公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ：内容来自 钜亨网 。 高盛上调寒武纪的目标价至1835人民币，相较于此前价格，涨幅接近50%。若寒武纪股价达到此目标 价，公司市值将接近7700 亿人民币。 高盛分析，上调寒武纪目标价主要有三大原因，包括中国云端计算资本支出持续增加、中国芯片平台 多元化，与寒武纪对研发与生成式AI 的坚定投入。 中国云端计算资本支出正持续增加。高盛指出，腾讯控股于8 月中旬宣布2025 年第二季度资本支出 与去年同期相比增长119%。基于这个趋势，高盛对2025 年与2026 年的资本支出预测也进行了上 调，分别提高了23% 和17%。 此外，中国芯片平台正持续多元化，进一步强化寒武纪在芯片市场的竞争力。 DeepSeek 于8 月底推 出V3.1 版本，专为下一代本土芯片量身定制，协助客户在关税不确定性及资料安全顾虑下降低单一 供应风险。 同时，寒武纪透过非公开发行股票进行研发投资，并于8 月中旬获上交所批准，计画未来三年投入45 亿元人民币用于AI 芯片及软体开发，每年约15 亿元（2024 年研发投入为12 亿元），显示公司对生 成式AI 与芯片研发的长期坚定投入 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ：内容来自经济日报 。 不受英特尔获得美国政府入股近10%影响，苹果、超微、英伟达、博通等美系大厂持续拥抱台积电， 希望台积电美国亚利桑那州厂产能建置催油门，传出台积电因应大客户需求，亚利桑那州二厂、三厂 量产时程都将提前。 至截稿为止，台积电没有评论传闻。消息人士透露，台积电美国亚利桑那州第一座厂原订2025年量 产，先前已提早于2024年第4季以4纳米量产；第二座厂原定2028年量产，正加速脚步，目标2027年 初期或2026年内量产；第三座厂最快可望提早于2028年前后量产N2和A16制程，整体可望比原订目 标提早至少四个季度。 台积电先进制程遭客户疯抢，英伟达执行长黄仁勋上周五（22日）闪电来台，与台积电董座魏哲家见 面，洽谈英伟达下一代更先进的Rubin平台生产。黄仁勋并透露，目前Rubin平台有六种产品设计定 案并下单台积电，包括CPU、GPU、NVLINK交换器芯片、网通芯片与交换器芯片，以及矽光子交换 器芯片等。 业界指出，不仅英伟达大力拥抱台积电，OpenAI等AI巨头对台积电埃米级制程需求也快速成长，委 由台积电重要客户博通、迈威尔（M ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 该工艺本身采用先进的外延沉积技术，就像用气体绘画一样。硅烷和锗烷（含硅和锗的气体）在晶圆 表面分解，留下精确的纳米薄层。控制每层的厚度、成分和均匀性至关重要；即使是微小的偏差也会 在整个堆叠中传播，从而放大缺陷。 那么，为什么要付出这么多努力呢？在传统的 DRAM 中，存储单元是平面布局的，这限制了密度。 而垂直堆叠（3D）则可以在相同的占用空间内容纳更多的存储单元，从而在不增大芯片尺寸的情况 下提高存储容量。成功构建 120 个双层结构表明垂直扩展是可以实现的，这将使我们更接近下一代 高密度存储设备。 想象一下，每一层双层结构就像摩天大楼的一层，如果其中一层错位，整栋楼就会变得不稳定。通过 控制应变并保持各层结构均匀，研究人员有效地建造了一座由硅和硅锗组成的纳米级摩天大楼，每单 位面积可容纳数千个存储单元。 其影响远不止内存芯片。精确多层结构的生长技术可以推动3D晶体管、堆叠逻辑器件，甚至量子计 算架构的发展，在这些架构中，原子级层特性的控制至关重要。三星已经将3D DRAM列入其发展规 划，甚至为此设立了专门的研发机构。 来源 ：内容 编译自 tomshar ...

人民财讯8月25日电，算力、半导体、CPO等AI硬件股再度大涨，寒武纪高开超6%股价突破1300元，中 科曙光（603019）、剑桥科技（603083）、长飞光纤（601869）一字涨停。 ...

A股三大股指集体高开，沪指涨0.59%，创业板指涨1.41%。盘面上，贵金属、算力、半导体、稀土永磁 等板块涨幅居前。 机构看后市 光大证券：3800点后继续看多，市场中长期仍有望持续上行，短期关注滞涨方向 光大证券认为，受政策利好刺激、市场情绪回暖等因素的影响，A股市场上周整体继续上行，主要宽基 指数普遍上涨。在主要宽基指数中，科创50涨幅最大，而上证50涨幅最小。目前来看，支撑股票市场上 涨的逻辑并没有发生变化，市场估值目前也较为合理，并未出现明显透支。此外，还有一些新的积极因 素正在出现，如美联储降息周期可能会开启、公募资金发行出现回暖。综合来看，市场中长期仍然有望 持续上行。 配置方向上，短期关注滞涨方向。中长期则关注三条主线：科技自立、内需消费与红利个股。科技方 面，关注AI、机器人、半导体产业链、国防军工、低空经济等;消费方面，消费板块基本面有望保持韧 性，关注补贴相关、线下服务消费等;红利板块，关注部分高质量标的。 华泰证券：市场新高后或仍有空间，AI、创新药、军工、大金融是战略配置重点 华泰证券表示，近期居民存款搬家的叙事构成了国内流动性改善的积极信号，后续或仍有空间。短期来 看，判断市场顶部 ...

