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Micron Elevates PC Performance, Unveils Adaptive Write Technology and G9 QLC NAND
Globenewswire· 2025-06-26 13:01
Core Insights - Micron Technology, Inc. has launched the Micron 2600 NVMe SSD, which utilizes the industry's first 9th-generation QLC NAND and Adaptive Write Technology (AWT) to enhance performance and user experience in client devices [7][8]. Performance and Technology - The Micron 2600 SSD achieves up to 63% faster sequential write speeds and 49% faster random write speeds compared to competing value QLC and TLC SSDs, providing a superior user experience for demanding applications [7][9]. - AWT dynamically utilizes SLC, TLC, and QLC modes to optimize write performance, allowing for up to four times faster sequential write speeds while continuously writing up to 800GB of data to a 2TB SSD [9][10]. - The six-plane NAND architecture of Micron's 2Tb G9 QLC NAND enhances parallelism, enabling higher read and write command throughput, with speeds reaching up to 3.6 GB/s [10]. Product Specifications - The Micron 2600 SSD is available in various form factors (22x30mm, 22x42mm, and 22x80mm) and capacities ranging from 512GB to 2TB, making it suitable for ultra-thin laptops, handheld devices, and workstations [12]. - The SSD's design is optimized for high-capacity and efficient performance, significantly improving productivity for common applications [11][19]. Industry Impact - The introduction of the Micron 2600 SSD is expected to drive broader commercial adoption of QLC NAND technology, as it combines high performance with cost-effective solutions for OEMs [8][14]. - Industry leaders, including AMD and Intel, have recognized the Micron 2600 SSD as a transformative product that enhances user experience and performance in modern computing environments [13][15].
“近一个月涨了50%!” 原厂停产引发备货潮,部分存储产品猛涨价
Di Yi Cai Jing· 2025-05-30 07:54
存储原厂面向AI带来的新需求,正进行制程转换。 部分存储产品传来了涨价的消息。"这段时间有的涨了100%,有的一个月内涨了50%,这个月涨幅非常大。"深圳一家头部存储模组厂商的销 售负责人张丽(化名)告诉第一财经记者,一些DRAM产品近期出现涨价,主要是DDR4和DDR3在涨,背后的驱动因素不是需求增长,而是 原厂停产。 DRAM即动态随机存取存储器,是目前两种最主要的存储颗粒之一,DDR4和DDR3分别是第四和第三代双倍数据速率SDRAM。市场研究机 构的数据也显示,近期DDR4价格涨势尤其迅猛。 频频涨价 "深圳市场表现火热,买家问价动作较多,部分DDR4价格持续拉升,目标价格也有所提高,但仍难以跟上报价。" TrendForce集邦咨询在29日 的市场动态报告中称。 "上周(采购时)我报你4元,你问3.8元行不行。这周再来问价,我说现在4.5元了,你又问能不能按上周报的4元,我说不好意思,马上变成 4.8元了。就是按这个节奏涨的。"张丽向记者形容。 涨价背后,今年2月,有消息称美光、三星和SK海力士可能在今年年底前停止生产DDR3和DDR4内存。4月,有消息称三星通知了PC制造 商,将在今年年底前停产D ...
2024-2025年全球存储市场趋势白皮书解读(57页附下载)
Sou Hu Cai Jing· 2025-05-28 12:37
• 数据中心扩建:全球数据中心基础设施扩建浪潮升温,AI基础设施投资增加,推动服务器存储需求增长。 《2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》由CFM闪存市场发布,深入分析了全球存储市场在2024-2025年期间的变化、技术发展趋势以及不同应用场景下的 存储产品发展情况。白皮书涵盖了从技术进步、市场需求变化到产品应用趋势的多个方面,为存储市场参与者提供了全面的市场洞察。 全球存储市场变化和技术发展分析 高层数3D NAND Flash存储密度持续提升 • 技术进展:NAND Flash产品在读写性能、功耗、耐久性和成本等方面持续优化。高层数的NAND Flash采用双晶圆键合架构,通过横向拓展和垂直堆叠提 升存储密度。 • 挑战:随着层数增加,高纵横比刻蚀和沉积工艺复杂性增加,易出现易错位和沟道刻蚀偏离问题。存储厂商通过横尚拓展多层存储孔密度、逻辑拓展单元 存储比特等方式克服挑战。 • 市场动态:三星、SK海力士等厂商在300层以上NAND的量产计划中,W2W(Wafer-to-Wafer)双品圆键合技术成为重要发展方向。 服务器NAND和DRAM应用占比持续增长 • NAND应用:2024年服务器、手机 ...
