江苏长电科技股份有限公司 章 程 二〇二五年十二月 - 1 - | 第一节 | 股份发行 | 5 | | --- | --- | --- | | 第二节 | 股份增减和回购 | 5 | | 第三节 | 股份转让 | 7 | | 第一节 | 股东 | 8 | | 第二节 | 控股股东和实际控制人 10 | | | 第三节 | 股东会的一般规定 12 | | | 第四节 | 股东会的召集 | 14 | | 第五节 | 股东会的提案与通知 15 | | | 第六节 | 股东会的召开 | 17 | | 第七节 | 股东会的表决和决议 20 | | | 第一节 | 董事的一般规定 25 | | | 第二节 | 董事会 | 29 | | 第三节 | 独立董事 | 34 | | 第四节 | 董事会专门委员会 37 | | | 第一节 | 财务会计制度 | 41 | | 第二节 | 利润分配 | 41 | | 第三节 | 内部审计 | 44 | | 第四节 | 会计师事务所的聘任 45 | | 第一章 总则 第一条 为维护江苏长电科技股份有限公司（以下简称"公司"）、股东、职 工和债权人的合法权益，规范公司的组织和行为，根据 ...

证券代码：600584 证券简称：长电科技 公告编号：临 2025- 根据《中华人民共和国公司法》（以下简称"《公司法》"）、中国证券监督管理委员 会发布的《上市公司章程指引》（2025 年修订）（以下简称"《章程指引》"）、上海证券 交易所发布的《上海证券交易所股票上市规则（2025 年修订）》（以下简称"《上市规 则》"）等相关法律、法规、规范性文件的相关规定，公司将不再设立监事会或监事， 由审计委员会行使《公司法》规定的监事会的职权，同步废止《监事会议事规则》并 对《公司章程》及部分治理制度进行修订。 一、《公司章程》的修订情况 根据上述要求，结合公司实际情况，公司拟对《公司章程》做出相应修改： 1、删除"监事会"章节以及关于监事会、监事的规定，由董事会审计委员会行使 《公司法》规定的监事会职权；细化扩充内部审计专节相关条款，明确内部审计工作 的职责权限、审计结果运用和责任追究等；明确内部审计机构的独立性，向董事会负 责，并接受审计委员会的监督指导。 2、调整董事会结构，公司董事会成员人数由 9 席调整为 12 席；独立董事由 3 席 调整为 4 席，新增职工代表董事 1 席。同时明确独立董事、职工董事 ...

江苏长电科技股份有限公司 独立董事候选人声明与承诺 本人郑建彪，已充分了解并同意由提名人江苏长电科技股份有限公司董事会 提名为江苏长电科技股份有限公司第九届董事会独立董事候选人。本人公开声明， 本人具备独立董事任职资格，保证不存在任何影响本人担任江苏长电科技股份有 限公司独立董事独立性的关系，具体声明并承诺如下： 一、本人具备上市公司运作的基本知识，熟悉相关法律、行政法规、部门规 章及其他规范性文件，具有 5 年以上经济、会计、财务、管理或者其他履行独立 董事职责所必需的工作经验。 本人已经参加培训并取得证券交易所认可的相关培训证明材料。 二、本人任职资格符合下列法律、行政法规和部门规章以及公司规章的要求： （一）《中华人民共和国公司法》关于董事任职资格的规定； （二）《中华人民共和国公务员法》关于公务员兼任职务的规定（如适用）； （三）中国证监会《上市公司独立董事管理办法》、上海证券交易所自律监 管规则以及公司章程有关独立董事任职资格和条件的相关规定； （四）中共中央纪委、中共中央组织部《关于规范中管干部辞去公职或者退 （离）休后担任上市公司、基金管理公司独立董事、独立监事的通知》的规定（如 适用）； （五 ...

提名人江苏长电科技股份有限公司董事会，现提名郑建彪为江苏长电科技股 份有限公司第九届董事会独立董事候选人，并已充分了解被提名人职业、学历、 职称、详细的工作经历、全部兼职、有无重大失信等不良记录等情况。被提名人 已同意出任江苏长电科技股份有限公司第九届董事会独立董事候选人（参见该独 立董事候选人声明）。提名人认为，被提名人具备独立董事任职资格，与江苏长 电科技股份有限公司之间不存在任何影响其独立性的关系，具体声明并承诺如下： 一、被提名人具备上市公司运作的基本知识，熟悉相关法律、行政法规、规 章及其他规范性文件，具有 5 年以上经济、会计、财务、管理或者其他履行独立 董事职责所必需的工作经验。 被提名人已经参加培训并取得证券交易所认可的相关培训证明材料。 江苏长电科技股份有限公司 独立董事提名人声明与承诺 二、被提名人任职资格符合下列法律、行政法规和部门规章的要求： （一）《中华人民共和国公司法》关于董事任职资格的规定； （二）《中华人民共和国公务员法》关于公务员兼任职务的规定（如适用）； （三）中国证监会《上市公司独立董事管理办法》、上海证券交易所自律监 管规则以及公司章程有关独立董事任职资格和条件的相关规 ...

