2026.01.10 本文字数：1450，阅读时长大约2分钟 截至1月9日收盘，中微公司股价报336.68元/股，总市值为2108亿元。尹志尧拟减持股票市值约为9764 万元。 公开资料显示，尹志尧，1944年生，中国国籍，中国科学技术大学学士，加州大学洛杉矶分校博士。 1984年至1986年，就职于英特尔中心技术开发部，担任工艺工程师；1986年至1991年，就职于泛林半导 体，历任研发部资深工程师、研发部资深经理；1991年至2004年，就职于应用材料，历任等离子体刻蚀 设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官；2004年 至今，担任中微公司董事长、总经理、核心技术人员。2024年从公司获得的税前报酬总额为1485.14万 元。 中微公司2022年年报中仍明确标注尹志尧为美国公民；其2023年年报未披露国籍信息；直至2024年其年 报正式确认已恢复中国国籍。 来源 | 每日经济新闻、21世纪经济报道、上海证券报 1月8日，半导体龙头中微公司（688012）公告称，巽鑫（上海）投资有限公司持有公司6847.39万股股 份，占总股本的10.94%，计划自公告披露之日起 ...

上海证券交易所网站消息，1月8日，半导体龙头中微公司发布公告称，公司创始人、董事长兼总经理尹 志尧计划自公告披露之日起15个交易日后的3个月内，通过集中竞价方式减持公司股份不超过29万股， 占公司总股本比例约为0.046%。 公告显示，被誉为"中国刻蚀机之父"的尹志尧减持股份的原因是："因本人已从外籍恢复为中国籍，为 依法办理相关税务的需要。" 中微公司公告上交所网站 尹志尧（资料图）视频截图 尹志尧的职业生涯始于1984年，先后在硅谷多家顶尖半导体企业积累了丰富经验。1984年至1986年，他 在英特尔中心技术开发部担任工艺工程师；1986年至1991年，在泛林半导体历任资深工程师及研发部资 深经理；1991年至2004年，供职于应用材料公司，期间先后担任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术 官、总公司副总裁兼事业群总经理，以及亚洲总部首席技术官。2004年，尹志尧回国创立中微公司，并 一直担任董事长、总经理及核心技术负责人至今。 每日经济新闻此前报道，中微公司在2022年年报中仍明确标注尹志尧为美国公民；2023年年报未披露其 国籍信息；直至2024年年报，才正式确认其已恢复中国国籍。 另据上海证券报报道，近 ...

天健会计师事务所近日就拓荆科技向特定对象发行股票申请文件的审核问询函中有关财务事项进行了专 项说明。回复函显示，公司前次募投项目变更后非资本性支出占比显著降低，本次46亿元募资方案的非 资本性支出安排及研发投入资本化等事项均符合监管要求。 前募项目非资本性支出占比大幅优化至29.78% 本次募投项目预计资本化率51.33%，与中微公司类似募投项目（45.68%）接近。会计师核查认为，公 司研发投入资本化认定依据充分，符合《企业会计准则》要求，与北方华创（Alpha阶段结束）、中微 公司（Alpha机试制成功）等同行的资本化政策基本一致。 根据公告，拓荆科技前次募投项目在变更前的非资本性支出占比合计为77.22%。通过对"先进半导体设 备的技术研发与改进项目"调减募集资金2亿元、"半导体先进工艺装备研发与产业化项目"调减5000万 元，并新增"高端半导体设备产业化基地建设项目"投入2.68亿元超募资金后，首次变更后非资本性支出 占比降至59.27%。 特别值得注意的是，公司拟使用本次募集资金15亿元对"高端半导体设备产业化基地建设项目"追加投资 后，该项目投资总额将由11亿元增至17.68亿元，前次募投项目整体 ...

