Group 1 - SK Hynix announced the completion of customer certification for its CXL 2.0-based DRAM solution, the CMM-DDR5 96GB product, which offers a 50% increase in capacity and a 30% increase in bandwidth compared to existing DDR5 modules, enabling data processing of 36GB per second [1] - The company is also working on certifying a 128GB product, which utilizes a 10nm-class fifth-generation 32Gb DDR5 DRAM, resulting in higher power performance [1] - SK Hynix aims to expand the CXL ecosystem and has developed its own software, HMSDK, to optimize the product, enhancing system performance through efficient cross-array between DRAM modules and CMM-DDR5 [2] Group 2 - HMSDK was installed on the largest open-source operating system, Linux, in September of the previous year, improving the systemic performance of CXL applications [2]

智通财经4月23日电，联华电子股份有限公司公布2025年第一季营运报告，合并营收为新台币578.6亿 元，较上季的603.9亿元减少4.2%。与去年同期相比，本季的合并营收成长5.9%。2025年第一季毛利率 达到26.7%，归属母公司净利为新台币77.8亿元，市场预估89.5亿元台币，普通股每股获利为新台币0.62 元。 联电第一季度净利润77.8亿元台币 低于市场预期 ...

登录新浪财经APP 搜索【信披】查看更多考评等级 激励对象获授的限制性股票需同时满足以下归属条件方可分批次办理归属事宜： ■ 综上，本次激励计划首次授予部分第二个归属期符合归属条件，首次授予的104名激励对象本次可归属 85.632万股限制性股票，公司将按照本次激励计划的相关规定为符合条件的激励对象办理归属相关事 宜。 （三）对部分未达到归属条件的限制性股票的处理方法 2025年4月21日，公司召开第二届董事会第二十二次会议、第二届监事会第十七次会议，审议通过了 《关于作废处理部分限制性股票的议案》，对本次激励计划首次授予部分第二个归属期未达到归属条件 的限制性股票合计22.188万股作废处理。具体内容详见公司同日在上海证券交易所网站 （www.sse.com.cn）披露的《东芯半导体股份有限公司关于作废部分限制性股票的公告》。 （四）监事会意见 监事会认为：公司2023年激励计划首次授予部分第二个归属期符合归属条件，本次符合归属条件的104 名激励对象的归属资格合法有效，可归属的限制性股票合计85.632万股。本次归属安排和审议程序符合 《管理办法》等法律法规、规范性文件的相关规定，不存在损害公司及股东利益 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自工商时报，谢谢。 全球记忆体市场进入剧烈变动期！据业界消息指出，三星电子已正式通知客户，将于2025年4月终 止1z制程8Gb LPDDR4记忆体生产（EOL，End of Life），并要求客户在6月前完成最后买进订单 （Last Buy Order,LBO），预计最迟于10月前完成出货。 业者分析，主要是因为因为中国大陆低阶手机采用的LPDDR4，已被陆厂拿走订单，三星未来将会 更聚焦LPDDR5以上的高阶产品。 此举也宣告DRAM产品结构再度洗牌，并反映韩系原厂正加速将产能转向高阶产品，如高频宽记 忆体（HBM）与DDR5。 台系记忆体厂因主力产品放在DDR4，法人预期，有望受惠于三星停产DDR4的动作。 业界人士指出，早在数月前，已传出三星有意停产部分DDR4产品，主要原因包括：一、为集中资 源于获利能力更高的HBM与DDR5产品线；二、陆厂持续扩张DDR4产能，并采取低价抢市策略， 导致市场竞争加剧与利润压缩。 此外，全球市场亦受到地缘政治因素干扰，美国总统川普于4月9日启动对等关税机制，拟对台湾 出口至美国的记忆体模组与SSD等产品课征32％ ...

来源：内容来自半导体行业观察综合，谢谢。 玻璃基板被认为是先进芯片封装的技术革新者。由于其超低凹凸度、更好的热稳定性和机械稳定性 等独特性能，玻璃基板比现有的树脂基板更耐用、更稳定，从而保证了头部中更高的互连密度。这 些优势使得高密度、高性能芯片封装可用于AI和数据中心等数据密集型工作负载。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 此前，英特尔公司承诺到2028年投资1.3万亿韩元（9.431亿美元）实现玻璃大规模商业化。现 在，越来越多的巨头参与其中。 三星，首次披露 三星电机表示，公司正在构建半导体玻璃基板生态系统。这是为了尽快实现作为下一代基板备受关 注的玻璃基板的商业化，并解决技术难题。这也体现出通过建立材料、零部件、设备（SME）和 工艺的合作体系来引领市场的意愿。 三星电机研究院院长（副院长）周赫16日在首尔浦项制铁大厦驿三馆举行的"电子时代技术日：玻 璃基板全集"发布会上表示，"计划与多家供应商和技术合作伙伴成立联盟，打造半导体玻璃基板生 态系统"。 这是三星电机首次公开其半导体玻璃基板事业生态系统构建战略。虽然具体时间尚未透露，但已确 认正在与多家供应链公司进行洽谈。预计将于近期推出。 周副 ...

