● 本报记者 吴玉华 7月11日，A股市场冲高回落，上证指数盘中一度站上3550点，再创今年以来新高。非银金融、计算 机、钢铁等行业板块领涨市场。市场成交放量，成交额达1.74万亿元，创逾3个月新高。 本周，A股市场反弹，上证指数、深证成指、创业板指分别累计上涨1.09%、1.78%、2.36%，行业板块 中，房地产、钢铁、非银金融行业领涨。题材板块快速轮动，结构性行情持续演绎，一批中报业绩预喜 的股票走势抢眼，受到市场关注。 分析人士认为，近期上证指数持续上扬，市场反弹趋势已成，成交量正在稳步释放，并将陆续吸引增量 资金入市，市场有望形成缓慢上行格局。 成交额超1.7万亿元 7月11日，上证指数盘中一度涨逾1%，站上3550点，创今年以来新高。截至收盘，上证指数、深证成 指、创业板指、科创50指数、北证50指数分别上涨0.01%、0.61%、0.80%、1.48%、0.90%，上证指数报 收3510.18点，再创今年以来收盘新高，创业板指报收2207.10点。 当日A股市场成交额为1.74万亿元，创逾3个月新高，较前一个交易日增加2215亿元。整个A股市场上涨 股票数为2960只，68只股票涨停，2206只 ...

Core Insights - The year 2025 is projected to be the milestone for mass production of humanoid robots, with Gallium Nitride (GaN) semiconductors playing a crucial role in bridging the gap between laboratory prototypes and commercial applications [1][2] - GaN semiconductors outperform traditional silicon-based chips in terms of high frequency, energy efficiency, and high voltage tolerance, addressing key challenges in robotic joint drive precision, power density, and heat dissipation [1][2] Group 1: GaN Semiconductor Advantages - GaN chips exhibit significantly lower conduction losses (70% reduction compared to silicon devices) and higher switching speeds, making them ideal for robotic wrist joint drives [2][4] - The introduction of GaN technology allows for smaller device sizes, improved motor power, and enhanced dynamic control for humanoid robots, meeting the increasing market demand for higher load-bearing capabilities [3][4] - GaN's high power density enables robots to achieve practical applications, such as lifting heavy objects, which exceeds the capabilities of silicon chips [3][4] Group 2: Industry Developments and Applications - Major companies like Texas Instruments are focusing on GaN applications in humanoid robots, highlighting its potential for high-precision motor control at elevated PWM frequencies [4] - InnoSilicon has successfully integrated GaN products into various core components of humanoid robots, achieving a 30% power increase and a 5% improvement in conversion efficiency [4][8] - The introduction of GaN technology is expected to significantly reduce the size of power supplies by 30%, optimizing the limited space available in robots [8] Group 3: Market Potential and Future Outlook - The humanoid robot industry is on the brink of explosive growth, with projections indicating that the market could be 100 times larger than that of electric vehicles in the next five years [10][11] - Each humanoid robot may require approximately 300 GaN devices, with the potential for this number to exceed 1000 as performance and power density improve [11] - The market for humanoid robots is anticipated to evolve into a multi-billion dollar industry within five years, with long-term projections suggesting a trillion-dollar market for household smart devices [11]

国泰海通证券股份有限公司 关于杭州晶华微电子股份有限公司 募投项目延期、终止以及增加实施内容、实施主体、实施地点的 核查意见 国泰海通证券股份有限公司（以下简称"国泰海通证券"或"保荐机构"）作为 杭州晶华微电子股份有限公司（以下简称"晶华微"或"公司"）首次公开发行股票 并上市持续督导的保荐机构，根据《证券发行上市保荐业务管理办法》《上海证 券交易所科创板股票上市规则》《上市公司募集资金监管规则》《上海证券交易 所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》等有关规定，对公司募投 项目延期、终止以及增加实施内容、实施主体、实施地点事项进行了核查，具体 情况如下： 一、募集资金基本情况 根据中国证券监督管理委员会出具的《关于同意杭州晶华微电子股份有限公 司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可〔2022〕1203号），公司首次向社会公 开发行人民币普通股1,664万股，每股发行价格为人民币62.98元，募集资金总额 为1,047,987,200.00元；减除发行费用127,450,183.35元后，募集资金净额为 合伙）审验并于2022年7月26日出具了验资报告（天健验﹝2022﹞385号）。 为规范公司募 ...

