尺寸小些、再小些，一直是晶体管研制的主要目标。如何在缩小尺寸的同时，进一步提升晶体管性能？ 中国科学院金属研究所碳基电子器件团队的一项成果展现了热载流子晶体管作为低功耗、多功能器件在 未来高性能集成电路领域的广阔应用前景。这项成果于去年8月发表在《自然》期刊上。业内人士认 为，这项成果开辟了原创性的晶体管研究领域。 一组图形，寥寥几笔，一旁还标有字母注释，这是一张几年前中国科学院金属研究所研究员刘驰的速写 手稿，也是论文中"热发射极晶体管"的雏形。"这次突破既是厚积薄发，又是水到渠成。"刘驰说。 "提升晶体管性能，主要面临'三堵墙'。"论文的通讯作者之一、金属所碳基电子器件团队负责人孙东明 研究员介绍，"三堵墙"分别是"尺寸墙""存储墙""功耗墙"。他们团队的主要攻关方向，便是"功耗墙"。 不断制备、测试、优化、再制备……最终，团队能够稳定制备这种新型晶体管，并大幅提高性能：传统 晶体管每让电流提升1个数量级至少需要60毫伏的电压，而新型晶体管使用小于1毫伏的电压就可以实 现，同时在室温下有明显负微分电阻，展现出其在低功耗和多功能集成电路领域的广阔应用前景。 目前，中国科学院金属研究所合作企业达600余家，为 ...

转自：中国质量报 本报讯 （王逸欣 王 芳 记者江 岱）近日，国家知识产权局公布第25届中国专利奖获奖名单，福建省厦 门市翔安区厦门信达物联科技有限公司、科华数据股份有限公司、厦门乾照光电股份有限公司3家企业 荣获中国专利优秀奖。 此次3家企业获奖离不开翔安区市场监管局的多项扶持举措。该局出台厦门市首个区级知识产权奖励补 助办法，激发创新活力。与此同时，该局还建立重点企业培育库，组建含知识产权专家、技术顾问的服 务专班，提供专利挖掘布局、高质量申请撰写、奖项申报材料准备及答辩辅导等全链条服务。此外，该 局结合"翔安百业贷"项目，政银企协同推进知识产权质押融资，助力"知产"转化为"资产"，解决企业融 资难题。 据介绍，翔安区市场监管局将加大对创新主体专利转化运用的引导力度，搭建产学研用对接平台，促进 高校和科研院所的专利成果在企业中实现转移转化，助力创新主体运用知识产权提升市场竞争力。 【信息速递】 据了解，厦门信达物联科技有限公司研发的RFID（射频识别）电子标签技术，可在供应链管理中批量 读取300件以上商品信息，提升盘点效率、降低人工成本，被翔安区市场监管局纳入高价值专利培育计 划。科华数据股份有限公司深 ...

以下文章来源于凤凰WEEKLY ，作者凯斯 有温度、有情感、有趣味的新媒体。 日本的车商，这两年爱上了"拆"中国的新能源汽车： 比亚迪海鸥，吉利极氪，五菱宏光MINI，小米SU7，蔚来ES8...... 中国车企出一辆，日本车商就拆一 辆 。 来源丨 凤凰WEEKLY（ID：phoenixweekly） 作者丨凯斯 编辑丨闫如意 图源丨Midjouney 不仅将拆解细化到了每一个零部件，甚至还将比亚迪拆出了一本详尽的解析手册。 手册售价高达人民币 约 4.37万元 。 这一切，不由得让人梦回半个世纪前。 凤凰WEEKLY . 如今的日本，在很多人看来是重视原创保护的制造业强国。 但实际上， 日本曾是世界上数一数二的 "山寨大国" 。 几乎在所有领域，日本都对欧美的先进产品，进行了堪称像素级的拆解和模仿，一度让美国感到非常 不爽。 而今， 这个早已将自己"洗白"的 山寨大国， 似乎正打算 卷土重来 。 日本，曾经的山寨大国 在今天，不少日本制造的产品，都以其优秀的设计见长。 无印良品高冷极简的家居小玩意儿，三宅一生和川保久玲的服装衣包..... 