中邮证券主要观点如下： 智通财经APP获悉，中邮证券发布研报称，CES 2026展会现场，黄仁勋正式宣布其新一代AI超级计算平 台Vera Rubin已进入全面投产阶段。Rubin平台重构HBM-DRAM-NAND三层存储。Rubin GPU集成了新 一代高带宽内存HBM4，单价上较3e显著提升，有望明显带动原厂的毛利率提升。Vera Rubin在机架内 部署BlueField-4处理器，专门管理KVCache。单价上，受到云服务商和AI应用需求的增长，行业预计 2026年全年的NAND价格两位数百分比上涨。 CES 2026展会现场，黄仁勋正式宣布其新一代AI超级计算平台Vera Rubin已进入全面投产阶段。根据英 伟达公布的数据，Rubin GPU搭载第三代Transformer引擎，NVFP4推理/训练算力达到50/35PFLOPS，达 到前代Blackwell的5/3.5倍；HBM4带宽22TB/s，为前代的2.8倍；晶体管数量3360亿个，为Blackwell的 1.6倍。 NAND：推出BlueField-4驱动的推理上下文内存存储平台，有望成为与GPU数量线性相关的通胀品 Vera Rubin ...

证券研究报告：计算机|点评报告 发布时间：2026-01-08 行业投资评级 强于大市|维持 行业基本情况 | 收盘点位 | | 5469.82 | | --- | --- | --- | | 52 | 周最高 | 5841.52 | | 52 | 周最低 | 3966.07 | 行业相对指数表现（相对值） -5% 0% 5% 10% 15% 20% 25% 30% 35% 40% 2025-01 2025-03 2025-05 2025-08 2025-10 2026-01 计算机 沪深300 资料来源：聚源，中邮证券研究所 研究所 金字塔存储架构。在 Agentic AI 时代，智能体需要记住漫长的对话 历史和复杂的上下文，这会产生巨大的 KV Cache。传统的解决方案是 将这些数据塞进昂贵的 HBM 显存中，但 HBM 容量有限且价格高昂。英 伟达为此设计全新的存储架构，推出了由 BlueField-4 驱动的第三层 推理上下文内存存储平台，让每秒处理的 token 数提升高达 5 倍。 ⚫ HBM：Rubin GPU 升级为 HBM4，成为与 GPU 紧紧绑定的 "计算核心" Rubin GPU 集 ...

炒股就看金麒麟分析师研报，权威，专业，及时，全面，助您挖掘潜力主题机会！ "一盒100根DDR5（一种计算机内存规格）服务器内存，价格接近500万元，已超过上海不少房 产。"2026年年初，存储行业价格继续飙升成为外界最热议的话题之一。 这一轮强势涨价与以往不同，当前存储行业的供需严重失衡主要由全球人工智能（AI）算力需求激增 导致。 事实上，自2022年11月ChatGPT诞生引发生成式人工智能热潮并推动全球竞相建设人工智能数据中心以 来，全球存储巨头三星、海力士和美光等不约而同地将大量晶圆产能转向HBM（高带宽内存，主要为 满足图形处理器芯片需求）和DDR5生产，这直接挤压了包括DDR4等在内成熟制程的产能空间，供给 的急剧收缩与庞大的存量需求之间产生了尖锐矛盾，也给手机、PC（个人电脑）、汽车等终端厂商带 来巨大的成本压力。 "虽然存储涨幅比较大，但对云服务厂商（以下简称"云厂商"）来说还是比较能接受的，云厂商认为建 设算力是刚性需求，不然未来几年就掉队了，这样的思维方式在北美的几个云服务厂商中特别明显，因 此它们目前在存储的采购上仍然积极追加订单。"TrendForce集邦咨询（以下简称"集邦咨询"） ...

