6.6% 的打击，其次是 Kioxia，受到 0.2% 的打击，美光，受到 9.3% 的打击，西部数据，受到 0.4% 的打击。 报告称，大多数制造商都在转向企业级 SSD。三星和 SK 海力士都遭遇了相对于市场需求的产量 失衡问题。铠侠正采取更具技术性的立场，提供更快的数据传输速度和更高的 3D NAND 层数， 其最近推出的第 10 代 332 层 V-NAND 闪存就体现了这一点。据报道，美光计划削减 NAND 闪 存业务的成本，但将继续提供高容量企业级 SSD 以提高收益。 10万亿，投向半导体 芯片巨头，市值大跌 黄仁勋：HBM是个技术奇迹 Jim Keller：RISC-V一定会胜出 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自tomshardware ，谢谢。 TrendForce最新报告 显示，去年第四季度 NAND 闪存收入下降 6.2%，主要原因是消费者需求疲 软。领先的 NAND 闪存制造商面临持续的收入下降，大多数制造商将重点放在企业上以弥补损 失。考虑到市场趋势的变化，ASP（平均销售价格）和整体 NAND 闪存出货量也受到了轻微打 击。 TrendForce 指出， ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容编译zdnet，谢谢。 三星电子正专注于"Fluxless"作为高堆栈HBM（高带宽存储器）的一种新型键合技术。据了解，他们 近期已开始对主要合作伙伴及相关设备进行演示测试。 尽管"无助焊剂"技术仍被评估为处于研发（R&D）水平，但业界正在评估它正在被认真考虑作为下一 代HBM键合技术的潜在候选技术。 据业内人士4日透露，三星电子正在审查包括无助焊剂在内的各种方法作为 下一代HBM键合技术。为 此，三星电子今年年初与主要海外合作伙伴开始了无助焊剂键合的初步评估工作。应用的是HBM4 （第六代），目标是在今年年底完成评估。 据悉，三星电子注意到了这些优势，一直在密切研究无助焊剂键合的应用。 知情人士解释道，"三星电子最初计划首先将无助焊剂键合引入逻辑半导体，但由于其将投资重点放 在内存上，因此据了解，它首先开始评估其在 HBM4 上的应用"，并补充道，"目标是在今年年底前 无助焊剂键合，易于实现高层、高密度HBM 目前，三星电子正在采用"NCF（非导电粘合膜）"作为HBM制造的后处理技术。 HBM 是一种垂直堆叠多个 DRAM 以提高数据处理性能的存储器半导体 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自工商时报，谢谢。 市场再传英伟达于晶圆代工厂之CoWoS先进封装订单传出砍单，且先前洽谈委外之CoW（Chip on Wafer）前段封装制程，最终未达共识。天风国际证券分析师郭明錤最新调查结果显示，台积电 CoWoS扩产计划仍无改变，逐季增加至2025年12月扩产至每月约7万片。 https://www.ctee.com.tw/news/20250303701278-430501 点这里加关注，锁定更多原创内容 *免责声明：文章内容系作者个人观点，半导体芯闻转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体芯闻对该 观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。 传供应链透露，台积电目前5/4纳米制程依旧满载，且相较于年初英伟达不管在B系列或是RTX50 系列芯片投片量都增加不少。但随英伟达前代Hooper GPU生命周期进入尾声，总订单量可能逐渐 减少，有待下一代产品GB300问世振兴需求。 郭明錤在X 推文发表最新产业调查结果指出，台积电CoWoS扩产计划仍无改变，逐季增加至2025 年12月扩产至每月约7万；英伟达在台积电的2025年CoWoS投片约37 ...