如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来 源： 内容来自 yolegroup 。 如今，Nvidia，一家甚至不设计或制造功率器件的公司，正在定义未来功率电子器件的特性和功 能。这家 GPU 巨头正在设计下一代 AI 数据中心的动力总成架构。 许多宽带隙 (WBG) 半导体供应商和硅片供应商都在参与其中，愿意投资新技术来满足 Nvidia 的 需求。 英飞凌科技公司系统创新集团负责人 Gerald Deboy将 Nvidia 比作一位大师，指挥"整个世界设计 出一种建设和运营数据中心的新方法"。 Nvidia 邀请的合作伙伴包括英飞凌、MPS、Navitas、罗姆、意法半导体和德州仪器，共同倡导向 800 V 高 压 直 流 (HVDC) 数 据 中 心 电 力 基 础 设 施 过 渡 。 此 外 ， 还 有 台 达 、 Flex Power 、 Lead Wealth、光宝科技、Megmee 等电力系统组件供应商，以及伊顿、施耐德电气和 Vertiv 等数据中 心系统建设公司。 Yole Group 电力电子市场和技术分析师 Hassan Cheaito认为，Nvidia 对 AI 数据中心的推动正在 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 近日，氮化镓（GaN）市场风云再起：台积电正式宣布将在两年内全面退出GaN代工业务； 力积电趁势接下Navitas的订单，填补台积电撤退后的产能缺口；英飞凌则全力推进12英寸 GaN产线进程；瑞萨电子暂停碳化硅（SiC）项目、转而加码GaN；与此同时，ST与英诺赛科 通过战略投资与"锁仓"延长禁售期，进一步深化绑定关系。这一连串动作，正将GaN推向新 一轮的内卷。 GaN凭借更高的开关速度、更低的损耗与更小的尺寸，被视为传统硅器件的"潜在继任者"。在全球 能源转型与高能效驱动的背景下，GaN半导体市场正步入加速成长期。尤其是在亚太、北美、欧洲 等核心市场，相关企业正密集布局，争夺未来制高点。 但在这一轮热度背后，GaN的真正考验正在酝酿——GaN能否从快充、消费电源等边缘应用，迈向 电动汽车主驱系统等高压核心场景？ 尽管台积电正在退出GaN代工，但是另一边英飞凌却正在加大投入。据英飞凌新闻稿称，凭借其强 大的IDM模式，英飞凌正在推进其在300毫米晶圆上的可扩展GaN生产，首批客户样品计划于2025 年第四季度发布。 英飞凌已成为首家在其现有量产基础设施内成功开发30 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 近日，氮化镓（GaN）市场风云再起：台积电正式宣布将在两年内全面退出GaN代工业务；力积电趁势接下Navitas 的订单，填补台积电撤退后的产能缺口；英飞凌则全力推进12英寸GaN产线进程；瑞萨电子暂停碳化硅（SiC）项 目、转而加码GaN；与此同时，ST与英诺赛科通过战略投资与"锁仓"延长禁售期，进一步深化绑定关系。这一连串 动作，正将GaN推向新一轮的内卷。 GaN凭借更高的开关速度、更低的损耗与更小的尺寸，被视为传统硅器件的"潜在继任者"。在全球能源转型与高能效驱动 的背景下，GaN半导体市场正步入加速成长期。尤其是在亚太、北美、欧洲等核心市场，相关企业正密集布局，争夺未来 制高点。 但在这一轮热度背后，GaN的真正考验正在酝酿——GaN能否从快充、消费电源等边缘应用，迈向电动汽车主驱系统等高 压核心场景？ 台积电抽身，力积电接棒 台积电在7月3日发表声明称，决定在两年内逐步淘汰其GaN半导体代工业务，分析师表示，此举是由于来自中国的竞争侵 蚀了该产品的利润率。由于对GaN低利润前景感到担忧，台积电已决定逐步淘汰其GaN业务，并停止200毫米晶圆生产的 研 ...

英诺赛科将提升8英寸氮化镓产能，预计年底从1.3万片/月扩至2万片/月。 8日，第一财经从国内氮化镓（GaN）龙头企业英诺赛科（02577.HK）处确认，公司将进一步提升8英 寸（200nm）产能，预计年底将从1.3万片/月扩产至2万片/月。此前公司表示，要在未来五年内提升到7 万片/月。 英诺赛科是实现大规模量产8英寸晶圆的氮化镓集成器件制造商（IDM），产品覆盖晶圆制造、分立器 件、智能氮化镓IC、驱动控制芯片和氮化镓功率模块。目前氮化镓（GaN）在充电器或者其他消费电子 产品里的占比越来越高。凭借高效能和小体积，也在电池的双向电能转换、光伏的光储互补、数据中心 功率密度提升领域发挥重要作用，有望成为替代硅的重要材料。 英诺赛科透露扩产的时间点恰逢台积电退出氮化镓代工业务，英飞凌不久前也刚高调宣布在300mm晶 圆上的可扩展GaN生产已步入正轨，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。现有的知名功率半导体 企业不愿错过这样快速增长的市场是对氮化镓未来发展的认可，但在工程可实现方面，显然存在分歧。 根据Yole Group的预测，到2030年，GaN在功率应用领域的收入将以每年36%的速度增长，达到约25 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来 源： 内容来自工商时报 。 随 着 AI 算 力 需 求 暴 增 ， 资 料 中 心 电 力 架 构 正 迎 来 十 年 最 大 升 级 ， 英 伟 达 领 军 的 800V 高 压 直 流 （HVDC）技术，预计2027年全面导入兆瓦级AI机柜，将牵动第三代半导体代工版图重组。台积 电（2330）日前宣布两年内逐步退出氮化镓（GaN）市场，其大客户纳微半导体（Navitas）急寻 新来源，多方角力下，台系功率元件、电源管理芯片产业链将迎新竞争格局。 将外部工业用交流电转换为800V直流电，可使相同尺寸导线传输功率增加85％；相较于传统架 构，英伟达800V HVDC，主要差异在于多一道800V直流电降压至54V直流电的程序，法人分析， 该架构需使用高规的耐高压PMIC（电源管理IC），但在个别Compute Tray则沿用原先中低压 PMIC即可。 未来Compute Tray中的Power IC需求将提升，如记忆体电压必须由54伏转到12伏。尽管目前为海 外业者如英飞凌、MPS的天下，但台厂致新（8081）、茂达（6138）持续抢攻，从一般型伺服器 入局，有望 ...