来源：新浪基金∞工作室 8月25日，科创ETF（588050）开盘涨1.01%，报1.304元。科创ETF（588050）重仓股方面，中芯国际开 盘涨1.95%，海光信息涨5.34%，寒武纪涨6.26%，澜起科技涨3.79%，中微公司涨1.95%，金山办公涨 1.34%，联影医疗涨0.10%，传音控股涨1.00%，九号公司涨2.16%，芯原股份涨5.53%。 科创ETF（588050）业绩比较基准为上证科创板50成份指数收益率，管理人为工银瑞信基金管理有限公 司，基金经理为赵栩，成立（2020-09-28）以来回报为-10.59%，近一个月回报为22.73%。 风险提示：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI大模型自动发布，任何在本文出现的信息（包括但不 限于个股、评论、预测、图表、指标、理论、任何形式的表述等）均只作为参考，不构成个人投资建 议。 ...

英伟达官宣大动作。 据最新消息，英伟达近日宣布推出NVIDIA Spectrum-XGS Ethernet技术。据介绍，这是一项面向分布式数据中心的跨域互 联技术，旨在将多个不同区域的独立数据中心连接到一起，打造成一个具备千亿级计算能力的AI超级工厂。 Spectrum-XGS Ethernet是NVIDIA Spectrum-X™ 以太网平台新增的一项突破性产品，它通过引入跨区域扩展（scale- across）基础设施打破了上述限制。跨区域扩展（scale-across）成为了继纵向扩展（scale-up）和横向扩展（scale-out）之 后的AI计算"第三大支柱"，能够将Spectrum-X以太网的极致性能和规模扩展至多个分布式数据中心，将它们组成具有十 亿瓦级的智能巨型AI超级工厂。 英伟达介绍称，Spectrum-XGS Ethernet 引入了跨域扩展架构，具备自适应的网络算法，可根据数据中心之间的距离进行 动态调整： 1.自适应距离拥塞控制：动态优化数据中心间网络传输； 2.精准延迟管理：将NCCL通信库性能提升了几乎一倍； 3.端到端遥测系统：保障地理分散集群的可预测性能。 黄仁勋表示："A ...

1. DeepSeek在留言区的一句话，引爆了8月22日A股半导体和算力行情，以寒武纪、海光信息、中科曙 光等为首的龙头个股接连涨停。其中寒武纪股价接连突破1100元和1200元两大关口，最终20CM涨停封 板，收盘价达1243.20元，总市值站上5200亿元。 2.炬芯科技公布2025年半年度报告显示，该公司上半年实现营业收入4.49亿元，同比增长60.12%；归母 净利润0.91亿元，同比增长123.19%；扣非净利润0.86亿元，同比增长269.08%。对于营收变化，炬芯科 技在半年报中表示，2025年上半年，该公司推进端侧产品AI化转型。端侧AI音频芯片方面，该公司基 于第一代存内计算技术的端侧AI音频芯片已成功进入多家头部品牌立项阶段，其中面向低延时私有无 线音频领域的客户终端产品率先实现量产，带动新品起量。同时，炬芯科技端侧AI处理器芯片已落地 头部音频品牌的高端音箱、Party音箱等产品，销售收入实现数倍增长；低延迟高音质无线音频产品市 场需求爆发，销售额攀升；蓝牙音箱SoC芯片系列在头部音频品牌渗透率上升。 3. 盛科通信2025年上半年实现营业收入5.08亿元，同比下降4.56%；归母净利润 ...

来源：新浪证券-红岸工作室 资料显示，新恒汇电子股份有限公司位于山东省淄博市高新区中润大道187号，成立日期2017年12月7 日，上市日期2025年6月20日，公司主营业务涉及智能卡业务、蚀刻引线框架业务以及物联网eSIM芯片 封测业务。主营业务收入构成为：智能卡业务59.74%，蚀刻引线框架28.34%，物联网eSIM芯片封测 6.16%，其他5.76%。 8月22日，新恒汇涨1.67%，成交额9.10亿元。两融数据显示，当日新恒汇获融资买入额8841.76万元， 融资偿还9925.89万元，融资净买入-1084.12万元。截至8月22日，新恒汇融资融券余额合计4.22亿元。 截至6月30日，新恒汇股东户数3.73万，较上期减少30.05%；人均流通股1219股，较上期增加42.96%。 2025年1月-6月，新恒汇实现营业收入4.74亿元，同比增长14.51%；归母净利润8895.45万元，同比减少 11.94%。 融资方面，新恒汇当日融资买入8841.76万元。当前融资余额4.22亿元，占流通市值的10.75%。 融券方面，新恒汇8月22日融券偿还0.00股，融券卖出0.00股，按当日收盘价计算，卖出 ...

2025年，半导体行业正式叩响GAA时代。 随着GAAFET 技术的落地，"逻辑芯片下一个大趋势" 的光环也随之褪去。 三星在3nm中已应用GAAFET技术，台积电也表示今年下半年大规模生产的2nm芯片中将应用GAAFET技术。 那么 GAA 之后，谁来接棒？按此前的技术路径，CFET 本是下一代架构的公认标杆。但随着 VLSI 2025 的启幕，中国北京大学提出的 FlipFET 技术，引 起更大轰动。 GAA之后，谁来接棒？ 五十多年来，半导体行业一直依赖于一个简单的公式：缩小晶体管尺寸，将更多晶体管封装到每个晶圆上，然后看着性能飙升，成本骤降。 在 2D 晶体管时代，FinFET是扛大旗者。 在此之前是MOSFET，不过当栅极长度逼近20nm门槛时，对电流的控制能力急剧下降，漏电率也在升高，传统的平面MOSFET正式走到尽头。 | | MOSFET | FinFET | GAAFET | | | --- | --- | --- | --- | --- | | 名称 | 绝缘栅型场效应晶体管 | 鳍式场效应晶体管 | 环绕栅极场效应晶体管 | 多桥通道场效应晶体管 | | | | | (GAAFET) | ...