2026年1月7日早盘，A股存储芯片板块开盘领涨，普冉股份20cm涨停，股价创历史新高，恒烁股份、聚 辰股份、江波龙、香农芯创、联芸科技等涨超10%。 海外动态方面，AMD在CES展会上发布了公司的MI455 GPU芯片，称基于该芯片的系统在性能指标上 实现了巨大飞跃。SK海力士在CES上首次展示了容量为48GB的16层HBM4，这是其新一代高带宽内存 （HBM）产品。该芯片是容量为36GB的12层HBM4的下一代产品，目前正根据客户的进度表进行同步 开发。此外，今年将主导市场的容量为36GB的12层HBM3E也同步在展会上亮相。 半导体设备ETF广发(560780)：紧密跟踪中证半导体材料设备主题指数，根据申万三级行业分类，指数 重仓半导设备超60%、半导体材料超20%，合计权重超80%。涵盖中微公司、北方华创、拓荆科技等设 备龙头公司。场外联接(A：020639；C：020640)。 此外，半导体材料国产化进程正在加速推进，尤其是在高性能计算和先进封装驱动下，对CMP抛光材 料、光刻胶、前驱体等关键材料的需求不断提升。中银证券指出，尽管中国半导体材料整体国产化率仍 较低——晶圆制造材料不足15%、封装材料 ...

2026.01. 06 本文字数：2272，阅读时长大约4分钟 作者 | 第一财经 魏中原 在全球存储芯片供应持续紧张、价格飙升的背景下，A股半导体设备板块迎来强势上涨。2026年1月 6日，北方华创（002371.SZ）、拓荆科技（688072.SH）、中科飞测（688361.SH）等设备龙头 股盘中集体刷新历史高点，市场资金积极涌入。这一行情直接受到行业涨价信号的刺激，有消息称， 三星电子与SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM（动态随机存取存储器）价格较上一季 度提升60%~70%。 2026年伊始，这轮自2024年末以来的存储涨价潮没有丝毫放缓的迹象，主要系人工智能服务器需求 的爆发导致先进制程产能向HBM（高带宽存储器）等高端应用倾斜，挤压了其他市场的供给，引发 全行业价格快速上涨。 在此轮全球存储大周期中，国内存储龙头长鑫科技近日IPO获受理，拟募资295亿元投向技改与研 发，计划2027年底前完成大部分设备导入。其产能爬坡与技术追赶，被视为拉动国产设备与材料环 节需求的关键力量。行业高景气延续之际，市场普遍预期，存储涨价周期叠加国内存储厂商扩产提 速，国产半导体设备板块将率先受益，业 ...

手机品牌即便在淡季对存储器需求不强，然因Mobile DRAM供给紧缩情况难在短期内改善，且未来数季合约价可能再升高，品牌于第一季维持较强拉货 力道。预计LPDDR4X、LPDDR5X皆呈现供不应求、资源分配不均情况，价格走强。 根据TrendForce集邦咨询最新调查，2026年第一季由于DRAM原厂大规模转移先进制程、新产能至Server、HBM应用，以满足AI Server需求，导致其他市 场供给严重紧缩，预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价将季增55-60%。NAND Flash则因原厂控管产能，和Server强劲拉货排挤其他应用， 预计各类产品合约价持续上涨33-38%。 | | 4Q25 | 1Q26E | | --- | --- | --- | | Total DRAM | Conventional DRAM: up 45~50% HBM Blended: up 50~55% | Conventional DRAM: up 55~60% HBM Blended: up 50~55% | | Total NAND Flash | up 33~38% | up 33~3 ...

此次 IPO 拟募集的 295 亿元资金，将重点投向存储器晶圆制造技术升级、 DRAM 前瞻研发等核心领域，进一 步巩固其在国产存储赛道的领先地位。 2025 年末，在全球半导体产业格局深度调整、国产替代加速推进的背景下，中国存储芯片领域迎来里程碑事 件。 12 月 30 日，上海证券交易所正式受理长鑫科技集团股份有限公司（以下简称 " 长鑫存储 " ）的科创板 IPO 申请。 这不仅标志着国内 DRAM 龙头企业向资本市场正式迈进，更意味着 A 股市场即将迎来首家真正意义上的存储 芯片 IDM （垂直整合制造）企业。 从 2016 年在合肥落地生根，到 2025 年冲刺科创板，长鑫存储用九年时间走完了从技术追赶、产能扩张到市 场突围的历程。 在全球技术竞争加剧的时代背景下，长鑫存储成为A股存储芯片第一股的的底气 来自哪里 ？ 国产 DRAM 龙头的商业模式与行业实力 提起存储芯片，可能很多人会觉得陌生，但它其实是我们生活中无处不在的"刚需 " ：手机运行、电脑办公、服 务器运算、智能汽车导航，都离不开 DRAM （动态随机存取存储器）这种核心存储部件。 长鑫存储能在短短九年里追上国际巨头，这家公司核心竞争力 ...