证券代码：600584 证券简称：长电科技 公告编号：临 2025-049 江苏长电科技股份有限公司 关于召开2025年第二次临时股东大会的通知 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。 重要内容提示： 一、 召开会议的基本情况 (四)现场会议召开的日期、时间和地点 (六)融资融券、转融通、约定购回业务账户和沪股通投资者的投票程序 召开的日期时间：2025 年 12 月 30 日 14 点 30 分 召开地点：江苏长电科技股份有限公司 D3 二楼会议室（江阴市长山路 78 号） 股东大会召开日期：2025年12月30日 本次股东大会采用的网络投票系统：上海证券交易所股东大会网络投票 系统 (一)股东大会类型和届次 2025年第二次临时股东大会 (二)股东大会召集人：董事会 (三)投票方式：本次股东大会所采用的表决方式是现场投票和网络投票相结合的 方式 (五)网络投票的系统、起止日期和投票时间。 网络投票系统：上海证券交易所股东大会网络投票系统 网络投票起止时间：自2025 年 12 月 30 日 至2025 年 12 月 ...

江苏长电科技股份有限公司（以下简称"公司"）第八届董事会第十六次临 时会议于 2025 年 12 月 4 日以通讯方式发出通知，于 2025 年 12 月 10 日以现场 结合通讯方式召开，本次会议应参会董事 9 人，实际参会董事 9 人，公司监事及 高级管理人员列席会议。董事长周响华女士主持会议。会议的召集和召开符合《中 华人民共和国公司法》（以下简称《公司法》）和《公司章程》的有关规定。 二、董事会会议审议情况 证券代码：600584 证券简称：长电科技 公告编号：临 2025-047 江苏长电科技股份有限公司 第八届董事会第十六次临时会议决议公告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。 一、董事会会议召开情况 本次会议表决通过了相关议案，形成决议如下： （一）逐项审议通过了《关于修订公司章程及相关公司治理制度的议案》 为贯彻落实《公司法》及中国证券监督管理委员会《关于新<公司法>配套 制度规则实施相关过渡期安排》、《上市公司章程指引（2025）》（以下简称《章程 指引》）等相关规定，公司将不再设立监事会或监事，由 ...

Group 1 - A-shares experienced a collective decline on December 10, with the Shanghai Composite Index dropping by 0.60% during the session, while sectors such as forestry, retail, and engineering machinery showed positive performance [1] - The chip sector remained sluggish, with the chip ETF (159995) down by 1.10% as of 10:31 AM, and key component stocks like Lanke Technology, Haiguang Information, and Zhongwei Company falling by 3.27%, 2.69%, and 2.23% respectively [1] - Some individual stocks were active, with Huazhong Microelectronics rising by 10.61% and Haowei Group increasing by 2.97% [1] Group 2 - On December 9, U.S. President Trump announced that NVIDIA would be allowed to deliver its H200 chip products to qualified customers in China and other countries, under the condition of ensuring U.S. national security [3] - The sales revenue from these chip products will see 25% allocated to the U.S. government, and it was noted that China has been informed and responded positively [3] - Open Source Securities indicated that the restoration of supply for chips like the H200 could promote the comprehensive upgrade of domestic AI models, accelerating the development of the domestic AI ecosystem and potentially expanding demand for domestic computing power chips, which would be a long-term benefit for the domestic chip sector [3]

