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晶圆切割,正在被改变
半导体行业观察· 2025-07-13 03:25
公众号记得加星标⭐️,第一时间看推送不会错过。 来源:内容 编译自 etnews 。 SK海力士正在改变其晶圆切割工艺,以适应下一代存储器制造。随着第六代高带宽存储器(HBM4)和400层及以上 NAND闪存晶圆的薄化,现有工艺已达到极限。 据业内人士9日透露,SK海力士计划在HBM4晶圆切割中引入飞秒开槽和全切割工艺。为此,已确认正在与激光设备合作 伙伴共同探索新的晶圆切割设备联合评估项目(JEP)。目前,该公司已与部分合作伙伴开展技术测试。一位知情人士表 示:"SK海力士计划对现有的晶圆切割方法进行重大改变",并且"正在与合作伙伴讨论多项技术解决方案"。SK海 力士一直以来都使用机械切割(刀片)或隐形切割技术来切割晶圆。机械切割是指用金刚石砂轮切割晶圆,而隐形切割是 指在晶圆内部制造裂缝以将其分离。 隐形切割是将半导体电路切割成单个芯片(die)的主流技术,但随着高端半导体晶圆厚度的不断减小,该技术也变得越来 越难。晶圆厚度在100微米(㎛)左右时,主要采用机械切割;晶圆厚度在50微米左右时,则采用隐形切割。然而,SK海 力士正在准备的HBM4晶圆厚度更薄,约为20~30微米。 一位业内人士表示:"如果采 ...
铠侠UFS 4.1开始送样 512GB和1TB版本采用BiCS 8 NAND
news flash· 2025-07-11 12:25
铠侠宣布其符合最新UFS Ver.4.1规范的嵌入式闪存设备现已出样,提供256GB、512GB和1TB容量选 择,采用小型BGA封装。其中,512GB和1TB版本采用最新的第八代BiCS FLASH3D闪存,与上代产品 相比,随机写入性能提升30%,随机读取性能分别提升45%与35%,能效方面的改进在读取和写入过程 中分别为15%和20%。(科创板日报) ...
中国存力建设取得显著成效 先进存储占近三成
Zhong Guo Xin Wen Wang· 2025-07-11 07:13
随着人工智能的爆发式增长和数据总量的指数级跃升,存储已从传统的"数据容器"跃迁为支撑数字经济 高质量发展的战略基座。推动以"存力中心"为代表的先进存力基础设施建设,通过聚数、治数、供数、 用数的能力闭环,重构数据从资源化、产品化到资产化的核心链路,已成为夯实数字经济底座、推动新 质生产力发展的重要途径。 目前,中国存力建设仍面临"存而不用、用而不深"、核心芯片(软件、介质)具有短板,以及存力、算 力、运力协同效率有待提升等方面的挑战。对此,王志勤建议,要探索存力建设的最优路径,共享最佳 实践,聚焦存力服务普惠与效能提升,强化技术攻关与产业协同生态构建。 工业和信息化部新闻宣传中心总编辑王保平表示,工信部等六部门发布的《算力基础设施高质量发展行 动计划》明确提出,构建"算力、存力、运力"一体化发展体系,将存力纳入国家新型基础设施建设全 局。对于存力建设,王保平呼吁,要坚持创新驱动,筑牢安全根基,构建自主可控产业生态;优化全国 布局,深化区域协同,推进绿色集约发展;深化融合赋能,激活数据价值,服务经济高质量发展。 "存力中国行"启动仪式暨首站活动日前在广东省举行。据中国信息通信研究院副院长王志勤介绍,中国 存力建 ...