格隆汇12月29日丨北方华创(002371.SZ)在互动平台表示，随着存储市场需求增长及HBM技术加速渗 透，相关工艺设备需求持续提升。公司在存储芯片制造领域可提供刻蚀、薄膜沉积、清洗、热处理、离 子注入、涂胶显影等核心工艺设备，覆盖DRAM、NAND等主流存储品类；在HBM领域，可提供TSV 刻蚀、去胶、湿法清洗、ALD、PVD、电镀、退火等多款核心设备及工艺解决方案。目前，公司相关 产品已批量交付主流存储及HBM客户，多款产品成为客户生产线的量产基线机台。 ...

证券日报网讯12月19日，拉普拉斯在互动平台回答投资者提问时表示，公司为核心工艺设备的解决方案 提供商，积极布局了TOPCon、XBC、HJT、钙钛矿以及叠层电池等多种高效技术路线。目前公司已有 布局的钙钛矿电池相关设备包括PVD(物理气相沉积)、ALD(原子层沉积)、涂布等核心工艺设备，可满 足钙钛矿电池多种不同技术路线的核心工艺需求(如钙钛矿层、电子传输层、空穴传输层、电极等结构 的制备等)。依托技术沉淀与客户资源优势，目前公司正在积极协助行业头部客户推动钙钛矿电池前沿 技术的研发和验证。钙钛矿技术当前处于快速发展阶段，尺寸、细分工艺路线及配备设备等均在快速发 展，行业内企业均在技术迭代、应用突破上持续发力，公司将持续完善、丰富技术和产品，为下游客户 提供更具性价比的核心工艺解决方案。 ...

格隆汇12月18日｜爱建证券研报指出，拓荆科技是国内领先的前道薄膜沉积设备厂商，核心产品覆盖 PECVD、ALD、Flowable CVD、HDPCVD 等多类工艺，已在先进逻辑与存储产线实现规模化交付；同 时，公司前瞻布局混合键合及配套量检测设备，切入异构集成与三维集成核心环节，业务由单一沉积设 备向"沉积+ 键合"双引擎平台化演进。在晶圆厂扩产与国产替代推动下，中国市场预计仍将保持全球最 大半导体设备市场。HBM、Chiplet 与三维堆叠加速落地，芯片间互连密度和界面质量要求显著提升， 沉积与键合工艺在系统性能中的重要性持续上升，使相关设备需求具备独立于制程节点的成长逻辑。从 PEG角度看，公司2025E-2027E PEG为1.3/0.8/0.9，综合考虑其在薄膜沉积和混合键合工艺环节的技术壁 垒及中长期盈利弹性，认为公司具备较高的中长期配置性价比。首次覆盖，给予"买入"评级。 ...

关注科创芯片ETF国泰（589100）投资机会，机构称晶圆代工需求或迎结构性增长。 【免责声明】本文仅代表作者本人观点，与和讯网无关。和讯网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容 的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。邮箱： news_center@staff.hexun.com 爱建证券指出，半导体设备领域薄膜沉积设备在前道工艺中价值量占比高（约22%），是晶圆扩产 核心设备之一，受新产线建设与既有产能扩充拉动，需求有望持续增长。全球300mm晶圆厂投资预计 2025年增长20%至1165亿美元。中国厂商加速布局，如拓荆科技拟募资提升PECVD等设备产能，微导 纳米的ALD与高端CVD产品已切入国产存储头部客户量产线，逻辑领域设备性能达国际先进水平。半 导体行业产能扩张背景下，薄膜沉积设备需求上行趋势明确。 科创芯片ETF国泰（589100）跟踪的是科创芯片指数（000685），单日涨跌幅达20%，该指数从科 创板市场中选取涉及半导体材料、设备、设计与制造等全产业链环节的上市公司证券作为指数样本，聚 焦芯片行业核心领域。指数精选50家代表性企业，集中 ...