《商道创投网》创投家会员·本轮投资原因是什么？ 国泰君安创新投项目负责人表示，中嘉微视在显示前道检测领域已取得显著成就，覆盖全部核心工艺并 打入龙头面板厂。公司正以显示领域的先进技术为基础，开拓半导体前道量检测第二增长曲线。其强大 的技术可迁移性和团队执行力，让投资方对其在两大领域的战略布局充满信心。 《商道创投网》创投生态圈·本轮投融观点是什么？ 《商道创投网》创业家会员·单位简介 中嘉微视是一家专注于TFT-LCD、OLED、半导体前道量检测设备及泛半导体检测设备研发、生产、销 售与服务的中韩合资高科技企业。公司成立于2019年，凭借其在显示面板前道检测领域的核心技术与深 度工艺理解，已建立起显著的技术与市场优势。其自主研发的高精度在线量检测设备在核心指标上实现 重大突破，代表性产品获权威机构认定为国际先进水平。 《商道创投网》创业家会员·本轮融资用途是什么？ 中嘉微视创始人兼CEO唐玉峰表示，本轮融资将主要用于巩固显示前道检测优势，加速产能扩张，满 足国内主要面板厂商对国产检测设备的需求；拓展半导体前道检测布局，加速晶圆量检测设备的研发迭 代与量产交付；持续突破底层技术边界，投入高精度标定、纳米级3D测 ...

▲长按二维码"识别"关注 半导体论坛 振兴国产半导体产业！ 信息爆 炸的时代 更需要断舍离 如何更加高效的获取高质量的信息 在碎片化的时代里 收获满满？ 2025年，半导体人只需关注5个公众号 半导体技术天地 ID：ic2018ic 专注半导体产业技术，技术资料，专家讲解。欢迎关注! ↓↓↓值得您的关注↓↓↓ 国芯网 ID：CSF211ic ▲长按二维码"识别"关注 半导体行业第一的微信公众平台，50万的从业人员都已关注！ ↓↓↓值得您的关注↓↓↓ 全球电子市场 ID：xinlun99 ▲长按二维码"识别"关注 芯媒评论，请关注！ ↓↓↓值得您的关注↓↓↓ 半导体行业圈 ID：ic211ic ▲长按二维码"识别"关注 半导体行业圈，半导体人自己的圈子，请关注！ ↓↓↓值得您的关注↓↓↓ 半导体产业联盟 ID：icchinaunion ▲长按二维码"识别"关注 半导体全产业链联盟，请关注！ 加群步骤： 第一步：扫描下方二维码，关注中国半导体论坛微信公众号。 ***************END************** * 半导体论坛微信群 8万人在群，所有微信群免费开放！ 第二步：在公众号里面回复"加群"， ...

650V 高压平台：聚焦电源适配器、电机控制器、光伏逆变器等对能效要求苛刻的领域； 近期，全球领先的氮化镓（GaN）功率芯片企业纳微半导体（Navitas Semiconductor）提交的一份合作文件，在全球化合物 半导体行业掀起轩然大波。文件披露，其长期核心合作伙伴 —— 全球晶圆代工巨头台积电（TSMC）计划于 2027 年 7 月 正式终止氮化镓晶圆生产业务。与此同时，纳微半导体宣布与力积电达成合作，共同推进业内领先的 8 英寸硅基氮化镓技 术量产。这一系列动态，预示着全球氮化镓代工格局或将迎来重塑。 01 台积电的氮化镓征程 在氮化镓技术从实验室走向产业化的浪潮中，台积电并非简单的追随者，而是凭借深厚的CMOS 制造经验与前瞻视野，成 为硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术路线产业化的关键推动者。 台积电的氮化镓布局可追溯至2011 年。当时，氮化镓功率器件尚处于商业化前夜，台积电基于对未来能源效率升级与高频 通信需求爆发的预判，率先启动技术研发。历经四年攻坚，2015 年成功实现 GaN-on-Si 工艺量产，一举构建起覆盖多电压 等级的完善技术平台： 100V 中压平台：瞄准服务器电源、笔记本供 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 近日，氮化镓（GaN）市场风云再起：台积电正式宣布将在两年内全面退出GaN代工业务； 力积电趁势接下Navitas的订单，填补台积电撤退后的产能缺口；英飞凌则全力推进12英寸 GaN产线进程；瑞萨电子暂停碳化硅（SiC）项目、转而加码GaN；与此同时，ST与英诺赛科 通过战略投资与"锁仓"延长禁售期，进一步深化绑定关系。这一连串动作，正将GaN推向新 一轮的内卷。 GaN凭借更高的开关速度、更低的损耗与更小的尺寸，被视为传统硅器件的"潜在继任者"。在全球 能源转型与高能效驱动的背景下，GaN半导体市场正步入加速成长期。尤其是在亚太、北美、欧洲 等核心市场，相关企业正密集布局，争夺未来制高点。 但在这一轮热度背后，GaN的真正考验正在酝酿——GaN能否从快充、消费电源等边缘应用，迈向 电动汽车主驱系统等高压核心场景？ 尽管台积电正在退出GaN代工，但是另一边英飞凌却正在加大投入。据英飞凌新闻稿称，凭借其强 大的IDM模式，英飞凌正在推进其在300毫米晶圆上的可扩展GaN生产，首批客户样品计划于2025 年第四季度发布。 英飞凌已成为首家在其现有量产基础设施内成功开发30 ...