根据招股书，长鑫科技本次发行拟募资295亿元，投向三个项目：存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目（75亿元）、DRAM存储器技术升级项目（180亿 元）、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目（90亿元）。 （文/观察者网 吕栋 编辑/张广凯） 中芯国际之后，A股再迎重量级芯片制造巨头。 12月30日，国产内存芯片巨头——长鑫科技集团股份有限公司（下称：长鑫科技）正式向上交所递交招股书，拟在科创板挂牌上市。 招股书截图 如果这一计划成功实施，长鑫科技295亿元的募资额，将位列近年科创板IPO融资额第二，排在第一的是晶圆代工龙头中芯国际，2020年的募资额为532亿 元。 长鑫科技成立于2016年，发展近十年，已经成为目前中国规模最大、技术最先进、布局最完整的动态随机存取存储器（DRAM）企业。 与台积电、中芯国际这种代工巨头不同，长鑫科技是IDM（垂直整合制造）业务模式，也就是研发、设计、制造一体化。这也是三星、SK海力士、美光等 存储巨头一贯采用的模式，特点就是重资产、高投入。 根据招股书，长鑫科技布局了DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多元化方案，产品主要覆盖用于电脑、服务器的DDR，以及用于手 ...

和AI芯片领域，摩尔线程、沐曦、壁仞科技等众多"国产英伟达"激烈竞争不同，DRAM和NAND Flash 存储芯片赛道的国产龙头高度集中。在中国，长鑫存储和长江存储是分别代表DRAM和NAND Flash领 域的"存储双雄"。 长鑫科技市场中心负责人骆晓东在11月下旬的中国国际半导体博览会上表示，DRAM产业有三个明显的 产业特征：一是高投资，每条产线动辄需投入数百亿美元，涵盖设备、厂房建设、研发等各个环节，资 本壁垒极高；二是高垄断，行业集中非常高，三星电子、SK海力士和美光科技三家巨头的垄断性非常 强；三是强周期，芯片价格随供需变化出现非常大的波动，周期波动幅度远超其他行业。"最近其实非 常热门，到了一个所谓的'超级周期'。" 业绩受益于存储芯片"黄金周期" 上海证券交易所官网12月30日晚显示，国内存储芯片巨头长鑫存储的母公司长鑫科技正寻求科创板 IPO，其上市申请已获受理。中金和中信建投联合保荐。 值得一提的是，长鑫科技是科创板IPO试点预先审阅制度以来，第一家落地采用该制度的企业。2025年 7月，上交所正式发布针对预先审阅的指引文件。预先审阅是为了避免企业因过早披露业务技术信息、 上市计划，对其生 ...

转自：智通财经 文 | 智通财经 王碧微 国产DRAM（动态随机存取存储器）龙头冲刺A股迎来关键节点。 12月30日晚间，上交所官网显示，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称"长鑫科技"）科创板IPO申请 正式获受理，保荐机构为中金公司和中信建投。 值得注意的是，这是监管层发布"科创成长层"政策后，首单落地的"预先审阅"项目。 招股书显示，长鑫科技此前已在11月完成了两轮问询回复，此次受理意味着其审核流程被大幅压缩，预 先审阅制度旨在保护关键核心技术攻关企业的信息与技术安全，减少上市过程中的"曝光"时间。 据招股书申报稿，长鑫科技此次拟募资295亿元，若足额发行，将成为科创板史上排名前列的IPO项 目，有市场知名机构此前在参与其融资时，曾给出约1400亿元的投前估值。 营收倍增与巨额研发支出 作为中国大陆DRAM产业的"独苗"，长鑫科技的财务数据呈现出高增长与高亏损并存的典型硬科技企业 特征。 招股书显示，长鑫科技2025年1-9月实现营收320.84亿元，拉长时间维度看，公司营收爆发性显著，根 据公开数据，2022年至2024年，长鑫科技主营业务收入复合增长率达72.04%，这一增速远超行业平均 水平。 根据 ...