2025年中期策略:望向新高
EBSCN· 2025-07-10 07:42
Group 1 - The report indicates that the external uncertainty from tariffs is expected to gradually spread, with the U.S. "reciprocal tariffs" 90-day deadline approaching, suggesting that most economies may struggle to resolve tariff issues within this timeframe [4][13][15] - The domestic policy is anticipated to remain proactive yet restrained, with the need to maintain sufficient policy space to address potential extreme risk scenarios while avoiding excessive short-term stimulus that could disrupt long-term goals [30][32][38] Group 2 - The report highlights that the improvement in domestic demand is a key driver for economic and corporate profit recovery, with expectations that consumer confidence will continue to rise due to the rebound in residents' income and wealth effects [77][78][83] - The real estate sector is showing signs of gradual recovery, with new home sales and land transaction data improving, indicating a potential positive impact on the overall economy [83][88][91] Group 3 - The report emphasizes that the capital market's liquidity remains high, with a significant number of stocks experiencing substantial gains, which has fostered a strong investment sentiment among individual investors [116][122][134] - The importance of the equity market is underscored by ongoing policy support aimed at enhancing residents' property income and maintaining market stability [136]
德明利上半年预亏现金流连负 上市3年2募资共15.2亿元
Zhong Guo Jing Ji Wang· 2025-07-10 06:27
中国经济网北京7月10日讯德明利(001309)(001309.SZ)昨晚披露2025年半年度业绩预告显示,报告期内,公司预计 归属于上市公司股东的净利润-8,000万元至-12,000万元,上年同期为38,764.72万元;扣除非经常性损益后的净利 润-8,450万元至-12,450万元,上年同期为36,997.57万元;营业收入为380,000万元至420,000万元,比上年同期增长 74.63%至93.01%。 2022年、2023年、2024年,德明利经营活动产生的现金流量净额分别为-3.31亿元、-10.15亿元、-12.63亿元。 | | 2024 年 | 2023 年 | 本年比上年増减 | 2022 年 | | --- | --- | --- | --- | --- | | 营业收入(元) | 4, 772, 546, 275. 05 | 1, 775, 912, 799. 26 | 168. 74% | 1, 190, 656, 505. 59 | | 归属于上市公司股东的 净利润(元) | 350, 553, 740. 48 | 24.998. 465. 34 | 1, 302. 30% ...
错过HBM,重创芯片巨头
半导体芯闻· 2025-07-08 10:23
来 源: 内容 编译自chosun 。 三星电子7月8日公布的第二季度财报,加剧了投资者对该公司在高性能内存和先进芯片制造领域 地位的担忧。尽管这家韩国科技巨头积极扩张高带宽内存(HBM)和代工业务,但其表现仍不及 竞争对手SK海力士和美光,这两家公司在整体内存市场疲软的情况下都取得了稳健的业绩。 如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 三星的最新业绩表明,它在关键增长领域——尤其是对人工智能应用至关重要的组件HBM——正 日益落后于竞争对手。尽管SK海力士和美光受益于不断增长的人工智能需求,并在高端内存领域 占据领先地位,但三星在销售额和技术定位方面却正在下滑。 三星在其盈利预测中表示,其4-6月当季营收为74万亿韩元(531亿美元),营业利润为4.6万亿韩 元(33亿美元),同比分别下降0.1%和55.9%。这些数字不仅低于市场普遍预期的6.3万亿韩元的 营业利润,也低于近期下调的预测,凸显出投资者的失望情绪日益加深。 分析师将盈利不及预期主要归咎于HBM执行力不足。三星对第五代HBM3E生产的大胆押注,包括 扩大产能和资本支出,但收效甚微。人工智能芯片市场的主要买家英伟达推迟了三星12层HBM3E 的 ...
苏超又赢一场,被除名“太湖三傻”的无锡,是集成电路产业“太湖一霸”
创业邦· 2025-07-07 03:21
无锡是中国集成电路第二城。 作 者 丨卜松 编辑丨刘恒涛 图源丨midjourney 2 :0 !周六的苏超比赛,无锡队反客为主,战胜扬州队,迎来两连胜,排名进入第六。随着一场场胜 利,无锡在逐渐摆脱 "太湖三傻"的名号。 无锡队还有一个好消息,那就是花呗的赞助。双方合作,还诞生了一个谐音梗:花呗无息,支持无 锡!同时,正值成熟上市的无锡特产水蜜桃大卖,也接到了这一波流量。 但事实上,无锡的产业,比足球排名更硬气。 无锡的集成电路、传感器、生物医药已形成产业集群,在全国都是举重若轻的存在。 2024 年,无锡 GDP 达到 1.63 万亿元,在本省仅次于苏州和南京,在全国排名 1 4 位。 无锡还有中国首个国家级物联网创新示范区,新吴区(无锡高新区)的传感器江湖地位常年雄踞全国 前三。 2 025 第一笔超级融资 睿兽 AI 检索 显 示,自 2024 年至今,无锡在物联网和集成电路领域的融资事件分别达到了 51 起 和 10 起,涉及企业 51 家,以早期的天使轮、 A 轮为主,涵盖了芯片设计、测试服务、传感器制 造、物联网系统研发等细分方向,总投资额估算超过 100 亿元人民币。 2 025 年第一笔超级 ...
