [4][5]. Group 3: Capital Expenditure and Strategic Intent - Both Samsung and SK Hynix have announced plans to increase capital expenditures this year to address memory shortages, with Samsung's memory division indicating a significant expansion in equipment investment by 2026 [6]. - The companies are attempting to signal stable supply to customers by rapidly entering trial operation phases, despite the inherent delays in achieving stable mass production [6].

SK 海力士正在龙仁半导体集群建设一期晶圆厂，原计划于明年 5 月竣工。目前一期厂房外部结构施 工已过半，规划中的 6 座洁净室已有 3 座同步建设。洁净室是对粉尘、微生物与颗粒物进行严格管 控的专用空间。SK 海力士龙仁一期厂房为三层建筑，规模相当于清州厂区的 6 座 M15X 晶圆厂。 据报道，SK 海力士正计划提前试产，最早可能在明年 2—3 月启动。公司将在龙仁一期率先完工的 洁净室内快速完成设备安装，实现提前投产，主要生产在 AI 时代需求激增的高性能 DRAM（如 DDR5）与高带宽内存 HBM。 三星电子也在平泽建设P4（第四座）晶圆厂，原计划明年第一季度竣工，如今工期有望提前至今年第 四季度，整体缩短约三个月。三星会根据市场行情调整存储与代工设备的配置，P4 厂大概率将生产 目前供不应求的高性能存储芯片。近期有消息称，三星已制定战略，在 P4 厂新建一条10 纳米级第 六代（1c）DRAM 生产线，专门用于 HBM 生产，新线月产能预计可达 10 万 —12 万片晶圆。一位 半导体行业人士表示："韩国存储厂商正疯狂赶工，提前投产时间表。" 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 随着" ...

来源：环球网 据业内人士披露，三星电子此前仅在京畿道园区部署过一台High-NA EUV设备，且主要用于研发环 节。此次引进的两台设备则聚焦"产品量产"，是该企业首次将此类先进设备应用于量产场景。按照规 划，三星电子将于今年内完成第一台设备的引进工作，明年上半年再引进第二台，逐步完善量产设备布 局。 此次三星计划引进的设备为Twin Scan EXE:5200B，该设备属于0.55数值孔径（NA）的High-NA极紫外 光刻系统，是TWINSCAN EXE:5000的升级版本。在技术性能上，它不仅进一步提升了对准精度，还大 幅提高生产效率，被行业公认为生产下一代半导体芯片与高性能DRAM的核心必备设备。 【环球网科技综合报道】10月16日消息，据KED Global报道，三星电子宣布一项重大投资计划，将投 入约1.1万亿韩元引进两台最新的High-NA双级极紫外（EUV）光刻机，此举标志着该企业在下一代半 导体芯片量产领域迈出关键一步。 | | | 与此前的NXE系统相比，Twin Scan EXE:5200B优势显著。其成像对比度提升40%，分辨率可达8纳米， 能让芯片制造商通过单次曝光实现比TWINSCA ...