芯片行业，再次传出一则重磅消息！ 美光科技最新宣布，将在美国芯片制造和研发领域投资约2000亿美元，其中包括1500亿美元的内存制造和500 亿美元的研发投资。这意味着，美光科技的投资规模比此前的计划增加了300亿美元。 据悉，美光科技将在爱达荷州建立第二家领先的内存制造工厂，对弗吉尼亚工厂进行现代化改造和扩建，并为 美国带来端到端的高带宽内存（HBM）制造能力，以满足人工智能驱动的需求。 HBM在AI市场中得到广泛应用。有券商表示，持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链，以及以存 储为代表的半导体周期复苏主线。 另外，当地时间12日，美光科技宣布已向多家主要客户送样其12层堆叠36GB HBM4内存。据介绍，美光 HBM4内存具备2048位元接口，每个内存堆叠的传输速率超过2.0TB/s，性能较前一代产品提升超60%。 2000亿美元重大投资 据媒体近日报道，美光科技（简称"美光"）宣布，公司计划将美国的投资扩大到约1500亿美元的内存制造和 500亿美元的研发投资，估计将创造9万个直接和间接就业机会。 美光约2000亿美元的美国扩张愿景包括爱达荷州的两家领先的大型晶圆厂、纽约四家领先的大容量晶圆厂 ...

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓ ↓ ↓ 4月18日消息，据韩媒报道，三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了 40% 的良率，这高于一般的 10% 起 点，也好于此前同制程产品的不足 20%。 40% 只是一个初期成绩，未来会随着芯片制造的成熟逐步提高。而该百分比显示 4nm HBM4 逻辑芯片的进一步开发有了较为稳定的基 础。 三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折，将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士，更是近年来首度让出了第一 大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上采用较为激进的技术路线，以挽回局面。 三星电子将在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 内存芯片和 4nm 逻辑芯片，虽然逻辑芯片端的初始成绩较为喜人，但 1c DRAM 方面似 乎遇到了一些问题。 另一家韩媒报道称，自 1z nm 时期开始出现的电容漏电问题正对三星 1c nm DRAM 的开发量产造成明显影响。三星试图通过适当放宽线 宽等方式来改进电容器表现，但稳定性尚未达到 ...