最后关头倒向美国!东盟出现“叛徒”,中方一句话回应,轰动全球舆论
Sou Hu Cai Jing· 2025-07-05 06:44
中国商务部新闻发言人何咏前次日回应:"我们乐见各方通过平等磋商解决与美方经贸分歧,但坚决反对任何一方以牺牲中方 利益为手段达成交易。如出现此情况,中方将坚决反制。" 协议最致命条款,是美国对"主要在第三国生产、经越南完成最后加工的商品"征收40%关税。商业顾问Dan Martin指出:"'转 运'这个术语在贸易执法中既模糊又易被政治化。"这类商品指向性明确——越南组装的iPhone中超过60%零部件来自中国,每 年从中国进口约900亿美元商品中,相当比例经简单加工后转口美国。新协议要求越南海关必须证明出口商品满足"实质性转 型"标准,这对服装、家具等低附加值行业构成毁灭打击。 据央视新闻报道,特朗普在社交平台宣布达成"历史性协议",越南商品将面临20%关税新政,中国商务部当天作出严正表态。 美国总统特朗普高调宣布,美国已与越南达成贸易协议。根据协议,越南所有对美出口商品将被征收至少20%关税,通过越南 转运的第三国商品税率高达40%。作为交换,越南承诺对美国产品全面开放市场,实施零关税。 特朗普(资料图) 当特朗普政府今年4月挥舞46%惩罚性关税大棒时,越南经济面临生死考验——这个国家近30%的出口依赖美国市 ...
三星半导体,奖金大幅下降
半导体芯闻· 2025-07-04 10:00
DS部门从2015年到2022年上半年每次都拿到最高的TAI,即每月基本工资的100%,但自2022年 下半年起,由于业绩放缓,绩效奖金有所减少。2023年下半年,他们的TAI达到了历史最低水平, Memory为12.5%,Foundry和System LSI为0%,但随着市场状况的好转,去年上半年逐渐回升至 37.5-75% 。 下 半 年 , 由 于 基 数 效 应 , 他 们 的 绩 效 奖 金 达 到 了 200% , 超 过 了 最 高 标 准 。 当 时 , System LSI和Foundry业务部门的奖金为25%。但今年上半年,由于NAND闪存领域盈利能力恶 化,以及Foundry和System LSI业务损失数万亿韩元,奖金水平大幅下降。 在设备体验(DX)部门中,视觉显示(VD)业务部门和数字家电业务部门将分别获得37.5%和 50%的补贴,而由于今年第一季度推出的Galaxy S25系列销量强劲,移动体验(MX)业务部门将 获得最高的75%的补贴。医疗器械业务部门将获得75%的补贴,网络业务部门将获得50%的补贴。 三星电机将向零部件事业部支付100%的奖金,向封装解决方案事业部支付75 ...
AI刺激芯片巨头扩建工厂
半导体芯闻· 2025-07-03 10:02
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 虽然三星尚未证实,但有报道称,这家芯片巨头还在考虑重启其在平泽园区的第五家制造工厂 (P5)的建设。P5的建设工作于2023年启动,但于去年年初暂停。 P5 预计需要投资超过 30 万亿韩元(220 亿美元),并将建成一座能够生产 DRAM、NAND 闪存 和代工产品的综合晶圆厂。 来 源: 内容编译自theinvestor 。 受人工智能芯片领域爆炸式增长的乐观预测的鼓舞,韩国半导体巨头正在加大设施投资,以扩大未 来的市场份额。 三星电子正在审查重启韩国新芯片制造厂建设的计划,而 SK 海力士最近也开始建设新的后端处理 设施。 据业内人士周四透露,三星正准备重启去年停工的平泽园区四号线(P4)的建设。 P4是三星在建的第四座大型芯片工厂,分为四期建设。一期和三期目前已进入最后阶段,消息人 士称,二期和四期已于近期下达复工命令。预计全面开工将在两到三个月内开始。 P4工厂的两个区域最初计划用于代工生产线,但现在预计将转换为DRAM生产线,以采用10纳米 工艺生产第六代1c DRAM。这家芯片巨头本周证实,它已成功开发出这项先进技术,该技术将用 于下一代高带宽内存(HB ...