Core Viewpoint - The article emphasizes the critical role of material innovation in driving the next generation of AI computing power, highlighting the shift from traditional silicon-based materials to advanced materials that can meet the increasing demands of AI applications [2][53]. Group 1: Key Materials for AI Computing - Advanced channel materials are essential for semiconductor transistors, directly influencing speed, power consumption, and integration [4]. - AI chips require channel materials with high mobility, high switching ratio, high stability, low power consumption, low leakage current, and ultra-thin thickness [6]. - Various materials such as MoS₂, black phosphorus, InGaAs, germanium, and carbon nanotubes are identified as promising candidates for next-generation AI chips, each with specific performance metrics [7][10][11][12][14]. Group 2: Gate and Dielectric Materials - Gate and dielectric materials are crucial for controlling the flow of current in transistors, affecting switching speed, power consumption, and reliability [17]. - Hafnium oxide (HfO₂) and its doped variants are highlighted for their low leakage currents and high dielectric constants, suitable for advanced logic chips [18][20][21]. Group 3: Substrate Materials - Substrate materials provide physical support and thermal management for semiconductor chips, impacting performance and reliability [23]. - Silicon carbide (SiC) and gallium oxide (β-Ga₂O₃) are noted for their high breakdown fields and thermal conductivity, making them suitable for AI power modules [24][25]. Group 4: Non-volatile Storage Materials - Phase change materials and resistive switching materials are identified for their potential in next-generation memory applications, offering high speed and low power consumption [26][27]. Group 5: Advanced Packaging and Integration Materials - Materials for substrate and interconnects, such as silicon photonic intermediates and glass substrates, are crucial for enhancing signal transmission speed and reducing power loss [29][30]. - Diamond-based thermal management materials are highlighted for their superior heat dissipation capabilities, essential for high-performance AI chips [32]. Group 6: New Computing Paradigms - Photonic computing materials, such as lithium niobate and silicon-based photonic materials, are discussed for their potential to significantly increase processing speed while reducing energy consumption [35][36]. - Quantum computing materials, including superconductors and diamond nitrogen-vacancy centers, are essential for developing quantum computing hardware [38][39]. Group 7: Investment Logic - The investment opportunity lies in material innovation that can replace traditional silicon technologies, aligning with national strategies for semiconductor supply chain security [53]. - Focus areas for investment include advanced logic and storage materials, packaging and thermal management materials, and frontier materials for emerging computing paradigms [54]. Group 8: Conclusion - The article presents a comprehensive overview of the material innovations driving the AI computing revolution, emphasizing the importance of these advancements for China's semiconductor industry and global competitiveness [56].

Core Viewpoint - The Chip Leader ETF (516640) opened at a decline of 0.38%, priced at 1.046 yuan, indicating a downward trend in the semiconductor sector [1] Group 1: ETF Performance - The Chip Leader ETF (516640) has a performance benchmark based on the CSI Chip Industry Index return rate [1] - Since its establishment on August 19, 2021, the ETF has achieved a return of 5.16% [1] - Over the past month, the ETF has experienced a return of -2.03% [1] Group 2: Major Holdings Performance - Major holdings within the ETF include: - SMIC (中芯国际) down 1.38% [1] - Cambricon (寒武纪) down 3.02% [1] - Haiguang Information (海光信息) down 1.33% [1] - Northern Huachuang (北方华创) down 0.43% [1] - Lattice Technology (澜起科技) up 0.02% [1] - Zhaoyi Innovation (兆易创新) down 0.88% [1] - Zhongwei Company (中微公司) down 1.47% [1] - OmniVision (豪威集团) up 0.02% [1] - Chipone (芯原股份) down 2.06% [1] - Changdian Technology (长电科技) down 0.43% [1]

Market Overview - The Shanghai Composite Index closed at 3928.73 points, above the annual line, with a gain of 0.66% [1] - The total trading volume of A-shares reached 16683.26 billion yuan [1] Stocks Breaking Annual Line - A total of 81 A-shares have surpassed the annual line today, with notable stocks including Tianli Composite, Wanshili, and Sanrenxing, showing divergence rates of 11.85%, 9.63%, and 9.17% respectively [1] - Stocks with smaller divergence rates that just crossed the annual line include Mingyang Electric, Meixin Technology, and Yinzhijie [1] Top Stocks by Divergence Rate - Tianli Composite (code: 920576) had a daily increase of 20.67% with a divergence rate of 11.85% [1] - Wanshili (code: 301066) increased by 10.08% with a divergence rate of 9.63% [1] - Sanrenxing (code: 605168) rose by 10.00% with a divergence rate of 9.17% [1] Additional Notable Stocks - Nanjing Shanglv (code: 600250) increased by 9.98% with a divergence rate of 8.18% [1] - Xiexin Integrated (code: 002506) rose by 9.96% with a divergence rate of 7.86% [1] - Daye Co. (code: 603278) increased by 9.98% with a divergence rate of 7.79% [1]