3Q25新旧世代DRAM交替，合约价走势分化，Consumer DDR4将季增逾40% 根据Tr endFor c e集邦咨询最新调查，由于三大DRAM原厂将产能转向高阶产品，并陆续宣布 PC/Se rve r用DDR4以及Mobil e用LPDDR4X进入产品生命周期末期(EOL)，引发市场对旧世代 产品积极备货，叠加传统旺季备货动能， 将推升2025年第三季一般型DRAM(Conventional DRAM)价格季增10%至15%，若纳入HBM，整体DRAM涨幅将季增15%至20% 。 点击右边 阅读原文 了解更多详情 预估3Q25 NAND Flash合约价季增5%至10%，手机需求弱抑制eMMC、UFS涨幅 根据Tr endFor c e集邦咨询最新调查，NAND Fl a sh市场历经2025年上半年的减产与库存去化， 供需失衡情况已明显改善。随着原厂转移产能至高毛利产品，市场流通供给量缩减。需求面则 有企业加码AI投资，以及NVIDIA（英伟达）新一代Bl a ckwe ll芯片大量出货支撑。展望第三季 NAND Fl a sh价格走势， 预估平均合约价将季增5%至10%，但eMMC、UFS产品因 ...

Core Viewpoint - The release of the new LPDDR6 standard by JEDEC represents a significant advancement in memory technology, aimed at enhancing speed, efficiency, and security for mobile devices and artificial intelligence applications [1][5]. Performance Enhancements - LPDDR6 features a dual-channel architecture that maintains a 32-byte access granularity while allowing flexible operations, optimizing channel performance with two sub-channels per chip, each having 12 data signal lines [3][4]. - The standard includes dynamic write non-target on-die termination (NT-ODT) to improve signal integrity based on workload demands [3]. Power Efficiency - LPDDR6 operates at a lower voltage and power consumption compared to LPDDR5, utilizing two VDD2 power supplies to meet increasing power efficiency demands [3]. - Additional energy-saving features include low-power dynamic voltage frequency scaling (DVFSL) and support for partial self-refresh and active refresh to reduce refresh power [4]. Security and Reliability - The standard incorporates features such as command/address (CA) parity checking, error clearing, and built-in self-test (MBIST) to enhance error detection and system reliability [5]. - The Carve-out Meta mode allocates specific memory areas for critical tasks, improving overall system reliability [4]. Industry Support and Impact - Industry leaders, including Qualcomm and MediaTek, express confidence that LPDDR6 will significantly impact mobile applications, edge AI computing, data centers, and automotive sectors [5][6][7]. - The standard is expected to meet the growing demands for AI inference, providing the necessary speed, bandwidth, and capacity while maintaining cost, efficiency, and reliability [5][8].

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容来自 工商时报 。 全球DRAM市场进入结构性转折阶段，前四大原厂三星、SK海力士、美光与中国大陆长鑫存储敲定DDR4产品停产计划 （End of Life, EOL），加速将产能转向DDR5与高频宽记忆体（HBM）等先进制程产品，记忆体市场供需结构正面临剧 烈变动。 根据供应链接获原厂EOL时程，三星于2025年6月完成DDR4芯片最终接单，并于同年12月中上旬完成模组出货。 SK海力 士推估，2025年10月停止接单，2026年4月完成最终出货。 美光则于2025年6月初通知客户其DDR4将进入EOL阶段，预计2026年第一季将陆续停止出货。三大记忆体原厂把产能全 部转到DDR5与HBM后，旧制程产能释出极少。 业者指出，值得注意的是，美光生产线将转产12纳米制程，台湾厂房产线清空后，设备要搬运回美国，中间的转换期，将 造成供给空窗期。 陆厂长鑫存储作为全球第四大DRAM原厂，则计划在2025年第四季完成DDR4最后出货，未来聚焦DDR5等产品，支援本 土需求。 业者分析，本波EOL涵盖消费性、行动装置、个人电脑与资料中心等主力应用领域，仅少数车用 ...