日本在原创设计上十分出挑，以至于小米都在前几年，请来原研哉为公司设 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 领 先 的 晶 圆 代 工 厂 和 IDM 厂 商 正 朝 着 2 纳 米 （ 或 同 等 ） 技 术 节 点 的 量 产 迈 进 ， 其 中 环 栅 （GAA）纳米片晶体管将发挥核心作用。GAA纳米片器件架构作为FinFET技术的后继者， 旨在进一步缩小SRAM和逻辑标准单元的尺寸。 GAA 纳米片器件的主要特点是垂直堆叠两个或多个纳米片状导电沟道，每个逻辑标准单元包含一 个堆叠用于 p 型器件，另一个堆叠用于 n 型器件。这种配置允许设计人员进一步缩小逻辑标准单 元高度，其定义为每个单元的金属线（或轨道）数量乘以金属间距。设计人员还可以选择加宽沟 道，以牺牲单元高度为代价换取更大的驱动电流。除了面积缩小之外，GAA 纳米片晶体管相比 FinFET 还具有另一个优势：栅极从各个方向包围导电通道，即使在较短的通道长度下也能增强栅 极对通道的控制。 在芯片制造商过渡到CFET（complementary FET ）技术之前， GAA 纳米片技术预计将持续至少 三代技术。 由于其 nMOS-pMOS 垂直堆叠结构， CFET 的集成复杂度显著高于常规纳米片器件。根据 im ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自 technews 。 外媒报导，一位英特尔（Intel） 的主管预期，未来的晶体管设计将使高阶微影曝光设备在先进半 导体制造中的重要性有所降低。此一观点，最初发表在投资研究平台Tegus 上，并在X 平台上被分 享。 Wccftech 报导指出，目前阿斯麦（ASML） 的极紫外光（EUV） 微影曝光设备是现代高阶芯片 制造的关键核心，这使得台积电等领先半导体制造企业能够在硅晶圆上蚀刻出极其微小的电路图 案。在高阶半导体制程当中，藉由微影曝光设备将复杂的设计图案转移到晶圆上。之后，这些图案 随后透过沉积（deposition） 和蚀刻（etching） 等后续技术得以固化。沉积是将材料附着到晶圆 上，而蚀刻则是选择性地移除这些材料，最终形成芯片内部的晶体管和电路。过去，EUV 微影曝 光设备因其能够转移，或列印微小电路设计的能力，在制造7 纳米及更高阶技术的芯片中扮演了举 足轻重的角色。 然 而 ， 该 英 特 尔 主 管 认 为 ， 随 着 晶 体 管 设 计 的 持 续 演 进 ， 特 别 是 导 入 了 环 绕 闸 极 场 效 晶 体 管 （GAA ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 IC市场的未来——模拟和微型市场似乎已触底 IC分为模拟IC、微型IC、逻辑IC和存储器IC。 来源：内容 编译自 eetimesjp 。 2025年6月3日，世界半导体贸易统计组织（WSTS）发布了2025年和2026年半导体市场预测。此 前，在2024年11月发布的预测中，WSTS预测2025年的市场增长率将比上一年高出11.2%。此次发布 的预测保持不变。从截至2025年4月的半导体市场情况来看，迄今为止的出货量同比增长了19.3%， 因此维持预测不变可以说是比较保守的看法。对于接下来的2026年，预测同比增长8.5%，但笔者认 为也有可能出现负增长。结合目前的情况，我想展望一下未来。 分立器件受电动汽车放缓冲击，能否复苏？ 预计2025年分立器件市场将同比下降2.6%。此前的预测是增长5.8%，但已向下修正。从2025年1月 至4月的实际结果来看，分立器件市场同比下降6.9%，预计此后将有所回升。虽然与去年同期相比的 负增长持续到了4月，但负增长率呈下降趋势，因此这一预测并非不合理。最大的担忧在于，占据该 领域绝大部分的功率晶体管市场的低迷持续时间比预期 ...