隔夜外盘：截至收盘，道琼斯工业平均指数跌0.07%；纳斯达克综合指数涨0.22%；标准普尔500种股票 指数涨0.11%。费城半导体指数跌0.89%，恩智浦半导体跌0.62%，美光科技跌3.21%，ARM涨0.93%， 应用材料涨0.30%，微芯科技涨1.75%。 行业资讯： 3. 当地时间周四（12月4日），数据分析公司Palantir、英伟达和美国公用事业公司CenterPoint Energy宣 布，三方正共同开发一款新的软件平台，以加速新一代人工智能（AI）数据中心的建设。该软件系统 被命名为"连锁反应"（Chain Reaction），其目标是帮助正在建设AI数据中心的企业解决许可审批、供 应链与施工等难题——这些数据中心的耗电量可与一座小城市相当。 2025年12月4日，截至收盘，沪指跌0.06%，报收3875.79点；深成指涨0.40%，报收13006.72点；创业板 指涨1.01%，报收3067.48点。科创半导体ETF（588170）涨3.09%，半导体材料ETF（562590）涨 2.63%。 1. 今日有2只新股申购，分别为科创板的昂瑞微，沐曦股份；1只新股上市，为科创板的摩尔线程。 2 ...

隔夜外盘：截至收盘，道琼斯工业平均指数跌0.07%；纳斯达克综合指数涨0.22%；标准普尔500种股票 指数涨0.11%。费城半导体指数跌0.89%，恩智浦半导体跌0.62%，美光科技跌3.21%，ARM涨0.93%， 应用材料涨0.30%，微芯科技涨1.75%。 2025年12月4日，截至收盘，沪指跌0.06%，报收3875.79点；深成指涨0.40%，报收13006.72点；创业板 指涨1.01%，报收3067.48点。科创半导体ETF（588170）涨3.09%，半导体材料ETF（562590）涨 2.63%。 行业资讯： 1. 今日有2只新股申购，分别为科创板的昂瑞微，沐曦股份；1只新股上市，为科创板的摩尔线程。 2. 九峰山实验室新发布科技成果氮化镓电源模块——用100万个指甲盖大小的"黑盒子"，装入一座容量1 吉瓦（10亿瓦）的超大型AI算力中心机柜里，一年可省近3亿度电，约合2.4亿元电费。团队负责人表 示，该成果目前已完成概念验证，即将开始中试验证，预计3-5年内量产，届时可满足千亿级市场需 求。氮化镓是第三代半导体材料。若把硅基氮化镓芯片装入电源模块中，替代传统电源模块芯片使用的 硅材料，可 ...

Core Viewpoint - The company,拓荆科技, is focused on high-end semiconductor equipment, particularly in the development and industrial application of thin film deposition equipment, which has seen significant demand in the semiconductor manufacturing sector [1][4]. Group 1: Company Performance and Product Development - The company held a performance briefing on December 4, 2025, discussing its operational results and financial metrics for Q3 2025 [1]. - The company has established industrial bases in Shenyang and Shanghai, with a production capacity exceeding 700 sets per year, and is expanding its capacity with a new factory in Shenyang [1]. - The thin film deposition product series, including PECVD, ALD, SACVD, HDPCVD, and Flowable CVD, has achieved industrial application in the storage chip manufacturing sector, with a full order book indicating strong future demand [1][4]. Group 2: Technological Advancements and Market Trends - The company is continuously expanding its thin film deposition product series and increasing production scale, with new equipment platforms and advanced processes entering mass production [2]. - The semiconductor industry is transitioning into a post-Moore era, with rapid technological iterations and the emergence of new structures and materials, driving demand for advanced semiconductor equipment [3]. - The rise in storage prices reflects strong demand in the storage chip market, which may lead to increased production capacity among manufacturers, further driving the need for advanced thin film equipment [4]. Group 3: Future Outlook - The company plans to maintain its core competitiveness through high-intensity R&D investments, focusing on thin film deposition and three-dimensional integration equipment, while expanding into new products and processes required for advanced manufacturing [3]. - The ongoing complexity in storage chip processes and structures is expected to significantly boost the demand for thin film equipment, as manufacturers seek to enhance performance with advanced materials [4].