市场估值已超千亿元的芯片制造企业，正式开启其IPO上市之路。 7月7日，中国证券监督管理委员会官网披露的《关于长鑫科技集团股份有限公司首次公开发行股票并上 市辅导备案报告》显示，长鑫科技集团股份有限公司（下称"长鑫集团"）的上市辅导申请已获受理。 有接近长鑫集团的人士向记者透露，该公司在2024年3月完成一轮关键融资后，其市场估值达到了1508 亿元。 不过，在当前全球存储芯片市场格局因人工智能（AI）浪潮挑战下，其特殊的"无主"身份、与产业龙头 兆易创新的深度绑定，以及在高端存储技术上的追赶压力，都让这次IPO充满了看点。 "无主"的千亿巨头：与兆易创新的深度绑定 长鑫集团的股权结构，呈现出"无控股股东"的特殊形态。辅导备案报告显示，其第一大股东为持股 21.67%的"合肥清辉集电企业管理合伙企业（有限合伙）"。 报告进一步披露，公司的第一大股东为"合肥清辉集电企业管理合伙企业（有限合伙）"，直接持有 21.67%的股份。 向上的一极，是由AI服务器需求爆发所驱动的高端产品市场。用于AI芯片的高带宽存储器（HBM）和 高密度DDR5等产品，需求旺盛、价格坚挺，已成为驱动整个DRAM产业营收增长的核心引擎。 ...

一场科技战的硝烟再起，中国存储巨头吹响了登陆A股的号角。 股权结构显示，长鑫存储无实际控制人，它拥有豪华的股东阵容，第一大股东合肥清辉集电持股21.67%，国家集成电路产业投资基金二期、腾 讯投资、阿里巴巴、云锋基金、等都是它的股东。值得注意的是，同为存储芯片龙头的上市公司兆易创新作为战略投资者， 2024年3月增资15亿元 获得约1.88%股权。 长鑫存储是目前国内规模最大、技术最先进的DRAM存储芯片企业。据了解，公司已成功量产多款DRAM产品，包括DDR4、LPDDR4、 LPDDR5等，并计划在2025年底至2026年间量产HBM3高频宽记忆体。有市场机构预测，长鑫存储的产能将在2025年增长50%，其在DDR5和 LPDDR5市场的份额也将显著提升。 目前，全球DRAM市场长期被韩美厂商垄断，有数据显示，2025年第一季度韩国的SK海力士、三星电子和美国美光科技分别占据全球36%、 34%和25%的市场份额，三家合计高达95%。有专家认为，虽然长鑫存储与上述三家企业的技术代差可能还有3-4年，但它的技术在加速迭代追赶全 球先进水平。 来源：张力 长鑫存储的上市还将带来积极的连锁效应，它将对整个国产存 ...

拉长时间线看，8GB DDR4 3200MHz模组价格从年初的1.63美元跃升至5.1美元，涨幅超 200%；16GB DDR4 3200MHz突破12.8美元，较年初涨260%。 三大原厂集体退出引发涨价潮 近日，有市场消息表示，存储大厂向终端客户公布新一轮合约价，DDR4、LPDDR4x均有所涨价， DDR4涨幅尤其明显。 DDR4是第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器，自2014年推出。因其高带宽、低功耗和大容量 特性，广泛应用于个人电脑、服务器、高性能计算、游戏设备等领域。 7月8日，21世纪经济报道记者以投资者身份咨询了东芯股份（688110.SH）证券部有关人士。其表示， 因为大厂停产的原因，导致在一些细分品类上，的确有涨价情况。 今年以来，三星、SK海力士和美光三家存储大厂陆续宣布战略性部分退出DDR4业务，转向更高利润的 DDR5、LPDDR5x和HBM等高端产品。 供给端减产预期，带动了现货市场价格上扬。以DDR4 16G 3200现货为例，CFM闪存市场数据显示，该 产品价格自3月开始小幅上涨，此后涨幅持续扩大。 7月5日数据显示，DDR4 16Gb（1Gx16）200现货平均价已达1 ...

Investment Rating - The industry investment rating is maintained as "Positive" [3] Core Viewpoints - Changxin Technology's planned IPO is expected to benefit the entire semiconductor industry chain, particularly the upstream semiconductor equipment materials and storage sectors [2][6] - The advanced storage and logic capacity expansion continues, with domestic storage leader Changxin Technology expected to increase its capacity by nearly 50% year-on-year in 2025 [6] - The demand for storage is recovering, and some storage price increases have been ongoing for several months, indicating a positive outlook for niche DRAM manufacturers in mainland China [6] Summary by Sections Industry Overview - Changxin Technology, a core enterprise in the DRAM industry chain in mainland China, is undergoing IPO preparations, which is expected to facilitate business expansion through financing [6] - The company's product range includes DDR4/DDR5 and LPDDR4/LPDDR5 series, with plans to deliver HBM3 samples by the end of 2025 and to start mass production in 2026 [6] Market Dynamics - Changxin's market share in terms of bit shipments is projected to increase from 6% in Q1 to 8% by the end of the year, with DDR5/LPDDR5 market shares expected to rise significantly [6] - The supply gap for DDR4 and LPDDR4 continues to exist, benefiting domestic storage manufacturers and niche storage design companies [6] Investment Recommendations - Recommended stocks in the semiconductor equipment and materials sector include Northern Huachuang, Shengmei Shanghai, and Zhongwei Company [6] - In the storage industry chain, recommended stocks include Zhaoyi Innovation and Beijing Junzheng [6]