2025年6月3日，世界半导体贸易统计组织（WSTS）发布了2025年和2026年半导体市场预测。此 前，在2024年11月发布的预测中，WSTS预测2025年的市场增长率将比上一年高出11.2%。此次发布 的预测保持不变。从截至2025年4月的半导体市场情况来看，迄今为止的出货量同比增长了19.3%， 因此维持预测不变可以说是比较保守的看法。对于接下来的2026年，预测同比增长8.5%，但笔者认 为也有可能出现负增长。结合目前的情况，我想展望一下未来。 分立器件受电动汽车放缓冲击，能否复苏？ 预计2025年分立器件市场将同比下降2.6%。此前的预测是增长5.8%，但已向下修正。从2025年1月 至4月的实际结果来看，分立器件市场同比下降6.9%，预计此后将有所回升。虽然与去年同期相比的 负增长持续到了4月，但负增长率呈下降趋势，因此这一预测并非不合理。最大的担忧在于，占据该 领域绝大部分的功率晶体管市场的低迷持续时间比预期更长。尤其是电动汽车（EV）需求的低迷对 其造成了沉重打击。不过，笔者认为，从中长期来看，汽车电动化将继续推进，而作为电动化关键器 件的功率晶体管的需求也将稳步增长。2026年的预测是同比 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源：内容来自 scitechdaily，谢 谢 。 未来半导体器件的艺术图像，该器件将有助于实现6G技术。图片来源：布里斯托大学 布里斯托大学的一个团队开发了 SLCFET，这是一种突破性的晶体管结构，利用 GaN 材料中的锁存 效应来提高速度和功率，推动 6G 的未来发展。 自动驾驶汽车可以消除交通拥堵，足不出户即可立即获得医疗诊断，或者感受到远在大洲彼岸的亲人 的触摸，这些听起来可能像是科幻小说。 然而，得益于半导体技术的突破性突破，布里斯托大学牵头并发表在《自然电子》杂志上的一项新研 究可能会使这些可能性更接近现实。 这些未来概念依赖于远超现有网络速度的海量数据通信和传输能力。为了实现这一目标，物理学家开 发了一种创新方法，可以加速众多用户之间的数据传输，甚至可能达到全球范围。 创新驱动无限可能 布里斯托大学物理学教授、该研究的共同主要作者马丁·库巴尔（Martin Kuball）表示："未来十年 内，那些此前几乎难以想象的技术将广泛普及，彻底改变人类的各项体验。其潜在的益处也同样深 远，包括远程诊断和手术带来的医疗保健进步、虚拟教室，甚至虚拟假日旅游。 ...

2025清华五道口全球金融论坛在深圳举行。诺贝尔经济学奖得主迈克尔·斯宾塞在会上表示，中美两国在AI领域的差距正在迅速缩小，中国在AI模型训练效 率和研发方面取得了显著进展。 谈及近期中美贸易战，斯宾塞表示，特朗普发起的关税战可能会推动中国、欧洲以及其他主要新兴经济体走向多边贸易体系。美国发起的关税战已经削弱了 消费者信心，对美国经济的负面影响开始展现，如果不纠正，将对包括中美在内的全球经济带来灾难性影响。 特朗普（资料图） 我国2025年一季度的经济发展情况，从具体数据来看，一季度GDP为318758亿元，同比增长5.4%，环比增长1.2%。今年这个开局可以说非常不错。 美国在4月底也公布了其一季度经济发展情况，从美国商务部数据来看，其一季度GDP环比按年率计算萎缩0.3%。对此，路透社等媒体一度报道其GDP不及 预期。 据参考消息报道，哈佛大学贝尔弗科学和国际事务中心5日发布的报告《关键与新兴技术指数》称，美国在人工智能、生物技术、半导体、太空和量子等关 键技术领域继续领先于中国。 该指数赋予私人和公共资金资源相当大的权重——美国在这方面具有优势，但由学术期刊《自然》编纂维护的"自然指数"和澳大利亚战略政 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 领 先 的 晶 圆 代 工 厂 和 IDM 厂 商 正 朝 着 2 纳 米 （ 或 同 等 ） 技 术 节 点 的 量 产 迈 进 ， 其 中 环 栅 （GAA）纳米片晶体管将发挥核心作用。GAA纳米片器件架构作为FinFET技术的后继者，旨 在进一步缩小SRAM和逻辑标准单元的尺寸。 GAA 纳米片器件的主要特点是垂直堆叠两个或多个纳米片状导电沟道，每个逻辑标准单元包含一个 堆叠用于 p 型器件，另一个堆叠用于 n 型器件。这种配置允许设计人员进一步缩小逻辑标准单元高 度，其定义为每个单元的金属线（或轨道）数量乘以金属间距。设计人员还可以选择加宽沟道，以牺 牲单元高度为代价换取更大的驱动电流。除了面积缩小之外，GAA 纳米片晶体管相比 FinFET 还具 有另一个优势：栅极从各个方向包围导电通道，即使在较短的通道长度下也能增强栅极对通道的控 制。 这正是forksheet 设备架构可能带来缓解的地方，它是一种非破坏性技术，比常规 GAA 纳米片技术 具有更大的扩展潜力。 Forksheet，1nm的依仗 图 1 – GAA 纳米片器件的 TEM 图像 2017 ...