半导体键合技术正推动3D集成与先进封装的革命性发展！作为低温键合与键合集成领域的创新引领 者， 青禾晶元 携手日本先进微系统集成研究所（IMSI）等国际权威机构，共同主办 2025中国国际低温键 合3D集成技术研讨会（LTB-3D 2025） 。这一全球顶尖学术会议将首次登陆中国，汇聚诸多国际巨头及 全球专家，共探晶圆键合技术前沿与产业应用。 技术革新 · 国际视野 · 产业赋能 L TB-3D 2025将聚焦低温键合、异质集成、先进封装等核心技术，为中国半导体产业提供与国际接轨的交 流平台。青禾晶元诚邀学术界、产业界同仁共襄盛举，加速技术创新与产业链协作！ 会议时间：2025年8月3日-4日 会议地点：中国·天津 现面向全球行业人士开放议题征集通道，同时也邀请您注册报名参与此次盛会，详情见下方会议通知： 2025 中国国际低温键合 3D 集成技术研讨会 国际低温键合 3D 集成技术 (LTB-3D) 研讨会是由日本非营利协会-先进微系统集成协会(IMSI) 主办的重要会议，该会议在技术上由美国电化学学会和 IEEE EPS 日本分会共同指导。2025 年该研讨 会将首次在中国举行，这将促进国际半导体低温键合 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自经济日报，谢谢。 台积电（2330）将于6月3日举行股东常会，最新出炉的股东会年报中，旗下海外布局去年损益状 况全都露，其中，美国亚利桑那州新厂去年认列亏损近143亿元，是最烧钱的海外厂区；日本、欧 洲布局也分别亏损逾43亿元及5亿多元；大陆事业则大放异彩，南京厂相关事业去年大赚近260亿 元。 台积电宣布挥军「美国制造」后，2021年、2022年与2023年股东会年报中，已陆续揭露亚利桑那 子公司损益，分别亏损48.1亿元、94.3亿元与109.24亿元，去年则亏损142.98亿元，是美国新厂成 立来最大亏损，换算台积电亚历桑那厂去年第4季开始量产之前，过去四年间已累亏逾394亿元。 外界关注，台积电冲刺美国制造，但美国制造好烧钱，去年亚利桑那州新厂亏损扩大之余，今年将 迎来第一个完整量产年度，生产情况是否足以让亏损幅度收敛，或是因为持续大幅度投资，仍会带 来一定的亏损。 日本布局方面，台积电年报揭露，旗下JASM去年亏损43.75亿元，也是布局日本后最大亏损，相 较之下，JASM于2023年亏损29.65亿元，2022年亏损5.93亿元，合计过去三年 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自半导体行业观察综合，谢谢。 玻璃基板被认为是先进芯片封装的技术革新者。由于其超低凹凸度、更好的热稳定性和机械稳定性 等独特性能，玻璃基板比现有的树脂基板更耐用、更稳定，从而保证了头部中更高的互连密度。这 些优势使得高密度、高性能芯片封装可用于AI和数据中心等数据密集型工作负载。 此前，英特尔公司承诺到2028年投资1.3万亿韩元（9.431亿美元）实现玻璃大规模商业化。现 在，越来越多的巨头参与其中。 三星电子此举被解读为进军半导体玻璃基板市场、抢占先机的举措。随着人工智能（AI）的普 及，需要新的基材来替代现有的塑料材料，而玻璃被认为是最佳选择。三星电子准备于第二季度在 其世宗工厂启动玻璃基板试生产线。量产目标为2027年以后。不仅与三星电子半导体的协同效 应，与Nvidia、英特尔、高通等AI大型科技公司的合作也值得关注。 该研究实验室负责人表示："由于高性能计算（HPC）和人工智能（AI）的发展，半导体芯片之间 来回传输的数据量正在呈爆炸式增长。" "玻璃基板的优势在于可以在基板上绘制微电路并降低功 耗。" 他补充说，玻璃基板比传统基板的翘曲（翘曲 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自经济日报，谢谢。 台积电（2330）将于6月3日举行股东常会，最新出炉的股东会年报中，旗下海外布局去年损益状 况全都露，其中，美国亚利桑那州新厂去年认列亏损近143亿元，是最烧钱的海外厂区；日本、欧 洲布局也分别亏损逾43亿元及5亿多元；大陆事业则大放异彩，南京厂相关事业去年大赚近260亿 元。 台积电宣布挥军「美国制造」后，2021年、2022年与2023年股东会年报中，已陆续揭露亚利桑那 子公司损益，分别亏损48.1亿元、94.3亿元与109.24亿元，去年则亏损142.98亿元，是美国新厂成 立来最大亏损，换算台积电亚历桑那厂去年第4季开始量产之前，过去四年间已累亏逾394亿元。 台积电日前已宣布扩大投资美国千亿美元，美国总投资金额将达1,650亿美元。 台积电董事长魏哲家上周于法说会中表示，投入亚利桑那州厂建置，完全是基于客户的需求，未来 在相关计画建设完成后，其2纳米及更先进制程产能将有约30％来自亚利桑那州晶圆厂，得而在美 国形成一个独立的先进半导体制造聚落。 除了原先就已规划在亚利桑那州建置三座晶圆厂，台积电新增投资包含另外再兴建三座新晶圆 ...