纳微半导体将采用力积电0.18微米制程生产GaN产品 金十数据7月2日讯，纳微半导体今日宣布，与力积电建立战略合作伙伴关系，将采用力积电8寸0.18微 米制程生产氮化镓（GaN）产品。 ...

茂硅明确定位走利基型应用市场，锁定需高弹性与定制化的订单，强化与车用及工控客户的粘性。 联电通过结盟英特尔，在美国携手开发12nm技术，外媒更进一步披露，面对中国大陆成熟制程产能大 战，联电评估进军进先进制程，锁定以6nm技术生产更先进的WiFi、无线射频、蓝牙元件、AI加速器， 汽车使用的核心处理芯片。联电强调，将寻求合作伙伴关係，仍持续探索更先进的制造技术。 世界开拓特殊制程应用，耕耘碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）多年。氮化镓已量产，世界并参与汉磊 私募案，目标2026下半年开始量产8英寸碳化硅（SiC）晶圆制造，初期锁定工控与消费用产品，未来扩 展包括电动车、AI数据中心、绿能等应用。 力积电逐步脱离低毛利制程，寻求高附加价值的产品线。力积电董事长黄崇仁先前表示，2019年起即布 局Wafer-on-Wafer（WoW）3D堆叠技术，特别适用于边缘AI、车用电子与高性能计算（HPC）领域。 中国大陆晶圆代工厂大举新建产能，但中国台湾厂不跟着拼量。龙头台积电以先进制程独霸全球，通吃 苹果、AMD、英伟达、高通等国际大厂最先进芯片代工订单；联电、世界、力积电、茂硅等成熟制程 晶圆代工厂则与国际大厂联盟或 ...

[Table_Title] Research Report 27 Jun 2025 New Industrials 新工业周报(06/19-06/26)：SpaceX 成功发射第四次 Axiom 公司载人任务， 波音公司 5 月份新订单与生产表现强劲 New Industrials Updates: SpaceX Launches 4th Axiom Mission; Boeing Reports Strong May Performance Bin Yang Yuqi Yang Olivia Mao bin.yang@htisec.com yq.yang@htisec.com olivia.qp.mao@htisec.com [Table_yemei1] Flash Analysis [Table_summary] (Please see APPENDIX 1 for English summary) 核心观点： 1）全球基建和建筑装备：数据中心：OpenAI 与微软重谈合作关系，Altman 称双方仍高度互利。能源建设：美国： FERC 引入管理美国输电系统容量的新方法；NERC 承认低估了 MISO 区 ...

[Table_Title] 研究报告 Research Report 26 Jun 2025 New Industrials 天然气市场呈现区域分化格局，欧洲气价强势上涨而亚洲维持小幅震荡 Natural gas prices diverge regionally: Europe sees strong gains while Asia remains range-bound 杨斌 Bin Yang 杨钰其 Yuqi Yang 毛琼佩 Olivia Mao bin.yang@htisec.com yq.yang@htisec.com olivia.qp.mao@htisec.com [Table_yemei1] 热点速评 Flash Analysis [Table_summary] (Please see APPENDIX 1 for English summary) 核心观点： 1）全球基建和建筑装备：数据中心：OpenAI 与微软重谈合作关系，Altman 称双方仍高度互利。能源建设：美国： FERC 引入管理美国输电系统容量的新方法；NERC 承认低估了 MISO 区域的资源充足性。欧洲：芬兰数据中心配 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容 编译自 MIT 。 先进的半导体材料氮化镓很可能成为下一代高速通信系统和最先进数据中心所需的电力电子设备的关 键。 不幸的是，氮化镓（GaN）的高成本以及将这种半导体材料融入传统电子产品所需的专业化限制了其 在商业应用中的使用。 现在，麻省理工学院和其他地方的研究人员开发出一种新的制造方法，将高性能 GaN 晶体管以低成 本、可扩展的方式集成到标准硅 CMOS 芯片上，并与现有的半导体代工厂兼容。 他们的方法包括在 GaN 芯片表面构建许多微型晶体管，切割出每个单独的晶体管，然后使用低温工 艺将所需数量的晶体管粘合到硅芯片上，以保留两种材料的功能。 由于只需在芯片中添加少量GaN材料，因此成本保持极低，但最终器件却能通过紧凑、高速的晶体管 获得显著的性能提升。此外，通过将GaN电路分离成可分布在硅芯片上的分立晶体管，这项新技术能 够降低整个系统的温度。 研究人员利用这一工艺制造了功率放大器，这是手机中必不可少的组件，与采用硅晶体管的设备相 比，它能够实现更高的信号强度和效率。在智能手机中，这可以改善通话质量、提升无线带宽、增强 连接性并延长电池寿命。 ...