较强 趋势方向 主力成本分析 47.37 元 联瑞新材688300 时间: 2025年7月7日星期一 63.24分综合得分 当日主力成本 45.86 60日主力成本 周期内涨跌停 过去一年内该股 元 5日主力成本 44.12 元 20日主力成本 42.08 元 涨停 0次 跌停 0 次 北向资金数据 | 持股量62.72万股 | 占流通比0.33% | | --- | --- | | 昨日净买入6.67万股 | 昨日增仓比0.036% | | 5日增仓比0.011% | 20日增仓比0.012% | 技术面分析 46.55 短期压力位 44.70 短期支撑位 46.55 中期压力位 41.10 中期支撑位 股价突破短期压力位，短线有望走强； 股价突破中期压力位，中线有望走强 K线形态 ★跳空缺口★ 注意向上还是向下跳空，出现向上跳空缺口，并伴有较大的成交量时，可积极参与；若出现向下 跳空缺口，说明市况已发生逆转，原来的升势已经结束，继续下跌的可能性很大 ★长上影★ 表明行情上档压力沉重,升势受阻 2025年07月07日的资金流向数据方面 | 主力资金净流入4872.78万元 | | --- | | 占总成交额 ...

他预计，今年三星向英伟达新芯片的出货量不会太大。三星此前在3月预期，其HBM芯片有望在6月取得重大进展，但该公司拒绝评论其HBM3E 12层芯片是否已通过英伟达的认证。不过，该公司已于6月开始向美国公司AMD供应该芯片。 据LSEG SmartEStimate预测，三星电子4-6月经营利润预计为6.3万亿韩元（46.2亿美元），较去年同期的10.4万亿韩元大幅下滑39%，创下六个季 度以来最低水平。 尽管其主要竞争对手SK海力士和美光已受益于AI所需内存芯片的强劲需求，但三星的增长却显得乏力。美国贸易政策的不确定性继续对其多项核 心业务构成风险。此外，三星最新版本的高带宽内存芯片获得英伟达认证的进展缓慢，也进一步加剧了其困境。 三星股价今年以来上涨约19%，但表现逊色于基准KOSPI指数27.3%的涨幅，成为今年主要存储芯片制造商中表现最差的股票。截止发稿，三星电 子股价下跌1.9%。 高带宽内存供应遇阻叠加贸易不确定性，三星市场份额承压 三星在高带宽存储芯片业务方面的困境主要源于其最新版本HBM芯片获得英伟达认证的进展缓慢。NH Investment & Securities高级分析师Ryu Young-h ...

随着AI进入推理范式及多智能体阶段,分布式算力需求呈指数级增长。在推理场景中,AI模型需实时处理 海量数据以做出决策;多智能体系统要求多个智能体高效协作通信。传统计算架构难以应对如此庞大的 计算压力,这促使液冷技术、高带宽内存和专用互联网络等领域不断创新。液冷技术有效解决散热难题, 高带宽内存提升数据处理速度,专用互联网络实现低延迟通信,为分布式计算提供坚实支撑。 在科技飞速发展的当下,AI技术已成为推动各行业变革的核心力量,而AI计算基础设施作为其底层支撑,正 经历着从单一GPU集群向综合AI工厂的重大变革。 过去,单一GPU集群凭借强大的并行计算能力,在AI模型训练领域发挥了重要作用。但随着AI应用场景愈 发复杂多样,从智能语音助手到自动驾驶汽车,从医疗影像诊断到金融风险预测,单一GPU集群逐渐难以满 足需求。综合AI工厂应运而生,它将计算、存储、网络和冷却系统等关键要素有机整合。通过智能调度 算法,计算资源可根据不同AI工作负载动态分配,存储系统提供海量数据（603138）存储与快速访问,高速 网络确保数据高效传输,先进的冷却系统保障设备稳定运行。这种整合使得AI工厂能为各类AI任务提供 高度可扩展的解 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 综合自 zdnet ，谢谢。 SK海力士强调，下一代HBM（高带宽存储器）的商业化需要各个领域的技术进步。 尤其在电源效 率方面，与各大代工企业的合作有望更加紧密。 SK海力士副社长李圭在2日于仁川松岛国际会展中心举办的"KMEPS 2025定期学术会议"上介绍了 HBM的开发方向。 当天，副会长强调了SK海力士下一代HBM开发的三大任务：带宽、功率和容量。 带宽是衡量数据传输速度的标准。带宽越高，性能越好。要增加带宽，通常需要增加 I/O（输入/输 出端口）的数量。事实上，对于 HBM4（第 6 代），I/O 数量与 HBM3E（第 5 代）相比增加了一 倍，达到了 2,048 个。 "客户希望获得比 SK Hynix 所能生产的更高的带宽，有些客户甚至谈到高达 4,000 个 I/O，"该副 总裁解释道。 "但是，仅仅增加 I/O 数量并不总是一件好事，因此需要进行一些工作，例如将现有 的假凸点替换为实际可用的凸点。" 因此，下一代HBM有望在功耗和容量方面取得进步。具体来说，功耗与逻辑过程密切相关。 HBM 配备了逻辑芯片，负责堆叠 DRAM 的核心 ...