此外，报告还强调，铜的熔点远高于焊料，这使得它能够在高温工艺中保持结构稳定性，并防止焊 球在键合过程中变形或位移。此外，铜的导热系数约为传统焊料的七倍，从而能够更快地散热。 LG Innotek 在新闻稿中表示，已获得约 40 项与其 Cu-Post 技术相关的专利，并计划将其应用于 RF-SiP 和 FC-CSP（倒装芯片-芯片级封装）基板。 新闻稿称，该公司还计划通过专注于 FC-BGA 和 RF-SiP 基板以及车辆 AP 模块等高附加值产品 来发展其半导体元件业务，目标是到 2030 年实现年收入超过 22 亿美元。 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来 源： 内容 trendforce 。 LG Innotek 宣布，已成功开发全球首个铜柱 (Cu-Post) 技术，并将其应用于移动半导体基板的量 产。据TechNews 援引 Tom's Hardware 报道，LG Innotek的 Cu-Post 技术取代了传统上使用焊 球将芯片基板连接到主板的方式，使智能手机变得更薄、性能更高。 报道称，该技术的核心在于先将铜柱放置在基板上，然后将焊球放置在铜柱上。与传统的直接放置 焊球的方法相比，这 ...

刻蚀设备用硅部件是晶圆制造刻蚀环节所需的核心耗材，主要包括硅电极（silicon electrodes）及硅环（silicon rings）等。硅电极表面有密集微小 通孔，在晶圆制造刻蚀环节，硅电极除了作为附加电压的电极，还作为刻蚀气体进入腔体的通路；硅环是支撑硅电极及其他相关零件的承载部 件，保证等离子干式刻蚀机腔体的密封性和纯净度，同时对硅晶圆边缘进行保护。 随着硅片制造技术多年的发展，刻蚀技术发生了许多变化，从最早的圆筒式刻蚀，发展到现代的等离子体刻蚀，其中使用等离子体的干法刻蚀已 经成为主流的刻蚀工艺。与传统刻蚀设备相比，等离子体刻蚀设备中加入了构造精密的刻蚀反应腔室。传统腔室部件以陶瓷材料为主，但其容易 导致缺陷。此外，晶圆与陶瓷元件的电性差异也使得靠近晶圆边缘的等离子体难以控制，对产品良品率产生影响。相对于陶瓷材料，硅材料所制 成的部件不易导致缺陷，且与晶圆电特性相同，因此能够精密控制边缘处的等离子体，使产品良品率提高。 刻蚀用硅部件行业目前现状分析 刻蚀用硅部件行业集中度较高 目前全球刻蚀用硅部件生产商有二十多家，其中核心厂商主要分布在美国、韩国和日本，代表性厂商包括美国Silfex Inc.、 ...

转自：前瞻产业研究院 行业主要上市公司：江丰电子(300666.SZ)、隆华科技(300263.SZ)、阿石创(300706.SZ)、欧莱新材 (688530.SH)、有研新材(600206.SH)等 本文核心数据：中国银基合金靶材市场规模;不同规格银基合金靶材年消费量;银基合金靶材企业市场份额 1、银合金靶材被大量应用于半导体集成电路领域 随着高端电子产品需求的日益增大，现代半导体集成电路技术获得飞速的发展。银合金靶材作为半导体集成 电路中的导电材料，被大量应用于半导体集成电路领域，如有机发光二极管(OLED)显示面板的阳极电极和 芯片封装金属层，其是半导体集成电路的重要原材料。 在半导体显示领域，由于银较高的光反射特性，一般用作OLED显示面板中阳极电极，主要作用是导电和反 射发光层产生的光。相比于常用的铟锡氧化物(ITO)，银(Ag)的功函数较低，约为4.2eV。OLED阳极电极为 具有高功函数及高反射率的特性，一般由ITO薄膜、银/银合金薄膜及ITO薄膜依序重叠所构成的三层结构的 复合导电膜组成，其中Ag薄膜对复合导电膜的导电和透过性能起着决定性的作用。 2、中国银基合金靶材市场规模不断扩大 从需求端 ...