国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 三星计划在明年Q1季度完成HBM4认证，以便能赶上下半年放量供应的NVIDIA下代GPU Rubin系列，后者 将用上288GB HBM4内存。 目前三星的HBM4已经完成内部量产，并准备生产样品给客户测试。 除了技术上的准备，三星也建设了新的工厂以扩大HBM4产能，该工厂位于韩国平泽，代号P5，原本去年 就建好的，但是三星此前以半导体行业需求问题推迟了建设，现在重新启动建设，预计本月完成基建工 作。 为了能顺利拿下NVIDIA的订单，三星也在P5工厂下了血本，引入了第二代10nm级DRAM工艺——1c，要 知道SK海力士量产的HBM4内存也才是第五代10nm级工艺1b而已，三星直接把最先进工艺用于HBM4了。 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 9月13日消息，SK海力士这几年来靠HBM内存翻身成为第一大内存厂商，这两天又宣布首发量产HBM4内 存，领先优势进一步扩大。 原来的老大三星也坐不住了，但他们短时间内超越SK海力士的HBM优势也不太可能，进度落后至少三个 月，所以他们希望能做第二大HBM4供应商。 第一步： 扫描下方二维码 ...

1、 经中美双方商定，国务院副总理何立峰将于9月14日至17日率团赴西班牙与美方举行会谈。 双方将讨论美单边关税措施、滥用出口管制及TikTok等经 贸问题。对于TikTok问题，商务部新闻发言人表示，中方维护本国企业正当合法权益的决心坚定不移，将依法依规审批TikTok问题。 2、 央行公布数据显示，8月 末，M2同比增长8.8%，M1同比增长6%，M1-M2剪刀差收窄至-2.8%，是2021年6月以来最低值。 今年前八个月，人民币贷 款增加13.46万亿元；社会融资规模增量累计为26.56万亿元，比上年同期多4.66万亿元。权威专家表示，我国金融总量已经很大，在保持总量合理增长的 同时，未来货币政策重点要在优化结构方面下功夫。 3、国新办举行"高质量完成'十四五'规划"系列主题新闻发布会，财政部有关负责人介绍，"十四五"时期，全国一般公共预算收入预计达到106万亿元，预 算支出五年预计超过136万亿元。 未来财政政策发力空间依然充足。财政部已制定深化财税体制改革实施方案，正在抓紧推进。 今年专门发行5000亿元特 别国债，预计可撬动信贷投放约6万亿元。我国政府负债率处于合理区间，风险安全可控。提前下达部分 ...

韩国内存芯片制造商SK海力士宣布完成下一代HBM4内存开发，并已具备全球首个大规模量产条件， 这标志着该公司在人工智能内存领域的技术领先地位进一步巩固。 周五，SK海力士宣布，新产品通过采用2048个I/O终端实现带宽翻倍，功耗效率较前一代产品提升超过 40%，运行速度超过10Gbps，远超JEDEC标准的8Gbps要求。 该公司预计，HBM4产品应用后可将AI服务性能提升最多69%，有助于解决数据瓶颈问题并显著降低数 据中心电力成本。 随着AI需求急剧增长和数据处理需求激增，高带宽内存需求持续攀升，同时数据中心运营功耗增加使 得内存功耗效率成为客户关键需求。 性能和效率双提升、采用成熟工艺降低风险 SK海力士HBM4在技术规格上实现重大突破。产品采用2048个I/O终端，数量较前代翻倍，从而使带宽 实现翻倍提升。同时，功耗效率改善超过40%，运行速度突破10Gbps，远超行业标准的8Gbps水平。 该公司预测，当HBM4产品投入应用时，AI服务性能可提升高达69%。这一性能提升将直接解决当前 AI系统面临的数据瓶颈问题，并为数据中心带来显著的电力成本节约。 为确保大规模量产的稳定性，SK海力士在HBM4中采 ...

Core Viewpoint - Micron Technology announced a significant investment of approximately $200 billion in the U.S. semiconductor manufacturing and R&D sector, which includes $150 billion for memory manufacturing and $50 billion for R&D, marking an increase of $30 billion from previous plans [2][7]. Investment Plans - The investment will create around 90,000 direct and indirect jobs and includes the establishment of a second leading memory manufacturing facility in Idaho, modernization and expansion of the Virginia facility, and the introduction of end-to-end high bandwidth memory (HBM) manufacturing capabilities to meet AI-driven demand [3][7][10]. - Micron's expansion vision encompasses two large wafer fabs in Idaho, four in New York, and the enhancement of the existing Virginia facility, aiming to produce 40% of DRAM in the U.S. [7][10]. HBM Market and AI Demand - HBM is widely used in the AI market, and analysts remain optimistic about the HBM industry chain benefiting from the rapid development of advanced computing chips and the semiconductor cycle recovery [4]. - Micron has begun sampling its 12-layer stacked 36GB HBM4 memory to major clients, featuring a 2048-bit interface and a transmission rate exceeding 2.0TB/s, with performance improvements of over 60% compared to previous generations [5][12]. Price Trends and Market Dynamics - DRAM prices have shown significant increases, with DDR4 (8GB) prices rising from $1.35 to $1.65 in April, a 22.2% increase, while NAND Flash (128GB) prices rose by 34% compared to the end of last year [16][18]. - The price of DDR5 (16GB) has also seen fluctuations, with a slight increase from $5.524 in April to $5.561 in May [16]. - Analysts predict that the rise in storage prices is primarily driven by supply-side manufacturers reducing output and downstream customers actively stockpiling [18]. Analyst Outlook - Several investment banks have raised their target prices for Micron, with Mizuho increasing its target from $124 to $130 and UBS from $92 to $120, citing improved corporate prospects and reduced tariff concerns [12]. - The global HBM industry revenue is expected to grow at an annual rate of 55% by 2027, with Micron's HBM business revenue growth potentially reaching 90%, significantly boosting overall revenue and profit margins [13].