三星提前停产MLC NAND存储器 引爆新一轮抢货潮
Jing Ji Ri Bao· 2025-05-27 23:26
全球存储器龙头三星有意退出MLC储存型快闪存储器(NAND Flash)市场,通知客户只接单到6月,并 通过涨价要客户知难而退,「不要来下单」,业界急寻新供应商,引爆新一波抢货潮。值此NAND报价 向上之际,三星停供将引动市况更热,群联、威刚、创见等NAND族群受惠。 业界指出,三星去年下半年就酝酿规划退出MLC NAND市场,原先时间点是今年下半年,如今提前停 产,将剩余手中库存销货完毕后就不再制造,使需要MLC规格NAND Flash的客户开始紧急寻求握有大 量库存的模块厂支持。 业界表示,现在NAND Flash规格主流虽正朝QLC方向推进,但MLC规格稳定性高,工规、物联网、电 视甚至车用等利基型高毛利应用仍大量采用MLC NAND,市场规模仍大,三星为最大供应商,停供将 导致下游很紧张。 根据了解,NAND Flash单元将数据储存在一个存储单元中,每个单元能够储存多个信息,不同类型的 NAND Flash,如SLC、MLC、TLC和QLC,其最大差别在于存储器芯片的储存信息单元量不同,SLC 规格的稳定性最高,但容量密度最低,现阶段消费性及企业级市场已开始往TLC、QLC推进。 韩媒The Ele ...
三星MLC NAND,将停产
半导体芯闻· 2025-05-27 10:21
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容 编译自 thelec 。 据 TheElec 获悉,三星将很快退出多层单元 (MLC) NAND 业务。 消息人士称,这家韩国科技巨头计划只接收下个月之前的芯片订单。 他们表示,该公司还告诉一位客户,其正在提高 MLC NAND 价格,因此客户正在寻找另一条供 应线。 除了该客户之外,LG Display 还在寻找另一家 MLD NAND 供应商来取代三星。 这家显示面板制造商一直在其用于大型 OLED 面板的 4GB eMMC 上使用三星的 MLC NAND。 对于 eMMC(嵌入式多媒体卡),该公司一直使用三星、ESMT 和 Kioxia 的产品。ESMT 在其 eMMC 中使用了三星的 MLC NAND。Kioxia 在其供应给 LG Display 的 eMMC 上使用了自己的 MLC NAND。 随 着 MLC NAND 生 产 的 结 束 , 三 星 可 能 会 将 资 源 集 中 在 三 级 单 元 (TLC) 和 四 级 单 元 (QLC) NAND 上。 TLC是全球NAND市场的主流,根据Mordor Intelligence的数据,T ...
2024-2025年全球存储市场趋势白皮书
Sou Hu Cai Jing· 2025-05-25 10:14
(一)3D NAND技术持续突破 高层数3D NAND Flash通过双晶圆键合架构、横向拓展等方式提升存储密度,三星、SK海力士等厂商已推进300层以上技术量产,如三星400层NAND预计 2025年大规模量产。混合键合技术成为关键方向,可解耦存储单元与CMOS电路,提升性能与可靠性,长江存储与三星已达成相关专利许可协议。 (二)服务器存储需求爆发 一、全球存储市场技术发展与应用变化 2025年全球智能手机出货量12.10亿部,AI手机渗透率30%。UFS4.0在高端机型应用增加,手机单机NAND容量预计超220GB,DRAM超8GB,国产手机品牌 出海带动存储需求增长。 三、AI消费电子与存储新机遇 (一)AI眼镜成为新爆点 Ray-Ban Meta带动AI眼镜市场,2025年出货量有望达1000万副,字节跳动、华为等企业入局。技术路线分传统眼镜升级与AR功能迭代,存储方案向 128GB/256GB超薄ePOP发展。 2025年全球PC出货量预计2.61亿台,AI PC渗透率达35%。AI PC推动PCle 4.0/5.0 SSD应用,2025年PCle 5.0 SSD出货占比6.2%,国产存储厂商如长江 ...