证券研究报告·行业点评报告·半导体 半导体行业点评报告 长鑫存储启动上市辅导，看好国内先进制程 扩产利好国产设备商 增持（维持） 证券分析师 周尔双 执业证书：S0600515110002 021-60199784 zhouersh@dwzq.com.cn 证券分析师 李文意 执业证书：S0600524080005 liwenyi@dwzq.com.cn 行业走势 -11% -3% 5% 13% 21% 29% 37% 45% 53% 61% 69% 2024/7/8 2024/11/6 2025/3/7 2025/7/6 半导体 沪深300 相关研究 [Table_Tag] [Table_Summary] 投资要点 ◼ 风险提示：下游扩产不及预期，产品突破不及预期。 2025 年 07 月 08 日 ◼ DRAM 龙头启动上市，出货份额持续提升：7 月 7 日国产 DRAM 内存 龙头长鑫存储（长鑫科技集团股份有限公司）正式启动上市征程，中金 公司和中信建投证券已获委任为其 A 股首次公开发行（IPO）的保荐机 构。Counterpoint 预测显示，长鑫存储今年 DRAM 出货量将同比增长 50%，其在整 ...

Core Viewpoint - The article highlights the significant milestone of Changxin Technology Group's (Changxin Storage) submission for an IPO in the A-share market, marking a pivotal moment for China's semiconductor industry [3][4]. Summary by Sections Company Overview - Changxin Storage has a registered capital of 60.19 billion yuan and was valued at 150.8 billion yuan in its latest financing round in March 2024 [3]. - The company has no actual controlling shareholder and boasts a strong lineup of investors, including major players like Tencent, Alibaba, and the National Integrated Circuit Industry Investment Fund [3]. Market Position - Currently, Changxin Storage is the largest and most advanced DRAM chip manufacturer in China, having successfully mass-produced various DRAM products such as DDR4, LPDDR4, and LPDDR5 [3]. - The company plans to start mass production of HBM3 high bandwidth memory between the end of 2025 and 2026 [3]. Competitive Landscape - The global DRAM market is dominated by South Korean and American companies, with SK Hynix, Samsung Electronics, and Micron Technology holding 36%, 34%, and 25% market shares respectively, totaling 95% [4]. - Experts estimate that Changxin Storage may still have a technology gap of 3-4 years compared to these leading firms, but its technology is rapidly advancing [4]. Growth Potential - Changxin Storage's DRAM shipment market share reached 6% in Q1 2025, with expectations to increase to 8% by the end of the year [4]. - The demand for storage chips is expected to grow significantly due to emerging fields like new computing and smart vehicles, providing substantial room for domestic replacement in China [4]. Industry Impact - The IPO of Changxin Storage is anticipated to have a positive ripple effect on the entire domestic storage industry chain, promoting the localization of equipment and benefiting related sectors such as packaging, testing, and IC substrates [4]. - If successful, Changxin Storage will become the first storage chip stock in A-shares, representing a significant event for the capital market and a strategic move in China's tech competition [4].

长鑫存储IPO最新进展： 此次上市可能选择A股，若成功将成为"A股存储芯片第一股"。 最新估值超1500亿元 2024年3月，长鑫科技完成108亿元融资，投前估值达1400亿元。 正式启动上市辅导 2025年7月7日，证监会官网披露，长鑫科技集团股份有限公司（母公司）已提交IPO辅导备案，辅导机 构为中金公司和中信建投。 最新一轮融资后，市场估值已升至1508亿元，跻身中国独角兽企业前十。 股东结构 无控股股东，第一大股东为合肥清辉集电（持股21.67%），背后有合肥国资支持。 其他股东包括国家大基金、兆易创新、阿里巴巴、腾讯投资等。 市场影响与行业地位 国产DRAM龙头，打破海外垄断 长鑫存储是国内唯一实现大规模量产DRAM的IDM企业（设计+制造+封测一体化），主要产品包括 DDR4、LPDDR4/5等。 2025年Q1全球DRAM市场份额约6%，预计年底提升至8%710。 技术突破与产能扩张 已量产19nm制程DRAM，并加速向DDR5/LPDDR5升级（预计2025年份额达7%-9%）。 2025年产能预计同比增长50%，月产能达20万片晶圆（12英寸）。 政策与市场需求驱动 受益于"国产替代"及"数 ...