Core Insights - The IEEE IEDM conference showcased groundbreaking advancements in semiconductor technology, focusing on the future of chips and their applications in AI, mobile, and high-performance computing [1]. Advanced Logic Technologies - The introduction of nanosheet transistors and 3D complementary field-effect transistors (CFET) is crucial for continuing the miniaturization trend of Moore's Law, as current FinFET architectures reach performance limits [3]. - TSMC's upcoming 2nm CMOS logic platform (N2) is set to enhance chip density by over 1.15 times, with a 15% speed increase and a 30% reduction in power consumption compared to the existing 3nm CMOS platform (N3) [4]. - The N2 platform utilizes GAA nanosheet transistors and features the highest density SRAM macro to date, with plans for risk production in 2025 and mass production in late 2025 [4]. - Intel's RibbonFET technology demonstrates the ability to scale down gate lengths to 6nm while maintaining electron mobility, with a focus on achieving low threshold voltages [8][9]. - A fully functional advanced CFET inverter with a gate length of 48nm was demonstrated, marking a significant milestone in CFET technology for future logic applications [14]. Emerging Materials and Devices - High-density aligned carbon nanotube (A-CNT) arrays have shown potential in extending Moore's Law, with a record-setting 100nm gate length MOSFET achieving a saturation current of 2.45mA/μm [22][23]. - Researchers have achieved a record subthreshold slope in WSe2 PMOS devices, highlighting the potential of two-dimensional materials in next-generation electronics [31]. DRAM Innovations - A new 4F2 DRAM design using GAA IGZO vertical channel transistors has been developed, demonstrating significant potential for high-density, low-power applications [33]. - Research on IGZO TFT threshold voltage instability has identified solutions to enhance reliability in future memory technologies [39]. Memory Computing Advances - A 3D integrated chip based on metal-oxide CFET has been developed, significantly reducing area, delay, and energy consumption compared to 2D CIM circuits [48]. - 3D FeNAND arrays have shown a 4,000-fold increase in CIM density, with a computation efficiency 1,000 times higher than 2D arrays [50]. High-Frequency and Power Devices - Intel's GaN MOSHEMT transistors, built on a 300mm GaN-on-TRSOI substrate, exhibit excellent RF performance, crucial for advancing 6G wireless communication [54][56]. - A Ga2O3 JFET has been developed to operate at 250°C, showcasing its potential for high-voltage applications in power electronics [58]. Sensor and Imaging Developments - A multi-modal sensor capable of measuring pressure, gas, and temperature has been developed, achieving high accuracy and sensitivity [65]. - Sony researchers have created a single-chip solution for simultaneous RGB imaging and distance measurement, enhancing mobile device capabilities [68]. Diverse Research Themes - Interest in selector-only memory (SOM) technology is growing, with research focusing on optimizing materials for better performance and reliability [78][79]. - AI-driven simulations are being utilized to model thermal behavior in electronic devices, addressing challenges in temperature management [81][82].